【正文】 要具備理論教學(xué)的素質(zhì)，也應(yīng)具備實(shí)踐教學(xué)的素質(zhì)。利用各種各樣的題目，加深學(xué)生對(duì)已有知識(shí)的理解，或未知知識(shí)的補(bǔ)充。結(jié)合社會(huì)需求和學(xué)科發(fā)展情況，及時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)室設(shè)備與實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目。電力電子技術(shù)有很強(qiáng)的實(shí)踐性，而實(shí)踐教學(xué)是培養(yǎng)理論聯(lián)系實(shí)際、動(dòng)手能力、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度和科學(xué)研究方法的重要手段，因此應(yīng)精選最基本的也有較高實(shí)用價(jià)值的實(shí)踐教學(xué)項(xiàng)目。，以問(wèn)題為導(dǎo)向的教學(xué)模式有可能會(huì)導(dǎo)致學(xué)生對(duì)授課對(duì)象認(rèn)識(shí)不夠全面，從而背離最初的教學(xué)目標(biāo)。隨著薄片與超薄片加工工藝的發(fā)展，英飛凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片樣品，不久的未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化應(yīng)用。當(dāng)單管阻斷電壓進(jìn)一步提高，硅片的基區(qū)厚度就會(huì)急劇增加。在平面柵結(jié)構(gòu)中，電流流向與表面平行的溝道時(shí)，柵極下面由P阱區(qū)圍起來(lái)的一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）是電流的必經(jīng)之路，它成為電流通道上的一個(gè)串聯(lián)電阻。（2）第二代：采用緩沖層，精密控制圖形和少子壽命的平面柵穿通（PT）型外延襯底IGBT。IGBT中存在有寄生晶閘管—MOS柵控的n+pnp+晶閘管結(jié)構(gòu)，這就使得器件的最大工作電流要受到此寄生晶閘管閉鎖效應(yīng)的限制（采用陰極短路技術(shù)可以適當(dāng)?shù)販p弱這種不良影響）。應(yīng)根據(jù) IGBT 的電流容量和電壓額定值以及開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選取 Rg 的數(shù)值。因?yàn)樵谶@種情況下，IGBT過(guò)快的開(kāi)通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt，并且這種尖峰很難被吸收掉。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問(wèn)題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問(wèn)題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問(wèn)題更加明顯。當(dāng)器件的集電極電流IC 和集射電壓VCE均保持不變時(shí)，CGEI就是影響其導(dǎo)通延遲時(shí)間tdon的唯一因素。自IGBT商業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，其電壓范圍為600V—6500V，電流范圍為1A—3600A(140mm x 190mm模塊)。Status。內(nèi)容：（1）直流斬波器觸發(fā)電路調(diào)試（2）直流斬波器電路接電阻負(fù)載（3）直流斬波器電路接電感性負(fù)載單相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)?zāi)康模海?）加深理解單相交流調(diào)壓電路的工作原理（2）加深理解單相交流調(diào)壓電路帶電感性負(fù)載對(duì)脈沖及移相范圍的要求。（3）研究單相橋式變流電路逆變的全過(guò)程。內(nèi)容：（1）單相橋式全控整流帶電阻負(fù)載。第二篇：電力電子技術(shù)課程總結(jié)學(xué) 號(hào)：1111111111Hefei University功率變換技術(shù)課程綜述報(bào)告題目：IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)專(zhuān)業(yè)班級(jí)： XXXXXXXXXXXX 學(xué)生姓名： XXX 教師姓名： ZZZZZ老師 完成時(shí)間： 2017年5月14日IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)中 文 摘 要IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著電力電子技術(shù)理論研究和制造工藝水平的不斷提高, 電力電子器件在容易和類(lèi)型等方面得到了很大發(fā)展, 是電力電子技術(shù)的又一次飛躍, , 功率MOSFET 等自關(guān)斷全控型第二代電力電子器件。