【正文】 th) | |VGS| |VGS(th) |， ? 非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）數(shù)學(xué)模型 DSG S ( t h )GSOXnD )( VVVlWCI ?? ?? FET直流簡化電路模型 (與三極管相對(duì)照 ) ? 場效應(yīng)管 G、 S之間開路 ， IG?0。 VGS＜ 0時(shí)，隨著 VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至 ID=0。 若 | VUS | ? ? + VUS 耗盡層中負(fù)離子數(shù) ? 因 VGS不變（ G極正電荷量不變） ? ID ? VUS = 0 ID/mA VGS /V O 2V 4V 根據(jù)襯底電壓對(duì) ID的控制作用，又 稱 U極為 背柵極。 通常 ? =( ~ )V1 ? 截止區(qū) 特點(diǎn)： 相當(dāng)于 MOS管三個(gè)電極斷開。 數(shù)學(xué)模型： 此時(shí) MOS管可看成阻值受 VGS控制的線性電阻器： VDS很小 MOS管工作在非飽區(qū)時(shí)， ID與 VDS之間呈線性關(guān)系： ])(2[2 2DSDSG S ( t h )GSOXnD VVVVl WCI ??? ??????????? G S ( t h )GSOXnon1VVWClR?其中： W、 l 為溝道的寬度和長度。 ? 三極 管中多子、少子同時(shí)參與導(dǎo)電，故稱 雙極型器件。 ? 若 VDS ?→ 則 VGD ? → 近漏端溝道寬度 ? → Ron增大 。 JFET MOSFET MOS場效應(yīng)管 P溝道 （ PMOS） N溝道 （ NMOS） P溝道 （ PMOS） N溝道 （ NMOS） MOSFET 增強(qiáng)型 （ EMOS） 耗盡型 （ DMOS） N溝道 MOS管與 P溝道 MOS管工作原理相似，不同之處僅在于 它們形成電流的載流子性質(zhì)不同，因此導(dǎo)致加在各極上的電壓極性相反 。 2. 場效應(yīng)管是電壓控制器件。 2. 掌握?qǐng)鲂?yīng)管的符號(hào)、伏安特性和工作特點(diǎn)。 5. 制造方便，適合大規(guī)模集成。 ? VGS 0 (形成導(dǎo)電溝道 ) P P + N + N + S G D U VDS + + VGS ? N溝道 EMOS管 工作原理 柵 ?襯之間相當(dāng)于以 SiO2為介質(zhì)的平板電容器。 因此預(yù)夾斷后： P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A VDS ? → ID 基本維持不變。 共源組態(tài)特性曲線： ID= f ( VGS ) VDS = 常數(shù) 轉(zhuǎn)移特性： ID= f ( VDS ) VGS = 常數(shù) 輸出特性： ? 伏安特性 + T VDS IG?0 VGS ID + 轉(zhuǎn)移特性與輸出特性反映場效應(yīng)管同一物理過程，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ?? ?? 飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID只受 VGS控制，而與 VDS近似無關(guān)，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。 ? VDS??溝道 l ? ?對(duì)于 l 較小的 MOS管 ?擊穿。 不同之處： 電路符號(hào)中的箭頭方向相反。 ? NDMOS管 伏安特性 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =1V 1. 5V 1V 0. 5V 0V 0. 5V 1. 8V ID/mA VGS /V 0 VGS(th) VDS 0， VGS 正、負(fù)、零均可。 2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?S G D ID VGS S D G ID IG?0 ID(VGS ) + VBE(on) E C B IC IB IB ? + 小信號(hào)電路模型 ? MOS管簡化小信號(hào)電路模型 (與三極管對(duì)照 ) gmvgs rds g d s id vgs vds + + ? rds為 場效應(yīng)管 輸出電阻： ? 由于場效應(yīng)管 IG?0， 所以輸入電阻 rgs ??。因此用估算法分析場效應(yīng)管電路時(shí)，一定要注意自身特點(diǎn)。 此時(shí) Ron ?→ ID ?變慢 ? VDS對(duì)溝道的控制 （ 假設(shè) VGS 一定 ） N G S D + VGS P + P + VDS + 此時(shí) W近似不變 即 Ron不變 ? 當(dāng) VDS增加到使 VGD ?=VGS(off)時(shí) → A點(diǎn)出現(xiàn)預(yù)夾斷 ? 若 VDS 繼續(xù) ?→ A點(diǎn)下移 → 出現(xiàn)夾斷區(qū) 此時(shí) VAS =VAG +VGS =VGS(off) +VGS （恒定） 若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為 l 不變（即 Ron不變）。 VGS 越負(fù) ? 則 VGD 越負(fù) ? 相應(yīng)擊穿電壓 V(BR)DS越小 ? JFET轉(zhuǎn)移特性曲線 同 MOS管一樣， JFET的轉(zhuǎn)移特性也可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到 (略 )。 增強(qiáng)型： VGS 與 VDS 極性相同