【正文】 力電池汽車，成為環(huán)保技術(shù)領(lǐng)域和世界電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)頭羊。無(wú)論是發(fā)電機(jī)還是電動(dòng)機(jī)，只要電樞旋轉(zhuǎn)切割磁通就有電樞電動(dòng)勢(shì)。由于R(a)較小，E(a)稍有減小就能使I(a)增加很多，此時(shí)雖然φ減小了,但它減小的幅度小于I(a)增加的幅度，所以電磁轉(zhuǎn)矩T=c(t) φI(a)還是增大了。對(duì)于明確應(yīng)用對(duì)象的系統(tǒng)，選擇功能過(guò)少的控制器，難于完成控制任務(wù)，外圍器件的擴(kuò)展也會(huì)使系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)笨重復(fù)雜從而使精確度降低。這些存儲(chǔ)器可可擦寫(xiě)1000次以上，新工藝AVR器件，程序存儲(chǔ)器擦寫(xiě)可達(dá)1萬(wàn)次以上，基本不再會(huì)有報(bào)廢品產(chǎn)生。(6)強(qiáng)大的通訊功能。主要的功能模塊包括：?jiǎn)?dòng)電路、反饋電路、保護(hù)電路、整流電路。3．4．2他勵(lì)直流電機(jī)電流檢測(cè)方法他勵(lì)直流電機(jī)控制器要采集的電流信號(hào)是電樞電流信號(hào)和勵(lì)磁電流信號(hào)，電樞電流只有一相，勵(lì)磁電流要采集的信號(hào)有兩相，如圖3．1硬件結(jié)構(gòu)框圖所示，電樞電流采集流過(guò)下橋MOSFET的電流，勵(lì)磁采集流過(guò)H橋下橋MOSFET的電流。圖3．6為單橋臂的驅(qū)動(dòng)電路的原理圖。加速信號(hào)處理電路如圖3．9所示。3．13本章小結(jié)本章根據(jù)系統(tǒng)提出的要求，提出了硬件電路總體設(shè)計(jì)方案，并詳細(xì)描述了各硬件模塊的電路實(shí)現(xiàn)。4．1．2驅(qū)動(dòng)控制策略在現(xiàn)代控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，PID控制是應(yīng)用最廣泛的控制策略。主程序流程圖如圖4．2所示。為了提高測(cè)速的實(shí)時(shí)性，測(cè)速處理程序作為定時(shí)器中斷的中斷服務(wù)程序來(lái)處理，詳細(xì)的測(cè)速處理程序流程圖如圖4．12所示。盡我所知，除文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人或組織已經(jīng)發(fā)表或公布過(guò)的研究成果，也不包含我為獲得 及其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或?qū)W歷而使用過(guò)的材料。、圖表要求：1）文字通順，語(yǔ)言流暢，書(shū)寫(xiě)字跡工整，打印字體及大小符合要求，無(wú)錯(cuò)別字，不準(zhǔn)請(qǐng)他人代寫(xiě)2）工程設(shè)計(jì)類題目的圖紙，要求部分用尺規(guī)繪制，部分用計(jì)算機(jī)繪制，所有圖紙應(yīng)符合國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。并將模糊PID算法融入程序，使得本電動(dòng)汽車的加速性能和續(xù)航里程大大提高。 while(1)。那么e’和ec’的論域?yàn)椋篹’={7，一6，一5，4，一3，一2，l，0，1，2，3，4，5，6，7}，ec’={7，6，5，4，3，2，1，0，1，2，3，4，5，6，7}。當(dāng)坡度過(guò)大時(shí)，回饋電流將大于動(dòng)力蓄電池最大允許充電電流，這種情況下必須對(duì)充電電流進(jìn)行限制，此時(shí)采用再生制動(dòng)和機(jī)械制動(dòng)相結(jié)合的制動(dòng)方式來(lái)保證動(dòng)力蓄電池的安全充電及行車安全。JTAG接口同過(guò)仿真器與PC連接，JTAG接口圖如圖3．12所示：3．12硬件抗干擾的設(shè)計(jì)合格的硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括兩個(gè)方面：系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)與良好的抗干擾能力。通過(guò)電阻分壓，將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)，輸入微處理器的A／D口。此外，對(duì)器件或整個(gè)裝置的一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)，因此驅(qū)動(dòng)電路對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的影響。多只元件并聯(lián)工作時(shí)，MOSFET間可以自動(dòng)均流。此集成電路具有可微調(diào)的振蕩器、能進(jìn)行精確的占空比控制、溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖?