【摘要】試卷二系別學號姓名成績考試課程模擬電子技術基礎考試日期2002年12月12日題號一二三四五六七八九總分分數得分核分人閱卷人
2025-05-31 12:20
【摘要】1第1章直流電路習題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點,求aV、b和cV;(2)選c為參考點,求aV、b和dV。圖習題電路圖解(1)當選d為參考點時,V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-13 09:08
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數載流子,空穴為少數載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數載流子為自由電子,少數載流子為空穴,不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【摘要】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數載流子為自由電子.少數載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內的多數載流子為空穴.少數載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36