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材料科學基礎試題庫答案(專業(yè)版)

2025-07-31 17:12上一頁面

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【正文】 3TiO23TiNb˙+VNb180。熔體在冷卻過程中發(fā)生何種相變取決于熔體組成和冷卻速率。:Mg2[SiO4],K[AISi3O8],CaMg[Si2O6], Mg3[Si4O10](OH)2,Ca2Al[AlSiO7]。答:高嶺石的陽離子交換容量較小,而蒙脫石的陽離子交換容量較大。所以由于晶型轉變速度不同,在不同的加熱或冷卻速率下,硅酸鹽制品中經常出現(xiàn)介穩(wěn)態(tài)晶相。 ? 解:兩種不同熱膨脹系數(shù)的晶相,在高溫燃燒時,兩個相完全密合接觸,處于一種無應力狀態(tài),但當它們冷卻時,由于熱膨脹系數(shù)不同,收縮不同,晶界中就會存在應力。? 解:硼反?,F(xiàn)象:隨著Na2O(R2O)含量的增加,橋氧數(shù)增大,熱膨脹系數(shù)逐漸下降。晶體SiO2—質點在三維空間做有規(guī)律的排列,各向異性。(b)(1)(2) (3) (4) 、Al2O3和Cr2O3,其正、。離子的電價因素只有離子價相同或復合替代離子價總和相同時,才可能形成連續(xù)置換型固溶體。 解:晶體結構中的點缺陷類型共分:間隙原子、空位和雜質原子等三種。 A、最低 B、最高 C、適中 0060 B 0067C 0096. BD 0120. B 四、簡答題。 ,相同物質小晶粒的溶解度會________大顆粒的溶解度。 ,則其電導率與氧分壓的________次方成反比。 B.+2 D.+1,晶體中總共有________種點缺陷基本形式。 ,每個氧離子最多和________個正離子連接。 特性。 。 種。 。 +反伸 +反映。這一過程并不依賴于初次再結晶過程;晶粒長大不是小晶粒的相互粘接,而是晶界移動的結果。熔體快速冷卻則變成玻璃體玻璃體。晶體結構網是由多面體無數(shù)次有規(guī)律重復構成,而玻璃中結構多面體的重復沒有規(guī)律性。0029.本征擴散與非本征擴散:由此點缺陷引起的擴散為本征擴散,主要出現(xiàn)了肖特基和弗蘭克爾點缺陷??s聚過程:分化過程產生的低聚化合物相互發(fā)生作用,形成級次較高的聚合物,次過程為縮聚過程。0004.空間點陣中的陣點,稱為結點。0013. 答:不對。0004.答:正確。( )0007.純液體在一定溫度下的蒸汽壓為定值。 0035.(1)屬非均相反應,參與反應的固相相互接觸是反應發(fā)生化學作用和物質輸送的先決條件。0004. 單形、聚形。 a. 穩(wěn)定分相 c. 成核長大分相 d. 旋節(jié)分相 ( c) 第二相組成不隨時間變化; ( a ) 分相區(qū)在液相線上; ( d ) 分相開始界面呈彌散狀,并逐漸明顯; ( c ) 分相后具有液滴狀孤立結構; ( c ) 分相速度慢; ( b ) 分相后的兩相均為熱力學介穩(wěn)相; ( c ) 有分相勢壘; ( d ) 分相時質點作負擴散;( d ) ( b ) 分相區(qū)在液相線下。,做無規(guī)則布朗運動的大量質點的擴散系數(shù)取決于質點的_________和遷移自由程r平方的乘積。硅酸鹽熔體或玻璃的電導主要決定于_________ 。,一晶面在晶軸X、Y、Z上的截距分別為2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指數(shù)是 。,當真實接觸角θ 時,粗糙度越大,表面接觸角 ,就越容易濕潤;當θ ,則粗糙度 ,越不利于濕潤。,若保持Na2O含量不變,用CaO置換部分SiO2后,電導_________。,它可憑下列方式推動物質的遷移:蒸發(fā)凝聚傳質,擴散傳質,流動傳質,溶解沉淀傳質。 -固相變中的非均勻成核是指_____________形成晶核的過程。(2)固相反應開始溫度遠低于反應物的熔點或系統(tǒng)低共熔點溫度。( )0008.純物質在一定溫度下,固、液、氣可以三相平衡共存。:不正確。 WAB=γA+γBγAB,粘附性越好,粘附功越大。0005.晶體定向就是在晶體中確定坐標軸(稱晶軸)及軸單位或軸率(軸單位之比)。 0017.網絡形成體、網絡中間體、網絡改性體網絡形成體:正離子是網絡形成離子,對應氧化物能單獨形成玻璃。由不等價離子造成晶格空位,由此引起的質點遷移稱為非本征擴散。0038.晶體場理論:認為在晶體結構中,中心陽離子與配位體之間是離子鍵,不存在電子軌道的重迭,并將配位體作為點電荷來處理的理論。0052.聚集的原子群超過一定尺寸能夠穩(wěn)定存在的最小的晶體顆粒半徑。其含義的核心是晶粒平均尺寸增加。 。 。 : 。 (高溫型)屬于________晶系。 。 ,Z=________。 ,熱缺陷生成能________ 。 ,則其電導率與氧分壓的________次方成正比。 。解:晶體的內部質點在三維空間作有規(guī)律的重復排列,兼具短程有序和長程有序的結構。