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高二化學(xué)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元-易錯(cuò)題專題強(qiáng)化試卷學(xué)能測試(更新版)

2025-04-05 04:45上一頁面

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【正文】 和含有孤電子對的原子之間易形成配位鍵,Zn2+提供空軌道、CN中C原子提供孤電子對而形成配位鍵,提供孤電子對的成鍵原子是C原子;(5)①ZnS和金剛石晶胞的相似性,S2形成的是正四面體結(jié)構(gòu),則Zn2+填在了S2+形成的正四面體空隙中;②取1mol晶胞,則有NA個(gè)晶胞,設(shè)晶胞參數(shù)為acm,則一個(gè)晶胞的體積為V=a3cm3,對于立方晶胞,頂點(diǎn)粒子占,面心粒子占,內(nèi)部粒子為整個(gè)晶胞所有,則一個(gè)ZnS晶胞中,含有Zn的數(shù)目為8+6=4,含有S的數(shù)目為4,因此1molZnS的質(zhì)量為m=4(65+32)g=388g,已知晶體的密度為dg/cm3,則有d==g/cm3,解得:a=cm=pm。故答案為:硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點(diǎn)高;硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點(diǎn)比較低;(7)由氫鍵的形成條件及成鍵元素(N、O、F、H)可知,本題中嵌入某微粒分別與4個(gè)N原子形成4個(gè)氫鍵,由成鍵元素及數(shù)目可知為NH4+。故答案為:第四周期第ⅠB族;(2)氨分子中有孤電子對,孤電子對對成鍵電子對作用力大,NH3和[Cu(NH3)2]2+中HNH鍵角的大?。篘H3<[Cu(NH3)2]2+,理由:因?yàn)镹H3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大。Fe3O4中有一半的Fe3+填充在正四面體空隙中,另一半Fe3+和Fe2+填充在正八面體空隙中,則Fe3O4晶體中,正四面體空隙數(shù)與O2數(shù)之比為_____,有_____%的正八面體空隙沒有填充陽離子。11.現(xiàn)有A、B、C、D、E、F 原子序數(shù)依次增大的六種元素,它們位于元素周期表的前四周期。12 g的石墨烯中由C原子連接成的六元環(huán)的物質(zhì)的量約為________mol。(5)金屬鉬晶體中的原子堆積方式如圖所示,這種堆積方式為_________堆積。(6)苯胺( )的晶體類型是_________。8.Ⅰ、Cu2O 廣泛應(yīng)用于太陽能電池領(lǐng)域。(5)①金屬鎳的原子堆積方式如圖所示,則金屬鎳晶胞俯視圖為_______。有助于更好理解磁性 與非常規(guī)超導(dǎo)性之間的聯(lián)系。鐵晶體中粒子之間作用力類型是_____。(3)常用丁二酮肟來檢驗(yàn)Ni2+,反應(yīng)如下:Ni2+(aq)+2 2H+(aq)①1個(gè)二(丁二酮肟)合鎳(Ⅱ)中含有_________________個(gè)配位鍵。(5)Zn與S形成某種化合物的晶胞如圖所示。(4)R的晶體密度為d g回答下列問題:(1)氮原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為_____________。已知阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,銅、金的摩爾質(zhì)量分別為M(Cu)、M(Au),該晶體的密度為______g/cm3;氫原子可以進(jìn)入到銅原子和金原子構(gòu)成的四面體的空隙中,該材料儲(chǔ)滿氫后的化學(xué)式為______。(3)銅金合金是一種儲(chǔ)氫材料,晶胞參數(shù)anm,面心立方堆積,銅原子在晶胞的面心位置,金原子在晶胞的頂點(diǎn)位置。 + 2.我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用R代表)。③圖(b)中虛線代表氫鍵,其表示式為(NH4+)N?H…Cl、____________、____________。(4)[Zn(CN)4]2中Zn2+與CN-之間的化學(xué)鍵稱為_________,提供孤電子對的成鍵原子是________。③中含有σ鍵的數(shù)目為__________;已知NF3比NH3的沸點(diǎn)小得多,試解釋原因________________________________________。(4)石墨烯限域單原子鐵能活化CH4分子中的CH鍵,導(dǎo)致C與H之間的作用力_____ (“減弱”或“不變”)。6.2018年11月《物理評論快報(bào)》報(bào)道了艾姆斯實(shí)驗(yàn)室制造的包含鈣、鉀、鐵和砷以及少量鎳的CaK(Fe1xNix)4As4新型化合物材料,呈現(xiàn)出被稱為刺猬自旋新磁態(tài)。(4)Ni與Ca處于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)均比金屬Ca的高,其原因?yàn)開______。(4)偏鈦酸鋇的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,則偏鈦酸鋇的化學(xué)式為___;與Ba2+最近且等距離的O2為___個(gè)?;卮鹣铝袉栴}:(5)在周期表中,與 Li 的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是___,該元素基態(tài)原子核外 M層電子的自旋狀態(tài)_______(填“相同”或“相反”)。(4)鉬的一種配合物化學(xué)式為:Na3[Mo(CN)8]?8H2O,其中除共價(jià)鍵、配位鍵以外還存在的作用力有_____________,其中配體離子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_________。②下圖為單層石墨烯的結(jié)構(gòu)示意圖。(3)與空間構(gòu)型相似,但性質(zhì)不同:前者不易與水反應(yīng),但后者與水劇烈反應(yīng),生成兩種酸和一種氣體,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:__________________________。(6)Fe3O4晶體中,O2的重復(fù)排列方式如圖所示,該排列方式中存在著由如7的O2圍成的正四面體空隙和12的O2圍成的正八面體空隙。的晶體類型為 ______ 請用平衡移動(dòng)原理解釋的原因 ______ .