壓力傳感器研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)(更新版)
【正文】 展的基礎(chǔ)上,又開(kāi)創(chuàng)性的研制出組合有壓電層的柔軟光學(xué)陣列觸覺(jué),陣列密度為2438tactels/ cm2 ,力靈敏1g ,結(jié)構(gòu)柔性很好,能抓握和識(shí)別雞蛋和鋼球,現(xiàn)已用于機(jī)器人分選物品[8 ] 。在室溫下,此壓力傳感器的靈敏度為20. 2muV/ VKPa。測(cè)量方法采用電容原理,基片上一電容CP 位于位移最大的膜片的中央,而另一參考電容CR 位于膜片的邊緣,由于邊緣很難產(chǎn)生位移,電容值不發(fā)生變化,CP 的變化則與施加的壓力變化有關(guān),膜片的位移和壓力之間的關(guān)系是線(xiàn)性的。 2 壓力傳感器國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 從世界范圍看壓力傳感器的發(fā)展動(dòng)向主要有以下幾個(gè)方向。此階段最小尺寸大約為1cm。除此以外,還廣泛應(yīng)用于水利、地質(zhì)、氣象、化工、醫(yī)療衛(wèi)生等方面。因此對(duì)于從事現(xiàn)代測(cè)量與自動(dòng)控制專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員必須了解和熟識(shí)國(guó)內(nèi)外壓力傳感器的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)?！ ?3) 商業(yè)化集成加工階段(1970 1980 年) :在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)[4 ] ,主要有V 形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。這種敏感元件已被應(yīng)用與臨床醫(yī)學(xué),用來(lái)測(cè)擴(kuò)張冠狀動(dòng)脈導(dǎo)管氣球內(nèi)的壓力?！ ?. 3 耐高溫壓力傳感器 新型半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC) 的出現(xiàn)使得單晶體的高溫傳感器的制作成為可能。Hachol ,Andrzej 。 (2) 集成化壓力傳感器已經(jīng)越來(lái)越多的與其它測(cè)量用傳感器集成以形成測(cè)量和控制系統(tǒng)。
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