在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，為適應(yīng)全球降低CO2排放的戰(zhàn)略需要，IGBT必將扮演更為重要的角色，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)的重要支點(diǎn)。第三：第三階段從集電極電流達(dá)到最大值ICmax。 柵極驅(qū)動(dòng)電壓因IGBT柵極—發(fā)射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但 IGBT 的輸入電容較MOSFET大，所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET 驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。由于 IGBT 的開(kāi)關(guān)過(guò)程需要消耗一定的電源功率，最小峰值電流可由下式求出：IGP=△Uge/RG+Rg；式中△ Uge=+Uge+|Uge|；RG是IGBT內(nèi)部電阻；Rg 是柵極電阻。合理的柵極布線對(duì)防止?jié)撛谡鹗帲瑴p小噪聲干擾，保護(hù)IGBT正常工作有很大幫助：（1）布線時(shí)須將驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)和lGBT之間的寄生電感減至最低(把驅(qū)動(dòng)回路包圍的面積減到最小)；（2）正確放置柵極驅(qū)動(dòng)板或屏蔽驅(qū)動(dòng)電路，防止功率電路和控制電路之間的耦合；（3）應(yīng)使用輔助發(fā)射極端子連接驅(qū)動(dòng)電路；（4）驅(qū)動(dòng)電路輸出不能和 IGBT 柵極直接相連時(shí)，應(yīng)使用雙絞線連接；（5）柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。其中，最重要的還是不斷把“通態(tài)壓降—開(kāi)關(guān)時(shí)間”的矛盾處理到更為優(yōu)化的折衷點(diǎn)。再采用專(zhuān)門(mén)的擴(kuò)鉑與快速退火措施，以控制基區(qū)內(nèi)少數(shù)載流子壽命的較合理分布。（4）第四代：非穿通（NPT）型IGBT。五、發(fā)展趨勢(shì)IGBT作為電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件，各種新結(jié)構(gòu)、新工藝及新材料技術(shù)還在不斷涌現(xiàn)，推動(dòng)著IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展，其功耗不斷降低，工作結(jié)溫不斷升高，從125℃提升到了175℃并向200℃邁進(jìn)，并可以在芯片上集成體二極管，形成逆導(dǎo)IGBT(RCIGBT/BIGT)，無(wú)需再反并聯(lián)續(xù)流二極管，在相同的封裝尺寸下，可將模塊電流提高30%，還可以將電流及溫度傳感器集成到芯片內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)芯片智能化。參考文獻(xiàn)[1] 王兆安，黃俊電力電子技術(shù)[M].：機(jī)械工業(yè)出版社，2000.[2] [M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1992 [3] 周志敏，周紀(jì)海，北京：人民郵電出版社，[4] 劉國(guó)友, 羅海輝, IGBT芯片均勻性及其對(duì)可靠性的影響[J]，機(jī)車(chē)電傳動(dòng)，2013, (02)69第三篇：“電力電子技術(shù)”課程建設(shè)初探（定稿）摘要：《電力電子技術(shù)》是電氣工程及其自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)和自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課，也是主干課程，其課程建設(shè)應(yīng)適應(yīng)專(zhuān)業(yè)特點(diǎn)和學(xué)科建設(shè)的需要。實(shí)驗(yàn)作為課程教學(xué)中的重要部分，卻得不到應(yīng)有的重視，課時(shí)安排較少，實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目不充足，實(shí)驗(yàn)設(shè)備落后，難以體現(xiàn)《電力電子技術(shù)》的最新內(nèi)容，難以激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)熱情。通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)正在設(shè)計(jì)或者已經(jīng)存在的對(duì)象的模型進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真，有利于提高其精確度，重復(fù)性也較好。