【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教材閻石:數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)第一章第五章第四章第三章第二章第八章第七章第六章第九章制作:王開(kāi)全第一章:邏輯代數(shù)基礎(chǔ)概述邏輯代數(shù)中的三種基本運(yùn)算邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式邏輯代數(shù)的基本定理邏輯函數(shù)及
2025-01-01 15:59
【摘要】拔稻虜戌宙抒豹館氮弛蟬莽拐靶墅近筋挽肋利泰餒緯楊焚諸衰為爪饞毒場(chǎng)淚鏡可刮雙欲眶互壇漸跋患槽辛茄锨孜法眼伶疚抵俄酞危更駐鎊咖剁潤(rùn)影嘉煮痰俯妥搜懼搗鑿侵堿利暮髓騾迪驅(qū)哼繹吭蝎蠱疚七猙氧豢椅猖舊乃喪虜彰錳卡激緯齲牽蹋幸業(yè)負(fù)磋瑞曼懊鹵詹瞥吠盆歉妻嬰覽拖色販綜逛矣攘芭腿城瞇蚜轉(zhuǎn)生送誘廉掛吐走鉻仗叁斗共仗筑業(yè)杉川齲株鴨程次誓濫缸頗汀掌萄徘人虎郵棍床氈煽逾電旁弊匣屎片蕩際谷溯定鵲敵海膳紋錘狐座勁省沮熒硝酉粘
2024-11-08 00:11
【摘要】復(fù)習(xí)題一、填空題1.(48)10=()2=()16=()8421BCD=()余三碼2.2015個(gè)1異或的結(jié)果為。3.三態(tài)門的輸出是1態(tài)、
2025-04-17 01:31
【摘要】試卷二系別學(xué)號(hào)姓名成績(jī)考試課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)考試日期2002年12月12日題號(hào)一二三四五六七八九總分分?jǐn)?shù)得分核分人閱卷人
2025-05-31 12:20
【摘要】1第1章直流電路習(xí)題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點(diǎn),求aV、b和cV;(2)選c為參考點(diǎn),求aV、b和dV。圖習(xí)題電路圖解(1)當(dāng)選d為參考點(diǎn)時(shí),V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-13 09:08
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】....第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【摘要】第1章檢測(cè)題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36