5光電子能譜分析(更新版)
【正文】 能量有關(guān)，而過程（3）則與化學(xué)位移有關(guān)。（ 2）釋放出的電子向固體表面移動；由于原子是處于物體內(nèi)部而不是孤立狀態(tài)，當(dāng)受激原子發(fā)射的電子脫離原來原子，就有從表面逸出的 可能性 ，當(dāng)光電子在固體內(nèi)移動，最終逸出固體表面以前所經(jīng)歷的距離是 電子逸出深度 ，它決定于電子能量和電子平均自由程。光電子逸出深度Xray BeamXray peration depth ~1?m.Electrons can be excited in this entire volume.Xray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire areaElectrons are extracted only from a narrow solid angle.1 mm210 nm2表面分析法所用的儀器主要有以下幾種：（ 1） 離子探針微區(qū)分析 （ IMMA）（注意與電子探針的區(qū)別）各種表面分析儀及其研究目的表面分析技術(shù)與普通光譜儀不同，它不是研究光與物質(zhì)的相互作用后所產(chǎn)生的光的特性，而是研究光（或粒子）與物質(zhì)相互作用后被激發(fā)出來的二次粒子（電子、離子）的能量，以達(dá)到所要獲得的結(jié)果。由于表面分析法的分析范圍有限（ 10個原子層的厚度以內(nèi)，即 10nm以內(nèi)），一般物質(zhì)的表面極易受到周圍環(huán)境的污染。 光電子能譜分析1表面分析法的特點發(fā)射源（信號）：俄歇電子 Electron Spectroscopy for Chemical Analysis ））如果 hν大于 該電 子的 結(jié) 合能 Eb，那么電 子就將脫離原來受束 縛 的能 級 。但是由于 X射線激發(fā)的深度比光電子逸出深度要大得多，使得從深度大于光電子自由程的那些原子所發(fā)射的光電子與樣品中自由電子發(fā)生非彈性碰撞，最后不能逸出，而被吸收掉。原子的反沖能量：而且不同的 X射線源引起的原子反沖能是不同的，它與 X射線源及受激原子的原子序數(shù)有關(guān)， Er隨原子序數(shù)的增大而減小。在光電子能譜儀中，常用 Al和 Mg作 X射線源（引起的原子反沖能很?。?Er可以忽略不計。表達(dá)式 變?yōu)?：（能量分配） 由于功函數(shù) Φ的引入， 僅測 定光 電 子的 動 能 Ek，并不能 計 算出 Eb， 還 需知 Φ，而 Φ是隨 樣 品而異的。KαhvUHV避免光電子與氣體分子碰撞的干擾。 作為 X射線光電子譜儀的激發(fā)源，希望其強(qiáng)度大、單色性好。spectrumMgand(4d,5s)3.和 3s即雙級電離過程：A*+=A可用電子激發(fā)，
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