【正文】 ? ? ?三 .霍爾系數(shù) n型 : 穩(wěn)定時 0y x zq q v B?? ? ? xyzJ Bnq? ??1HR nq? ? ? P型 : 1HR pq?n型 P型 四 .霍爾角 ypxtg ?? ??ynxtg ?? ??? E 偏向 y方向 , E p?n? 為負 . 偏向 y方向 , 為正 . n型 : P型 : ypx????ynx?????在弱磁場的情況下 五 .兩種載流子的霍爾系數(shù) 穩(wěn)定時 : (1) 0yJ ?( ) 0nyJ ? ( ) 0pyJ ?(2) ()nyJ ()pyJ(3) 和 包括兩部分 : 洛倫茲力引起的電流密度和霍爾電場引起的電流密度 222()pnHpnpnRq p n???????HR p?n?np? T? ,np?? HR??2pp? HR﹥ 0T? ,np?? 22pnpn???? 0HR??T?? 22npnp??? ﹥ 0HR? ＜22npnp??＞0HR＜隨溫度變化 ,一般 (1)本征 : (2)P型 : 雜質激發(fā)區(qū) pn 2nn?(3)n型 : np 0HR ＜222()pnHpnpnRq p n???????六 .霍爾效應的應用 (1)判別半導體類型 yHxzR JB??Hy vb? ? xxIJbd?HHxzvdRIB??(2)測定載流子的濃度和遷移率 1HR nq?? 1HR pq? 求出 n和 p nnnq??? pppq???HRHv?測 n? p?由 得出 , 求出 和 (3)制作霍爾器件 第六章 非平衡載流子 非平衡載流子的注入和準費米能級 一 .非平衡載流子的注入 熱平衡狀態(tài) T一定，無外界作用 00np和 一 定 200 in p n?有外界作用 導帶電子濃度 0n n n? ? ?0p p p? ? ?價帶空穴濃度 2inp n?np??和 －非平衡載流子濃度 產生非平衡載流子的方法： （ 1）電注入 （ 2）光注入 非平衡狀態(tài) 平衡時 ： np? ??n?? 非 平 衡 多 數(shù) 載 流 子p?? 非 平 衡 少 數(shù) 載 流 子00np??一般情況 0nn? ?? 0pp? ??T=300K n型硅 15 30 5. 5 10n c m ??? 430 3. 1 10p c m ???10 310n p c m ?? ? ? ? 00n n n n? ? ? ? 0p p p p? ? ? ? ? 非平衡少數(shù)載流子在半導體器件中起重要作用 n型 二 .附加光電導 0II?()n p n pq n q p q p? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?三 .非平衡載流子的壽命 產生率＝復合率 穩(wěn)定不變 0n 0p A:從平衡態(tài) 非平衡態(tài) B:產生率 復合率 C:非子的注入 D: 00n n n n? ? ? ?00p p p p? ? ? ? A:從非平衡態(tài) 平衡態(tài) 產生率 B:復合率 C:非子的復合 D: 0nn? 0pp? 1? p?p??－非子的復合幾率 －非子濃度 －非子的復合率 0t? 0()p?dt p??時 間 內 ， 減 少 了 d p(t ) pp dt?? d ( t )單 位 時 間 內 ， 減 少 非子濃度 ()p p tdt ?????d (t)0( ) ( )tp t p e ??? ? ?t ??0()() pp e? ??? 非平衡載流子壽命的大小是鑒別半導體材料質量的常規(guī)手段 四 .準費米能級 n型 p型 0 e x p ( ) e x p ( )c F i FciBBE E E En N nk T k T??? ? ? ?0 e x p ( ) e x p ( )F v F ivi BBE E E Ep N nk T k T??? ? ? ?系統(tǒng)處于非平衡狀態(tài) 200