【參考答案】***試卷處理標(biāo)記,請不要?jiǎng)h除一、物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合性考察1.第四周期第ⅠB族 < 因?yàn)镹H3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大 H8Cu3Au 平面正三角形解析:第四周期第ⅠB族 < 因?yàn)镹H3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大 H8Cu3Au 平面正三角形 CO32 硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點(diǎn)高;硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點(diǎn)比較低 c 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.(1)銅元素在周期表的位置是第四周期第ⅠB族。故答案為:平面正三角形 ;CO32 ;(6)硫酸和硝酸都是常見的強(qiáng)酸,但性質(zhì)差異明顯,從氫鍵的角度解釋原因:硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點(diǎn)高;硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點(diǎn)比較低。3d10) 4 N>O>C 3:1 sp2 HCHO與水分子間存在氫鍵 配位鍵 C 正四面體 【解析】【分析】(1)Zn位于周期表中第4周期第ⅡB族,C的基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p2;(2)C、O、N元素都是第二周期非金屬元素,同一周期元素自左而右第一電離能呈增大趨勢,但N元素原子2p能級是半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,據(jù)此答題,單鍵為σ鍵,三鍵中一根為σ鍵,兩根為π鍵;(3)利用甲醛中的成鍵來分析碳原子的雜化類型,HCHO極易與水互溶,考慮形成氫鍵;(4)含有空軌道和含有孤電子對的原子之間易形成配位鍵,提供孤電子對的成鍵原子是C原子;(5)①ZnS和金剛石晶胞的相似性,根據(jù)立體幾何分析Zn2+在S2中的填隙方式;②根據(jù)晶體密度公式d=計(jì)算,其中z為一個(gè)晶胞的粒子數(shù),Mr為一個(gè)粒子的相對質(zhì)量,V為一個(gè)晶胞的體積。晶胞體積計(jì)算。 【解析】【分析】(1)Cu原子失去4s能級上1個(gè)電子、3d能級上1個(gè)電子生成銅離子,據(jù)此書寫該基態(tài)離子核外電子排布式;(2)SO42中S原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)且不含孤電子對,根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷該微??臻g構(gòu)型;該配離子中Cu2+提供空軌道、O原子提供孤電子對形成配位鍵;(3)中3號C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4,6號碳原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3,根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型;抗壞血酸中羥基屬于親水基,增大其水解性;(4)該晶胞中白色球個(gè)數(shù)、黑色球個(gè)數(shù)為4,則白色球和黑色球個(gè)數(shù)之比=2:4=1:2,根據(jù)其化學(xué)式知,白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子;(5)根據(jù)元素周期表和對角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相似的是鎂,鎂的M層電子數(shù)是2,占據(jù)s軌道,s軌道最多容納2個(gè)電子,所以自旋方向相反;(6)大多數(shù)有機(jī)物都是分子晶體,除了一部分有機(jī)酸鹽和有機(jī)堿鹽是離子晶體?!驹斀狻?1)①碳原子的核電荷數(shù)為6,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為,則基態(tài)碳原子的電子排布式為1s22s22p2;C與相鄰C形成3個(gè)CC鍵,沒有孤對電子,雜化方式均為sp2;②每個(gè)碳原子形成3個(gè)碳碳鍵,每個(gè)碳碳鍵為2個(gè)碳原子共用,故每碳原子單占有的共價(jià)鍵為=,則碳原子和碳碳鍵的個(gè)數(shù)比是1:=2:3,每個(gè)碳原子為3個(gè)六元環(huán)共用,1個(gè)六元環(huán)含有2個(gè)碳原子,12g碳的物質(zhì)的量為1mol,;③a.石墨烷的分子通式為(CH)n,不滿足烷烴的分子通式CnH2n+2,則不屬于烷烴,故a錯(cuò)誤;b.石墨烷屬烴類,均難溶于水,故b正確;c.石墨烷中所有碳原子均為sp3雜化,則所有碳原子不可能共平面,故c錯(cuò)誤;d.石墨烷中不存在碳碳雙鍵,不可以發(fā)生加成反應(yīng),故d錯(cuò)誤;故答案為b;④a.加熱晶體脫除制得石墨烯,有新物質(zhì)生成,是化學(xué)變化,故a錯(cuò)誤;b.加熱晶體脫除制得石墨烯,發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiC=Si+C,屬分解反應(yīng),故b正確;c.反應(yīng)中碳、硅元素化合價(jià)發(fā)生變化,屬于氧化還原反應(yīng),故c正確;故答案為b、c;(2)晶體硅為原子晶體,SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅類似,則SiC的晶體類型為原子晶體;晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)SiC鍵,則晶體中Si原子與SiC鍵的數(shù)目之比為1:4;(3)SiHCl3與水劇烈反應(yīng),生成的兩種酸應(yīng)該是H2SiO3和HCl,結(jié)合元素的化合價(jià)升降,同時(shí)生成的氣體為H2,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑。濃鹽酸與二氧化錳反應(yīng)產(chǎn)生氯氣,氯氣是有毒氣體,要保持通風(fēng),避免中毒,反應(yīng)方程式為:濃;答案為:濃;碳酸錳在空氣中灼燒時(shí)有氧氣參與反應(yīng),同時(shí)生成二氧化碳,反應(yīng)的方
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