內存相關知識總結(更新版)
【正文】 ） Samsung（三星） NEC Toshiba（東芝） Siemens（西門子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通） Hitachi（日立） TI（德州儀器） 內存主要廠商 ? SDRAM （以時鐘頻率來命名） ? PC100 ? PC133 ? DDR（ DDR/DDR2/DDR3以數(shù)據傳輸率命名，單位 MB/s） ? PC 1600〉 DDR200 (64bit 100MHz 2247。 ? DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。 ? SDRAM： Synchronous DRAM 同步動態(tài)隨機存儲器， 64位帶寬， 電壓。 ? RANK：處理器和內存能夠進行一次完整的數(shù)據讀取所需要的顆粒數(shù)目組成一個 RANK。 ? 啟動時鐘，在 VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT穩(wěn)定后至少 200us， CK/CK穩(wěn)定，執(zhí)行 NOP，并將 CKE=High。 ? BA0BA2：選擇所要激活的 BANK。 ? CS： RANK片選，每個 RANK對應一個獨立的 CS信號。 EEPROM Device Diagram： Pin Description： 其中 SDA/SCL為 SMBus總線 Device Type Identifier Chip Enable Bits R/W SPD Address b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 1 0 1 0 SA2 SA1 SA0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 A0 1 0 1 0 0 0 1 0 A2 1 0 1 0 0 1 0 0 A4 1 0 1 0 0 1 1 0 A6 SPD 地址 規(guī)定： Memory Device Identifier Number 為 1010 SPD相關技術文檔 EXAMPLE： 256M x16 DDR2 1 RANK Unbuffer DIMM Design x16 DDR2 2 RANK SODIMM Design x8 DDR2 4RANK Register DIMM Design 。 ? ODT： On Die Termination ，每個 RANK對應一個獨立的 ODT信號。 ? 激活 BANK之前，不能進行 Read/Write操作。 ? EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low， BA1=High) ? EMRS to EMR(3).(BA2=Low， BA0=BA1=High) ? EMRS— 〉 使能 DLL。 ? PAGE：在一個 RANK中，相同邏輯地址的 BANK（分屬于不同顆粒）同一行地址所包含的列的存儲單元數(shù)目稱為一個 PAGE。 ? DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。 ? DDR： Double Data Rate SDRAM 雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。如 64位處理器，一次完整的數(shù)據讀取分別需要 16個 x4， 8個 x8， 16個 x4的顆粒組成一個 RANK。 ? 400us后，執(zhí)行 Precharge All。 ? A0A15：確定所選擇 BANK的行地址。 ? CKE： 時鐘使能，每個 RANK對應一個獨立的 CKE信
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