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無機材料典型晶體結(jié)構(gòu)(專業(yè)版)

2025-01-31 23:03上一頁面

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【正文】 事實也正是如此,過渡金屬碳化物、氮化物、硼化物、硅化物及 SiC、 B4C、 BN、 AlN、 Si3N4 等都是強共價鍵化合物,它們所具有的獨特性質(zhì)使其在新型陶瓷等領(lǐng)域有著廣闊的發(fā)展和應(yīng)用前景 ?!∩鲜?經(jīng)驗 原 則 叫 海格原 則 。( 2)鈦鐵礦( FeTiO3)型結(jié)構(gòu) (ABO3型 )( 3)纖鋅礦(六方 ZnS)型結(jié)構(gòu) 晶胞中含 8個碳原子。AB2O4型中: A和 B的總電價為 8。 正、負(fù)離子配位數(shù)比4∶4。Na+的配位數(shù)為 6,配位多面體構(gòu)型為八面體。第二規(guī)則 ( 電價規(guī)則 )例 1: NaCl晶體   r+ / r Na+Cl靜電鍵強度 s=1/6, 6個 Na+至 Cl的 諸鍵 強 之和正 好等于 Cl的 電 價數(shù)( 1)。Ca2+至 F的靜 電鍵 強 度: S=ZnS)型S2作面心立方 緊 密堆積 , Zn2+離子相 間 占據(jù)其中 1/2的四面體空隙( r+ / r ( 6)金剛石的結(jié)構(gòu)金 剛 石屬典型的原子晶體。A和 B兩正離子的 總 價數(shù)等于 Al2O3分子中兩個 鋁 離子的 總 價數(shù)( +6)。無機材料典型晶體結(jié)構(gòu)類型 間隙相和間隙化合物由過渡金屬元素和原子半徑小的 H、 N、 C、 B等元素形成的氫化物、氮化物、碳化物和硼化物等中,金屬原子作密堆積,而非金屬元素填入密堆積形成的空隙中,這類化合物稱為 間隙化合物或間隙相 。 ㎝? 硬度高 , 間 隙相具有比金屬高得多的硬度;? 熔點高 , 一般都在 2023℃ 以上 ;? 與金屬一 樣 , 電 阻率隨溫度的降低而降低 ;? 在溫度接近 OK時 ,已研究 過 的 間 隙相都具有超 導(dǎo)現(xiàn) 象 。如 VN 添加到鋼中能顯著提高鋼的強度。 正負(fù)離子配位數(shù)都是 4。合理的分布是 Al3+連續(xù) 占據(jù) 2個八面體空隙之后,有 規(guī)則 地 讓 第 3個空隙空著,并沿著三 維軸 向都是如此?!?舉例: Ⅲ - Ⅴ 和 Ⅱ - Ⅵ 族及 Ⅳ - Ⅳ 族化合物 如:立方 BN 、 AIP、 GaAS、 InSb、 β ZnS 、 β SiC, 組成這些化合物的 原子的平均價電子數(shù)目 與單質(zhì) C相同,應(yīng)具有金剛石形結(jié)構(gòu) (與立方 ZnS型相同 , 碳原子占據(jù)鋅離子和硫離子的位置 )。 Si4+- O2的靜 電鍵 強 度 為 4/4 = 1, O2電價為 2價, 每個 O2要與 2個 Si4+ 離子 鍵連 。   ( ii)過渡鍵型的金屬氧化物、硫化物及間隙型的碳化物和 氮化物。 ? ?Ca2+ F屬于 CaF2型結(jié)構(gòu)的化合物有: CaF2, CeO2,UO2, ZrO2, HfO2, BaF2, PbF2等。O2和半徑 較 大的正離子 A( Ca2+)呈面心立方密堆積 ,半徑 較 小的正離子 B( Ti4+)占據(jù)其中 1/4的八面體空隙。 O2六方密堆 積 , Fe2+和 Ti4+離子 規(guī)則 交替占據(jù)其中 2/3氧 八面體空隙。 ? 有金屬光 澤 ;? 有接近金屬的 導(dǎo)電 性 ; 如 Zr的 電 阻率 ρ=10 4Ω3. 3.  掌握間隙相和間隙化合物的含義 。根據(jù)金屬原子采用面心立方或密積六方結(jié)構(gòu)時,金屬原
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