【正文】 韓 良 17 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 PSub 襯底準備（ P型） ?光刻 n+埋層區(qū) ?氧化 ?n+埋層區(qū)注入 ?清潔表面 2/1/2023 韓 良 18 國際微電子中心 集成電路設計原理 PSub 工藝流程 （續(xù) 1） ?生長 n外延 ?隔離氧化 ?光刻 p+隔離區(qū) ?p+隔離注入 ?p+隔離推進 N+ N+ N N 2/1/2023 韓 良 19 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 （續(xù) 2） ?光刻硼擴散區(qū) PSub N+ N+ N N P+ P+ P+ ?硼擴散 ?氧化 2/1/2023 韓 良 20 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 （續(xù) 3） ?光刻磷擴散區(qū) ?磷擴散 ?氧化 PSub N+ N+ N N P+ P+ P+ P P 2/1/2023 韓 良 21 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 （續(xù) 4） ?光刻引線孔 ?清潔表面 PSub N+ N+ N N P+ P+ P+ P P 2/1/2023 韓 良 22 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 （續(xù) 5） ?蒸鍍金屬 ?反刻金屬 PSub N+ N+ N N P+ P+ P+ P P 2/1/2023 韓 良 23 國際微電子中心 集成電路設計原理 工藝流程 （續(xù) 6） ?鈍化 PSub N+ N+ N N P+ P+ P+ P P ?光刻鈍化窗口 ?后工序 2/1/2023 韓 良 24 國際微電子中心 集成電路設計原理 光刻掩膜版匯總 埋層區(qū) ?隔離墻 ?硼擴區(qū) ?磷擴區(qū) ?引線孔 ?金屬連線 ?鈍化窗口 GND Vi Vo VDD T R 2/1/2023 韓 良 25 國際微電子中心 集成電路設計原理 外延層電極的引出 歐姆接觸電極： 金屬與參雜濃度較低的外延層相接觸易形成整流接觸 （金半接觸勢壘二極管） 。不能代交！ 2/1/2023 韓 良 29 國際微電子中心 集成電路設計原理 167。 BiMOS工藝 CMOS工藝為基礎的 BiMOS工藝 2/1/2023 韓 良 54 國際微電子中心 集成電路設計原理 B E C NMOS PMOS N+ N+ N+ N+ P+ P+ P阱 P阱 NSUB 縱向 NPN 以 P阱 CMOS工藝為基礎的 BiCMOS器件剖面 B E C PMOS NMOS PSUB 縱向 NPN P N阱 N+ N+ P+ P+ N+ N+ N阱 以 N阱 CMOS工藝為基礎的 BiCMOS器件剖面 NPN的集電極接襯底 2/1/2023 韓 良 55