【正文】 晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一 光刻 ：由此進入50200納米尺寸的晶體管級別。 金屬層 ：晶體管級別，六個晶體管的組合，大約 500納米。這種在世界上最干凈的房間里制造出來的最復(fù)雜的產(chǎn)品實際上是經(jīng)過數(shù)百個步驟得來的，這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。而現(xiàn)今 主流的 CPU大都使用了銅來代替鋁，因為鋁的電遷移性太大，已經(jīng)無法滿足當前飛速發(fā)展的 CPU制造工藝的需要。如果你在高中時把硫酸銅結(jié)晶實驗做的很好，或者看到過單晶冰糖是怎么制造的，相信這個過程不難理解。在這里，質(zhì)量檢查直接決定著 CPU的最終良品率，是極為重要的。可以這么說，光微刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限。實際上，到這個時候， CPU的完成度還不到五分之一。 讀完這些，相信你已經(jīng)對 CPU的制造流程有了一些比較深入的認識。某些 CPU能夠在較高的頻率下運行，所以被標上了較高的頻率；而有些 CPU 因為種種原因運行頻率較低，所以被標上了較低的頻率。多晶硅是上面提到的門電路的另一部分，而以前這是用金屬制造而成的（即 CMOS里的 M： Metal）。電平的高低被形象的用 0和 1表示，這也就是計算機使用二進制的原因。 硅錠造出來了，并被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。首先，它將被通過化學(xué)的方法提純，純到幾乎沒有任何雜質(zhì)。同時，制造CPU對硅材料的純度要求極高，雖然來源于廉價的沙子，但是由于材料提純工藝的 復(fù)雜，我們還是無法將一百克高純硅和一噸沙子的價格相提并論。襯底 (基片 )、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起，就形成了我們看到的處理器的樣子。 電鍍 ：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。事實上， Intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓，而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購買成 品，然后利用自己的生產(chǎn)線進一步加工，比如現(xiàn)在主流的 45nm HKMG(高 K金屬柵極 )。 單晶硅錠 ：整體基本呈圓柱形，重約 100千克，硅純度 ％。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。 制造第八階段 _晶圓切片 (小結(jié)） 單個內(nèi)核 ：內(nèi)核級別。硅是一種非金屬元素，從化學(xué)的角度來看，由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交 界處， 所以具有半導(dǎo)體的性質(zhì)，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的材料之一。 準備工作 解決制造 CPU的材料的問題之后，我們開始進入準備工作。作為第一個吃螃蟹的人， Intel顯然需要付出更大的代價。通過密切監(jiān)控熔爐內(nèi)的溫度、壓力和加熱時間，晶圓的表面將被 氧化成 一層特定厚度的二氧化硅（ SiO2），作為晶體管門電路的一部分 — 基片。接下來停止光照并移除遮 罩，使 用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。接下來核心將被封裝，安裝在基板上。 補充 在測試、測試和測試這個環(huán)節(jié)很重要 ,你的處理器是 6300還是 6400就會在這個環(huán)節(jié)被劃分，而 6300天生并不是6300，而是在測試之后，發(fā)現(xiàn)處理器不能穩(wěn)定的在 6400標準下工作，只能在 6300標準下穩(wěn)定工作，于是對處理器定義，鎖頻，定義 ID，封裝，印上 6300， AMD我比較熟，用 AMD的例子比較好舉，同樣核心的處理器都是一個生產(chǎn)線下來的，如果穩(wěn)定工作在 ， 1M*2的緩 存下，就被定義為 5600+，如果緩存有瑕疵，切割有問題的那一半，成為 5400+，如果緩存沒問題而頻率只能在 ，那么就是 5200+， 如果緩存有瑕疵，就切割成為 5000+………… 一直把它測到 3800+，如果還不穩(wěn)定，要么想辦法變成速龍 64單核或者單核閃龍，或者就是出現(xiàn)過的 ES版 的雙核閃龍，如果出現(xiàn)批量不能工作在 3800+條件下，而工作在 3600+條件下，那么 3600+就上市了，如果出現(xiàn)批量能工作在 3G， 1M*2條件下， 那么 6000+就上市了，這就是為什么處理器總是中等型號的先上市，高端和底端的后上市