【正文】 BCm k TN ??令 ： 0 e x p ( )CFcBEEnN kT???CN 導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度 ()BfE : Ca N E與 無(wú) 關(guān) ， 與 T 有 關(guān): ( )b D E EC 與 有 關(guān) ， 與 T 無(wú) 關(guān) *3 / 20 22 ( ) e x p ( )2pB FvBm k T EEpkT????* 3 / 222 ( )2 pBvm k TN ??令0 e x p ( )FvvBEEPNkT??? 00np00 e x p ( ) e x p ( )gCVC V C VBBEEEn p N N N Nk T k T?? ? ? ? 熱平衡狀態(tài)下的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的判據(jù)式 vN價(jià)帶有效狀態(tài)密度 五 .本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度 iE00 pn ?電中性條件 e x p ( ) e x p ( )C F F VCVBBE E E ENNk T k T??? ? ?CVBVCiF NNn2 TK2 EEEE ?????*n*pBVCi mmn4 TK32 EEE ???? 00in n p?? 2 00in n p?00 e x p ( )gCVBEn p N NkT??1 2( ) e x p ( )2gi C VBEn N NkT? ? ?in用 和 表示 和 iE in0n 0p0 e x p ( ) e x p ( )C F i FciBBE E E En N nK T k T??? ? ? ?0 e x p ( ) e x p ( )F V F iViBBE E E EP N nK T k T??? ? ? ?六 .雜質(zhì)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度 n型： 00np??00pn??p型 : 電子－多子 空穴－少子 電子－少子 空穴－多子 00np? ? ? 11e xp ( ) 12DD DFBfE EEkT? ??（ 1）施主能級(jí)上電子的分布函數(shù) A:施主能級(jí)上的電子濃度 Dn 未電離的施主濃度 ? ? 11 e xp ( )2DD D D DDFBNn N f EEEkT?? ??B:電離施主濃度 Dn?D D Dn N n? ??1 2 e xp ( )DFDBNEEkT? ??F D BE E k T? ?? 0 DnN? 0Dn? ? 雜質(zhì)基本未電離 D F BE E k T? ?? 0 0n ? DDnN? ? 雜質(zhì)全部電離 DFEE? 023 DnN? 13DDnN? ? 23 13未電離 電離 ? ? 11e xp ( ) 12AA FABfE EEkT? ??（ 2）受主能級(jí)上空穴的分布函數(shù) Ap A:未電離的受主濃度 ? ? 11 e xp ( )2AA A A AFABNp N f EEEkT?? ??B:電離受主濃度 Ap?A A Ap N p? ??1 2 e xp ( )AAFBNEEkT? ??2. n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度 計(jì)算的一般方法： A:由電中性條件 FE 00np或B:聯(lián)立 200 in p n?電 中 性 條 件00np或 FE（ 1