、高增益誤差放大器。也就是說(shuō)不需要將IC芯片拆下拿到萬(wàn)用編程器上擦寫(xiě)，可直接在電路板上進(jìn)行程序修改、燒錄等操作，方便產(chǎn)品升級(jí)。(9)供貨渠道是否暢通，價(jià)格是否低廉，是否具有良好的技術(shù)服務(wù)支持。根據(jù)第二章對(duì)他勵(lì)直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)提出的性能要求結(jié)合電動(dòng)汽車的操控性要求，設(shè)計(jì)了如圖3．1所示的硬件系統(tǒng)。保持他勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)電源為額定值，電樞回路不串聯(lián)電阻，通過(guò)減小電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁電流I(f)，即減弱電動(dòng)機(jī)磁通Φ時(shí)，其機(jī)械特性方程式為： ()從式(2．4)中可看出n(0)隨φ的減弱成反比例增加，而△n隨φ的二次方成反比地增加，若將近飽和額定磁通φ(e)的比例定為l，減弱后其比例也就小于l，平方后其比例是減小，因此n(0)比△n增加得快，即減弱磁通φ后電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速n將升高，調(diào)速方向是從基速(額定轉(zhuǎn)速n(e))向上調(diào)節(jié)。由于他勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)的可控參數(shù)多，易實(shí)現(xiàn)所需要的人為機(jī)械特性，所以在直流調(diào)速中較多地采用他勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)，電動(dòng)汽車中一般也是選用他勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)作為直流驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。德國(guó)政府同9個(gè)主要公司簽訂了一份理解備忘錄，為創(chuàng)建一個(gè)清潔能源城市(柏林)而結(jié)成同盟。選用IR公司的IR2110作為驅(qū)動(dòng)芯片，高端輸出驅(qū)動(dòng)電流可到1．9A，能夠提供7個(gè)MOSFET并聯(lián)時(shí)驅(qū)動(dòng)電流。對(duì)于電流檢測(cè)模塊，本文沒(méi)有采用電流傳感器或者是康銅絲,而是采用了一種基于MOSFET管壓降的電流檢測(cè)電路，這種方式即節(jié)約了成本也保證了檢測(cè)精度。英國(guó)、意大利等歐洲國(guó)家都在開(kāi)展電動(dòng)汽車的研發(fā)工作。因此，需要給出直流電動(dòng)機(jī)電樞電動(dòng)勢(shì)和電磁轉(zhuǎn)矩的兩個(gè)數(shù)學(xué)公式，從而導(dǎo)出他勵(lì)直流電動(dòng)機(jī)的機(jī)械特性數(shù)學(xué)方程式，即電動(dòng)機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速之間的函數(shù)關(guān)系式n=f(t)，然后才能說(shuō)明如何改變方程式中的相關(guān)參數(shù)來(lái)獲得所需人為機(jī)械特性?！醮耪{(diào)速的機(jī)械特性如圖2．2所示。本控制系統(tǒng)包括對(duì)電樞和勵(lì)磁的分別PWM控制模塊，電源模塊，開(kāi)關(guān)量處理模塊，和模擬量處理模塊，硬件性能滿足設(shè)計(jì)要求，可在此硬件系統(tǒng)上對(duì)MCU進(jìn)行軟件設(shè)計(jì)，從而達(dá)到最終的控制要求。根據(jù)上面所述的原則，結(jié)合本系統(tǒng)實(shí)際情況，儀表選用ATMEL公司生產(chǎn)的ATmega64單片機(jī)作為主控模塊的核心芯片3．2．2 ATmega64的特性與內(nèi)部結(jié)構(gòu)ATmega64是ATMEL公司生產(chǎn)的高性能、低功耗的8位AVR高檔微處理器，采用RISC結(jié)構(gòu)，具備IMIPS／MHz(百萬(wàn)條指令每秒／兆赫茲)的高速處理能力，有效緩減了系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。(5)具有模擬比較器、脈寬調(diào)制器、模數(shù)轉(zhuǎn)換功能。電流取樣比較器和大電流圖騰柱式輸出，是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的理想器件。當(dāng)MOSFET功率開(kāi)關(guān)流過(guò)通態(tài)電流時(shí)，由于通態(tài)導(dǎo)通電阻的存在，在其導(dǎo)通溝道上有一定的壓降，又因器件的導(dǎo)通溝道電阻基本穩(wěn)定，該壓降與器件的通態(tài)電流成正比。