結(jié)合教學(xué)內(nèi)容的選取，積極編寫(xiě)與相關(guān)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的科技發(fā)展水平同步、適用于應(yīng)用型人才培養(yǎng)的教材，適當(dāng)?shù)卦黾庸こ虒?shí)踐性的教學(xué)內(nèi)容，減少數(shù)學(xué)理論公式的推導(dǎo)等。利用網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)這種全新的教學(xué)方式，可以彌補(bǔ)傳統(tǒng)課堂教學(xué)的不足，提供靈活的學(xué)習(xí)模式和大量豐富的學(xué)習(xí)資源，有利于培養(yǎng)學(xué)生自主學(xué)習(xí)能力，提高教學(xué)質(zhì)量。結(jié)合教師科研活動(dòng)，開(kāi)發(fā)綜合性、創(chuàng)新型實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，并帶動(dòng)學(xué)生科技活動(dòng)的蓬勃發(fā)展。參考文獻(xiàn)：[1]王兆安，[m].北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2008.[2]蔣偉，莫岳平.“電力電子技術(shù)”課程教學(xué)模式研究[j].電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào)，2013，35（1）：4446.[3]孔祥新，閆紹敏.“電力電子技術(shù)”課程教學(xué)改革探討[j].中國(guó)電力教育，2011，7（20）.[4]，促進(jìn)電力電子技術(shù)課程教學(xué)改革[c]//《第五屆全國(guó)高校電氣工程及其自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)教學(xué)改革研討會(huì)論文集（1），20080401.[5]，促進(jìn)《電力電子技術(shù)》課程教學(xué)改革[j].高教論壇，2009，（6）.基金項(xiàng)目：本文獲“北京信息科技大學(xué)2011課程建設(shè)項(xiàng)目”和北京市屬高等學(xué)校高層次人才引進(jìn)與培養(yǎng)三年行動(dòng)計(jì)劃（20132015年）青年拔尖人才培育計(jì)劃（citamp。通過(guò)這個(gè)學(xué)期的電力電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)，我覺(jué)的作為一名工科類(lèi)的學(xué)生，我深知自己的實(shí)踐能力仍十分欠缺，需要不斷的提高，而實(shí)驗(yàn)正是一個(gè)很好的機(jī)會(huì)能夠鍛煉我的動(dòng)手能力和思維創(chuàng)新能力，在學(xué)習(xí)及實(shí)驗(yàn)的同時(shí)我也學(xué)到了很多其他課程上沒(méi)有學(xué)到的知識(shí)?？傊?，我覺(jué)得我從電力電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)這門(mén)課中學(xué)到許多。1．2 整流（ACDC變換器）1．不可控整流電路相控整流電路相控有源逆變電路電壓型橋式PWM整流電路 整流的概念A(yù)CDC變換器是指將交流電能的電力電子裝置，而ACDC變換器的交流側(cè)一般連入電網(wǎng)或其他交流電源。如果DCAC變換器的交流輸出連接無(wú)源負(fù)載，則稱(chēng)這種DCAC變換器為無(wú)源逆變器；如果DCAC變換器的交流輸出連接電網(wǎng)，則稱(chēng)這種DCAC變換器為有源逆變。交流調(diào)功電路的工作原理、晶閘管投切電容器電路的工作特點(diǎn)相控式單相交交變頻器的電路構(gòu)成特點(diǎn)、工作原理、調(diào)壓方法；相控式三相交交變頻器的電路接線特點(diǎn)。無(wú)功功率補(bǔ)償?shù)鹊?。總之，這門(mén)課程我學(xué)會(huì)了很多知識(shí)，感謝老師的悉心教導(dǎo)以及同學(xué)們的幫助！四、電力電子的發(fā)展及其發(fā)展趨勢(shì)電力電子技術(shù)已經(jīng)成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)中的關(guān)鍵基礎(chǔ)性技術(shù)之一。變頻器及其控制集成于一體, 形成一個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品。電力牽引電力牽引正成為世界各國(guó)交通發(fā)展重點(diǎn)。電力電子技術(shù)是目前發(fā)展較為迅速的一門(mén)學(xué)科，是高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要基礎(chǔ)技術(shù)之一，是傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造的重要手