多晶硅生產(chǎn)中節(jié)能降耗探討(更新版)
【正文】 研究對(duì)象，選取不同供料與功率比值的爐次進(jìn)行對(duì)比，并對(duì)運(yùn)行結(jié)果進(jìn)行分析和總結(jié)。 第 1 頁(yè) 共 3 頁(yè) 多晶硅生產(chǎn)中節(jié)能降耗探討 摘要。還原工序生產(chǎn)過(guò)程如下：一定摩爾比的氫氣和三氯氫硅混合氣在一定壓力下通入到還原爐內(nèi)，在直徑 8~15mm、長(zhǎng) ~ 的導(dǎo)電硅芯上進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)生成多晶硅，硅棒表面溫度控制在 1050~1100℃ ，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后 第 2 頁(yè) 共 3 頁(yè) 長(zhǎng)成規(guī)定直徑的硅棒，反應(yīng)同時(shí)生成四氯化硅、二氯二氫硅及氯化氫等副產(chǎn)物。 參考文獻(xiàn)： [1]苗軍艦等 .西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的熱力學(xué) [j].無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)， 2024，（ 5）： 796.
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