功率MOSFET為電壓型驅(qū)動(dòng)功率器件，常見(jiàn)的MOSFET柵極集成驅(qū)動(dòng)器為IR公司生產(chǎn)的IR21XX系列高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路將驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)和一個(gè)低壓側(cè)MOSFET所需的絕大部分功能集成在一個(gè)封裝內(nèi)，它們依據(jù)自舉原理工作，驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)兩個(gè)元件時(shí)，不需要獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源，因而使電路得到簡(jiǎn)化，而且開(kāi)關(guān)速度快，可以得到理想的驅(qū)動(dòng)波形。溫度檢測(cè)電路如圖3．8所示。干擾不僅會(huì)使電子元器件性能降級(jí)或失效，使處理器工作失常；同時(shí)還可能使輸入輸出及控制信號(hào)發(fā)生偏移或嚴(yán)重失真，導(dǎo)致計(jì)量誤差。2．中輕度剎車時(shí)的再生制動(dòng)策略中輕度剎車是車輛行駛過(guò)程中最常見(jiàn)的一種剎車。Kp、Ki的輸出范圍都為(一O．3，0．3)，Kd的輸出范圍為(0．2，0．2)。 }4．2．3 電動(dòng)機(jī)速度測(cè)量電機(jī)輸出軸轉(zhuǎn)速和車輛速度是通過(guò)磁電式速度傳感器產(chǎn)生與速度成正比的正弦信號(hào)，進(jìn)過(guò)信號(hào)調(diào)理電路的處理轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的脈沖信號(hào)進(jìn)入單片機(jī)，單片機(jī)對(duì)采用定周期法進(jìn)行計(jì)數(shù)，即可計(jì)算出電機(jī)和車輛的速度。理論和實(shí)踐證明，本論文設(shè)計(jì)的他勵(lì)電機(jī)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能夠滿足電動(dòng)汽車的實(shí)際需要。圖表整潔，布局合理，文字注釋必須使用工程字書(shū)寫(xiě)，不準(zhǔn)用徒手畫(huà)3）畢業(yè)論文須用A4單面打印，論文50頁(yè)以上的雙面打印4）圖表應(yīng)繪制于無(wú)格子的頁(yè)面上5）軟件工程類課題應(yīng)有程序清單，并提供電子文檔1）設(shè)計(jì)（論文）2）附件：按照任務(wù)書(shū)、開(kāi)題報(bào)告、外文譯文、譯文原文（復(fù)印件）次序裝訂3）其它38。制動(dòng)和調(diào)速[M】．北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001．【5】 趙德安等．單片機(jī)原理與應(yīng)用【M】．北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2004．【6】 耿德根等．AVR高速嵌入式單片機(jī)原理與應(yīng)用【M】．北京：北京航空航天大學(xué)出版社，2000．【7】 劉金琨．智能控制[M】．電子工業(yè)出版社，2006．畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)說(shuō)明原創(chuàng)性聲明本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文），是我個(gè)人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的成果。計(jì)時(shí)器啟動(dòng)的同時(shí)啟動(dòng)計(jì)數(shù)器，當(dāng)10ms時(shí)間到立即停止計(jì)數(shù)器的工作，并讀取計(jì)數(shù)器的值PACNx(x代表不同的計(jì)數(shù)通道)，若電機(jī)車輪每轉(zhuǎn)一圈產(chǎn)生40個(gè)脈沖，則 每秒鐘的脈沖數(shù)為：M1=100PACNx 每分鐘的脈沖數(shù)為：M2=60*100*PACNx 電機(jī)轉(zhuǎn)速和車輪轉(zhuǎn)速：N=60*100*PACNx/40 車輛速度：V=N（L）*2πR*60/1000式中N（L）為車輪的轉(zhuǎn)速，單位為轉(zhuǎn)／分鐘。該部分主要代碼如下：RAM： sectionabsentry fllzvarfuzvar： 7 ；inputsNB： equ 0 ；負(fù)大N1Vl equ l ；負(fù)中NS： equ 2 ：負(fù)小ZE： equ 3 ；零PS： equ4 ；正小,PM： equ4 ：正中PB： equ4 ：正大output membership variablesabsentry fuzoutfuzout：ds．b 4 ；outputsNB： equ 0 ：負(fù)大NM： equ l ：負(fù)中NS： equ 2 ：負(fù)小ZE： eq