【正文】 三種方式：提高燒結(jié)溫度、增加氮氣壓以及延長保溫時間。高熱導(dǎo)率陶瓷材料主要應(yīng)用于集成電路（IC）襯底，多芯片組裝（MCM）基板、封裝以及大功率器件散熱支撐件等部位，其中研究較多的有 Al2OBeO、AlN、BN、Si3NSiC 等陶瓷材料。且氮化硅熱傳導(dǎo)導(dǎo)機(jī)制為聲子導(dǎo)熱，其熱導(dǎo)率的大小依賴于氮化硅晶粒的凈化程度。且氣壓燒結(jié)條件決定了燒結(jié)體微觀結(jié)構(gòu)的均勻性，使用氣壓燒結(jié)制備氮化硅陶瓷材料，可獲得各向同性的燒結(jié)體。ρT=（m1+m2）/(m1/ρ1+m2/ρ2)式中，ρT——理論密度（g/cm3）；ρ1——氮化硅密度（g/cm3）；ρ2——氧化鈰密度（g/cm3）；m1——試樣中含有氧化硅質(zhì)量(g)；m2——試樣中含有氧化鈰質(zhì)量(g)。從燒結(jié)助劑含量與燒結(jié)工藝的差異對試樣微觀結(jié)構(gòu)及成分的影響，結(jié)合材料性能測試分析總結(jié)最終決定材料性能的因素。這里采用維氏壓痕法測量材料斷裂韌性，其壓痕產(chǎn)生的裂紋長度由 SEM觀測獲得。(2). 維氏硬度與斷裂韌性這里使用維式硬度計（型號：HVS—50，測試條件：載荷為 20kg，持續(xù)時間為 10s）測量所制備氮化硅陶瓷材料的維氏硬度。（6）制樣將試樣脫模后，采用平磨磨床與內(nèi)圓切割機(jī)將試樣分別加工成 3420mm與 3mm 兩種尺寸以備于力學(xué)及熱性能測試。制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷材料較少采用無壓燒結(jié)方式，與材料致密度較低有關(guān)。具有較高熱導(dǎo)率的高性能氮化硅陶瓷的制備需求隨著氮化硅陶瓷材料的潛在應(yīng)用范圍的擴(kuò)展不斷增加，而燒結(jié)助劑在制備高性能氮化硅過程中對材料性能影響的相關(guān)研究較少。采用適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑可有效提高氮化硅陶瓷材料的熱導(dǎo)率，增加材料斷裂韌性，促進(jìn)材料性能完善。而現(xiàn)今性能較為優(yōu)異的兩種封裝材料：氮化鋁與氧化鈹，前者造價昂貴后者具有毒性。c. 放電等離子燒結(jié)和無壓燒結(jié)放電等離子燒結(jié)具有升溫快、加熱均勻以及燒結(jié)溫度等特點，可完成致密燒結(jié)體的快速燒結(jié)，而這對于高熱導(dǎo)率氮化硅燒結(jié)制備過程的影響較小，在燒結(jié)后依舊需要長時間的高溫?zé)崽幚慝@得晶粒生長較好的氮化硅陶瓷材料。（5）燒結(jié)將裝好粉料的石墨模具置于真空熱壓爐（型號為 ZRY80）內(nèi)，以 15℃/min的升溫速率升至 1600℃，而后升溫速率下降至 10℃/min直至 1800℃。試樣尺寸為 3420mm，試樣分別由240 目、600 目、1000 目砂紙打磨拋光至鏡面，倒角后進(jìn)行測試。(3). 比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)與熱導(dǎo)率這里使用激光法導(dǎo)熱分析儀（生產(chǎn)公司：德國耐馳儀器制造公司，型號：LFA427，測試條件：室溫）對所制備氮化硅試樣的熱擴(kuò)散系數(shù)、熱導(dǎo)