5光電子能譜分析(專業(yè)版)
【正文】 可用電子激發(fā)， 和 3sandspectrumUHV避免光電子與氣體分子碰撞的干擾。Kα表達(dá)式 變?yōu)?：（能量分配） 由于功函數(shù) Φ的引入， 僅測 定光 電 子的 動(dòng) 能 Ek，并不能 計(jì) 算出 Eb， 還 需知 Φ，而 Φ是隨 樣 品而異的。在光電子能譜儀中，常用 Al和 Mg作 X射線源（引起的原子反沖能很小），所以 Er可以忽略不計(jì)。原子的反沖能量：但是由于 X射線激發(fā)的深度比光電子逸出深度要大得多，使得從深度大于光電子自由程的那些原子所發(fā)射的光電子與樣品中自由電子發(fā)生非彈性碰撞，最后不能逸出，而被吸收掉。發(fā)射源（信號(hào)）：俄歇電子 表面分析法所用的儀器主要有以下幾種：（ 1） 離子探針微區(qū)分析 （ IMMA）（注意與電子探針的區(qū)別）Xray BeamXray peration depth ~1?m.Electrons can be excited in this entire volume.Xray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire areaElectrons are extracted only from a narrow solid angle.1 mm210 nm2光電子逸出深度結(jié)合能 Eb的概念 hν是 實(shí)驗(yàn)時(shí)選 用的X射 線 能量，也是已知的，于是只要在 實(shí)驗(yàn) 中 測 得光 電子的 動(dòng) 能，就可以 計(jì) 算 Eb了。高真空系統(tǒng)：超高真空腔室 superhigh216。690,eV能級(jí)引起。電子峰。受表面勢(shì)壘影響。使空間分辨率提高。electroneV4s將 KE轉(zhuǎn)換為 BE， aXPS的儀器的儀器 Instrumentation=用 X射線作激發(fā)源轟擊出樣品中元素的 內(nèi)層電子 ，并直接測量二次電子的能量，這能量表現(xiàn)為元素內(nèi)層電子的結(jié)合能 Eb。離子探針對(duì)二次離子的收集效率比特征 X射線高，因此分析效率高，可以作包括 H元素的成分分析，而且還可以分析同位素。XPS: Xray Photoelectron Spectroscopy離子探針顯微分析 表面分析法是一種 無損分析 ，分析的是最表層的元素信息，分析的靈敏度極高。（ 3） 表面層物質(zhì)的狀態(tài) 。概述發(fā)射源（信號(hào)）：電子過 程如下： 當(dāng)光與物質(zhì)起相互作用時(shí)并不總產(chǎn)生光電效應(yīng)，而是有一定的幾率。根據(jù)上式，可以計(jì)算出電子在原子各能級(jí)的結(jié)合能 Eb。Φ’。 同步輻射源是十分理想的激發(fā)源，具有良好的單色性，且可提供10radiation
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