星形mpcvd裝置上制備類金剛石薄膜的研究(更新版)
【正文】 實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的批量化生產(chǎn)；化學(xué)氣相沉積法對設(shè)備的要求不高，容易實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的批量化生產(chǎn)，但目前在類金剛石薄膜的制備工藝方面還存在一些問題有待解決，尚未實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的工業(yè)化。而類金剛石薄膜的沉積溫度一般在 300 ℃ 左右，如何獲得如此低溫的穩(wěn)定等離子體成為類金剛石薄膜制備方面的一個較大難題； ? MPCVD裝置應(yīng)用的局限性。 星形 MPCVD裝置主腔體部分的模擬圖片 P=5kPa P= P 星形 MPCVD裝置在不同反應(yīng)氣壓下的放電模擬 裝置介紹 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 該星形微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置具有如下特點(diǎn)： 1. 該裝置有多個微波源同時工作，反應(yīng)腔體大，等離子體放電區(qū)域大，可以實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的一次多片沉積，使類金剛石薄膜的大批量生產(chǎn)成為可能； 2. 由于是多個微波源同時向腔體內(nèi)輸入微波，在該裝置上可以獲得較低溫度的等離子體，可以實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的低溫沉積。 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 后期工作計劃 1 進(jìn)行放大實(shí)驗(yàn)，在該裝置上進(jìn)行一次多片類金剛石薄膜的沉積研究； 2 試驗(yàn)在普通玻璃上進(jìn)行類金剛石薄膜的沉積，實(shí)現(xiàn)在更低溫度下沉積 DLC薄膜； 3 對該 MPCVD裝置諧振腔中的電磁場分布進(jìn)行計算機(jī)模擬，對其中的電磁場分布進(jìn)行更深入的了解； 4 對反應(yīng)腔體內(nèi)的等離子體強(qiáng)度進(jìn)行診斷，測量不同區(qū)域的等離子體強(qiáng)度； 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 謝謝大家！
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