在MX晶體中,間隙原子的表示符號為Mi或Xi;空位缺陷的表示符號為:VM或VX。電負性因素電負性相近,有利于固溶體的生成。Al2O3和Cr2O3形成連續(xù)固溶體。 SiO2熔體—內部結構為架狀,近程有序,遠程無序。當Na2O含量達到15%—16%時,橋氧又開始減少,熱膨脹系數(shù)重新上升,這種反常現(xiàn)象就是硼反?,F(xiàn)象。晶界中的應力大則有可能在晶界上出現(xiàn)裂紋,甚至使多晶體破裂,小則保持在晶界內。0026. 今有配料(1)3kg,配料(2)2kg,配料(3)5kg,若將此三配料混合加熱至完全熔融,試根據(jù)杠桿規(guī)則用作圖法求熔體的組成。因為高嶺石是1:1型結構,單網層與單網層之間以氫鍵相連,氫鍵強于范氏鍵,水化陽離子不易進入層間,因此陽離子交換容量較小。解:島狀;架狀;單鏈;層狀(復網);組群(雙四面體)。⑴ 結晶化:有序度不斷增加,直到釋放全部多余能量而使整個熔體晶化為止。180。+VCl˙ AgAg→Agi˙+VAg180。(內部條件)答:熔體在冷卻過程中,會出現(xiàn)三種相變過程:結晶化、玻璃化和分相。解:rMg2+與rCa2+不同,rCa2+ rMg2+,使CaO結構較MgO疏松,H2O易于進入,所以活潑。、蒙脫石陽離子交換容量差異的原因。而理論和實踐證明,在給定的溫度范圍,具有最小蒸汽壓的相一定是最穩(wěn)定的相。 化學吸附:伴隨有電子轉移的鍵合過程,這時應把吸附分子與吸附劑晶格作為一個統(tǒng)一的系統(tǒng)來處理。 (如Na2O)加到SiO2熔體中,使氧硅比增加,當O/Si≈~3時,即達到形成玻璃的極限,O/Si3時,則不能形成玻璃,為什么?解:在熔體結構中,O/Si比值對應著一定的聚集負離子團結構,如當O/Si比值為2時,熔體中含有大小不等的歪扭的[SiO2]n聚集團(即石英玻璃熔體);隨著O/Si比值的增加,硅氧負離子集團不斷變小,當O/Si比值增至4時,硅氧負離子集團全部拆散成為分立狀的[SiO4]4,這就很難形成玻璃。它們的結構有什么不同? 解:利用X—射線檢測。當然正確的判斷必須用固溶體密度測定法來決定。結構不同最多只能生成有限固溶體。試舉例寫出CaCl2中Ca2+置換KCl中K+或進入到KCl間隙中去的兩種點缺陷反應表示式。 ,密排的晶面表面能________。 。 。 表示帶________個電荷。 ,氧多面體中正離子配位數(shù)一般為________。 。 。 。 。 +反伸 +反映,映轉軸的對稱操作是。0063.在燒結中、后期,細小晶粒逐漸長大,而一些晶粒的長大過程也是另一部分晶粒的縮小或消失過程,其結果是平均晶粒尺寸增加。0051.熔體特指加熱到較高溫度才能液化的物質的液體,即較高熔點物質的液體。這種網絡是由離子多面體(三角體或四面體)構筑起來的。0028.穩(wěn)定擴散與不穩(wěn)定擴散:擴散過程中任一點濃度隨時間變化稱為不穩(wěn)定擴散。0016.分化過程:架狀[SiO4]斷裂稱為熔融石英的分化過程?;蚴潜硎揪w內部結構中質點重復規(guī)律 的幾何圖形。相反。正常長大是晶粒平均尺寸增加,反常長大是個別大晶粒尺寸異常增加。( )0006.純物質在一定壓力下的熔點是定值。0003. 31441230。、b、c、d分別填入各分相特點前的括號內。,兩相的化學勢相等但化學勢的________不相等,有相變潛熱,并伴隨有體積改變。 ,粘度越_________ 。、 、 、 、 和穩(wěn)定性。,隨著Na2O(R2O)含量的增加,橋氧數(shù) ,熱膨脹系數(shù)逐漸下降。-SiO2熔體中加入Al2O3(Na2O/Al2O31),熔體粘度_________。它的成核位壘隨接觸角q的_______而降低,當由0~900時,成核位壘DGK*與均勻成核位壘DGK的關系為___。0006. 1,均一性、異向性、對稱性、最小內能。(泰曼溫度)。( )0009.粉狀物料的表面能大于多晶燒結體的晶界能,這是燒結過程的推動力。兩個固相和一個液相。:不正確。0006.晶體常數(shù):晶軸軸率或軸單位,軸角。即凡氧化物的單鍵強度> 335kJ/mol者稱為網絡形成體,這類氧化物能單獨行成玻璃。0030.自擴散: 互擴散:0031.擴散系數(shù): 擴散通量:0032.配位數(shù):晶體結構中與一個離子直接相鄰的異號離子數(shù)。0039.配位場理論:除了考慮到由配位體所引起的純靜電效應以外,還考慮了共價成鍵的效應的理論。 0053.無化學位梯度、濃度梯度、無外場推動力,由熱起伏引起的擴散。三、 選擇題57: 0002.“材料科學”的概念是什么時候明確提出的: ,按照材料的使用,人類文明階段的順序為: ,石器時代,陶器時代,鐵器時代。 : +C +C +C +P: +C +P: +C +P(點群)可以劃分出________個晶族。 ,可得到________種空間群。 ,將有________個四面體空隙存在。 (金紅石)晶胞中有________套等同點。 。 ,氧多面體至少有________個頂角和相鄰氧多面體共有。 ,在固溶限度以內固溶體是________
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