【正文】 不能代交！ 2/1/2023 韓 良 29 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 167。大學(xué)教師、研究生、研究機構(gòu)、中小企業(yè)作為工程受益群體，自愿參加，并付一定費用。 引言 2/1/2023 韓 良 2 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 2. 代客戶加工（代工）方式 ? 芯片設(shè)計單位和工藝制造單位的分離 ，即芯片設(shè)計單位可以不擁有生產(chǎn)線而存在和發(fā)展，而芯片制造單位致力于工藝實現(xiàn)，即 代客戶加工（簡稱代工）方式 。再通過因特網(wǎng)傳送到代工單位。隔離的方法有多種，如 PN結(jié)隔離，全介質(zhì)隔離及 PN結(jié) 介質(zhì)混合隔離等。 制造 工藝簡介 2/1/2023 韓 良 50 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 雙層多晶、多層金屬 CMOS工藝 雙層多晶： 易做多晶電容、多晶電阻、疊柵 MOS器件，適合 CMOS數(shù) /?；旌想娐贰EPROM等 多層金屬： 便于布線，連線短，連線占面積小，適合大規(guī)模、高速 CMOS電路 2/1/2023 韓 良 51 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 雙極型模擬集成電路工藝 磷穿透擴散： 減小串聯(lián)電阻 離子注入： 精確控制參雜濃度和結(jié)深 B PSub N+埋層 SiO2 光刻膠 P+ P+ P+ P P N+ N+ N+ N+ C E C E B 2/1/2023 韓 良 52 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 Bi CMOS工藝 雙極工藝器件的特點是速度高、驅(qū)動能力強，但功耗大、集成度低；而 CMOS工藝制造的器件功耗小、集成度高，但速度低、驅(qū)動能力差。 B PSub SiO2 光刻膠 N+埋層 N–epi P+ P+ P+ SiO2 N–epi P P N+ N+ N+ 鈍化層 N+ C E C E B pnp晶體管的影響 （第二章介紹） 2/1/2023 韓 良 27 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 隔離的實現(xiàn) +隔離擴散要擴穿外延層，與 p型襯底連通。 引言 7. 在建、籌建半導(dǎo)體廠家 2/1/2023 韓 良 8 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 2/1/2023 韓 良 9 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 ? FF(Fabless and Foundry)模式 ? 工業(yè)發(fā)達國家通過組織 無生產(chǎn)線 IC設(shè)計 的芯片計劃來促進集成電路設(shè)計的專業(yè)發(fā)展、人才培養(yǎng)、技術(shù)研究和中小企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)，而取得成效。國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 第一章 集成電路制造工藝 集成電路（ Integrated Circuit） 制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。 引言 2/1/2023 韓 良 6 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 ? 代工（ Foundry）廠家 很多，如： ? 無錫上華（ ?mCOS和 4 ?mBiCMOS工藝 ) ? 上海先進半導(dǎo)體公司 (1 ?mCOS工藝 ) ? 首鋼 NEC(?mCOS工藝 ) ? 上海華虹 NEC( ?mCOS工藝 ) ? 上海中芯國際 (8英寸晶圓 ?mCOS工藝 ) 引言 6. 代工工藝 2/1/2023 韓 良 7 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 ? 宏力 8英寸晶圓 ?mCMOS工藝 ? 華虹 NEC 8英寸晶圓 ?mCMOS工藝 ? 臺積電 (TSMC) 在松江籌建 8英寸晶圓 ?mCMOS工藝 ? 聯(lián)華 (UMC) 在蘇州籌建 8英寸晶圓 ?mCMOS工藝等等。