cpu發(fā)展史和生產(chǎn)工藝流程-wenkub
2023-05-22 18:05:10 本頁面
【正文】 現(xiàn)在主流的 45nm HKMG(高 K金屬柵極 )。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠 (Ingot)。其功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟件中的數(shù)據(jù)。 CPU由運算器、控制器和寄存器及實現(xiàn)它們之間聯(lián)系的數(shù)據(jù)、控制及狀態(tài)的總線構(gòu)成。 單晶硅錠 ：整體基本呈圓柱形，重約 100千克，硅純度 ％。值得一提的是， Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有 2英寸 /50毫米 制造第二階段 _切割晶圓 (小結(jié)） 光刻膠 (Photo Resist)：圖中藍色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器，不過從這里開始把視野縮小到其中一個上，展示如何制作晶體管等部 件。 制造第四階段 _光刻膠的使命 (小結(jié)） 光刻膠 ：再次澆上光刻膠 (藍色部分 )，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。銅離子會從正極 (陽極 )走向負極(陰極 )。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。 晶圓切片 (Slicing)：晶圓級別， 300毫米 /12英寸。 制造第八階段 _晶圓切片 (小結(jié)） 單個內(nèi)核 ：內(nèi)核級別。襯底 (綠色 )相當于一個底座，并為處理器內(nèi) 核提供電氣與機械界面，便于與 PC系統(tǒng)的其它部分交互。 制造第九階段 _封裝 (小結(jié)） 等級測試 ：最后一次測試，可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級，比如適合做成最高端的 Core i7975 Extreme，還是低端型號 Core i7920。 制造第十階段 _成品出爐 (小結(jié)） 總結(jié) 制造第一階段 __提煉硅錠 制造第二階段 _切割晶圓 制造第三階段 _光刻過程 制造第四階段 _光刻膠的使命 制造第五階段 _離子注入 制造第六階段 _電鍍晶圓 制造第七階段 _拋光處理 制造第八階段 _晶圓切片 制造第九階段 _封裝 (小結(jié)） 制造第十階段 _成品出爐 (小結(jié)） CPU是如何生產(chǎn)出來的 （收轉(zhuǎn)） 20220326 16:00 作為計算機的核心組件， CPU（ Central Processor Unit，中央處理器）在用戶的心中一直是十分神秘的：在多數(shù)用戶的心目中，它都只是一個名詞縮寫，他們甚至連它的全寫都拚不出來；在一些硬件高手的眼 里， CPU也至多是一塊十余平方厘米，有很多腳的塊塊兒，而 CPU的核心部分甚至只有不到一平方厘米大。硅是一種非金屬元素，從化學(xué)的角度來看，由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交 界處， 所以具有半導(dǎo)體的性質(zhì)，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的材料之一。 制造 CPU的另一種基本材料是金屬。所謂電遷移，是指金屬的個別原子在特定條件下（例 如高電壓）從原有的地方遷出。銅互連技術(shù)能夠明顯的減少電遷移現(xiàn)象，同時還能比鋁工藝制造的電路更小，這也是在納米級制造工 藝中不可忽視的一個問題。 準備工作 解決制造 CPU的材料的問題之后，我們開始進入準備工作。同時它還得被轉(zhuǎn)化成硅晶體，從本質(zhì)上和海灘上的沙子劃清界限。同時你需要理解的是，很多固體物質(zhì)都具有晶體結(jié) 構(gòu)，例如食鹽。 現(xiàn)在的硅錠的直徑大都是 200毫米，而 CPU廠商正在準備制造 300毫米直徑的硅錠。作為第一個吃螃蟹的人， Intel顯然需要付出更大的代價。晶圓才被真正用于 CPU的制造。 沒有問題的晶圓將被摻入適當?shù)钠渌牧希靡栽谏厦嬷圃斐龈鞣N晶體管。 在電子學(xué)中， “ N” 和 “ P” 分別是 Negative和 Positive的縮寫，用于表示極性。通過密切監(jiān)控熔爐內(nèi)的溫度、壓力和加
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1