氮化硅陶瓷制品(參考版)
2025-06-30 15:08本頁面
【正文】 。(3). 比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)與熱導(dǎo)率這里使用激光法導(dǎo)熱分析儀（生產(chǎn)公司：德國(guó)耐馳儀器制造公司，型號(hào)：LFA427，測(cè)試條件：室溫）對(duì)所制備氮化硅試樣的熱擴(kuò)散系數(shù)、熱導(dǎo)率及比熱容進(jìn)行測(cè)試。硬度計(jì)壓頭壓力設(shè)置為 ，KIC由下面公式可獲得。HV=式中，HV ——試樣的維氏硬度（GPa）；F ——載荷（N）；d ——壓痕對(duì)角線平均值（m）。試樣分別由 240 目、600目、1000 目砂紙打磨拋光至鏡面，沖洗干燥后進(jìn)行測(cè)試。σ=3PL/2h2w式中，σ ——試樣彎曲強(qiáng)度（MPa）；P ——加載的最大載荷（N）；L ——測(cè)試時(shí)的跨距（mm）；h ——試樣高（mm）；w ——試樣寬（mm）。試樣尺寸為 3420mm，試樣分別由240 目、600 目、1000 目砂紙打磨拋光至鏡面，倒角后進(jìn)行測(cè)試。/min。掃描分析時(shí)對(duì)晶界相衍射峰處以較慢掃描速度重復(fù)掃描，快速掃描與慢速掃描的速度分別為 5176。烘干后于 1500℃下真空加熱 1h 進(jìn)行熱腐，無需打磨清洗可直接噴金觀測(cè)。（SEM） 這里使用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（生產(chǎn)公司：FE，型 號(hào) ： HeliosNanolab600i，主題: 燒結(jié)原料與試樣1C~試樣8C的XRD圖譜分辨率較高）對(duì)材料斷口截面與熱腐后的試樣表面形貌、晶體形態(tài)進(jìn)行觀測(cè)。 結(jié)構(gòu)與成分分析分別使用 SEM、XRD 測(cè)試方法分析所制備氮化硅陶瓷材料的表面與斷面的微觀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、α→β 相變率及晶界相構(gòu)成。這里所制備的氮化硅陶瓷材料體系見表 22。1800℃的燒結(jié)溫度有利于燒結(jié)助劑促進(jìn)材料的致密化，較緩慢的升溫速率有利于晶粒的完善生長(zhǎng)，較高的機(jī)械壓力可有效促進(jìn)晶粒的定向生長(zhǎng)。（5）燒結(jié)將裝好粉料的石墨模具置于真空熱壓爐（型號(hào)為 ZRY80）內(nèi)，以 15℃/min的升溫速率升至 1600℃，而后升溫速率下降至 10℃/min直至 1800℃。粉料兩端與石墨墊片之間分別置有涂覆了氮化硼的石墨紙。真空蒸發(fā)可有效防止料漿在干燥過程中與氧接觸，減少氧雜質(zhì)的引入。球磨時(shí)間較長(zhǎng)，可有效混合燒結(jié)助劑與氮化硅粉料。（2）混料將稱量好的粉料按比例與適量的分散劑（無水乙醇）置于內(nèi)襯為四氟乙烯的球磨罐中濕混，球磨介質(zhì)為氧化鋯球磨珠。由公式計(jì)算出具有αSi3N4與CeO2不同摩爾比試樣的理論密度， αSi3N4的單晶結(jié)構(gòu) 依照所需氮化硅燒結(jié)體體積計(jì)算出粉料總質(zhì)量，按質(zhì)量比分別計(jì)算出αSi3N4與CeO2粉料質(zhì)量，用電子天平準(zhǔn)確稱量，精度為
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1