【正文】 1個(gè)C－C，和1個(gè)C≡N，所有的單鍵均為σ鍵，三鍵中有1個(gè)σ鍵，則一共有4+1=5個(gè)σ鍵；(3)同主族元素中F原子的半徑最小，且電負(fù)性最大，吸引電離能力強(qiáng)，被吸引的電子距離原子核近，與F原子自身的電子的排斥較大，造成第一電子親合能減??；(4) 溴化亞銅晶胞中，4個(gè)Cu均為該晶胞所有，8個(gè)頂點(diǎn)的Br分別為8個(gè)晶胞所有，6個(gè)面心的Br分別為2個(gè)晶胞所有，則1個(gè)晶胞中含有，可知化學(xué)式為CuBr；①根據(jù)圖示，與Cu相連的Br有4個(gè)，Cu的配位數(shù)4，根據(jù)化學(xué)式CuBr，可知Br的配位數(shù)也是4；②晶體的密度計(jì)算，CuBr的摩爾質(zhì)量為144g3．[Ar]3d104s1 sp3 與水分子間形成氫鍵 sp2 90NA 4 V形 【解析】【分析】有A、B、C、D、E、F六種元素，A解析：[Ar]3d104s1 sp3 與水分子間形成氫鍵 sp2 90NA 4 V形 【解析】【分析】有A、B、C、D、E、F六種元素，A是周期表中原子半徑最小的元素，則A為H元素；B是電負(fù)性最大的元素，則B為F元素；C的2p軌道中有三個(gè)未成對(duì)的單電子，則C原子核外電子排布為1s22s22p3，則C為N元素；F原子核外電子數(shù)是B與C核外電子數(shù)之和，則F原子核外電子數(shù)為9+7=16，則F為S元素；E能形成紅色（或磚紅色）的E2O和黑色的EO兩種氧化物，則E為Cu元素；D與B可形成離子化合物，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中F原子數(shù)目為8，D原子數(shù)目為，故化學(xué)式為DF2，D為+2價(jià)，D是主族元素且與E同周期，處于第四周期，則D為Ca元素，據(jù)此解答。②已知TiO2晶胞參數(shù)分別為anm、bnm和m，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA，則TiO2的密度為_(kāi)___________gFe3O4晶胞中有8個(gè)圖示結(jié)構(gòu)單元，則該晶胞參數(shù)a=______pm。B元素含有3 個(gè)能級(jí)，且毎個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同；D的原子核外有8個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3，且E元素的基態(tài)原子有4個(gè)未成對(duì)電子。①、－195℃、℃，其主要原因是_________________；②CH4 和HCHO比較，鍵角較大的是_________，主要原因是_____________。（4）兩種非金屬元素中，非金屬性較強(qiáng)的元素是_______（寫元素符號(hào)），試寫出一個(gè)能說(shuō)明這一事實(shí)的化學(xué)方程式______________________________。①高氯酸的酸性強(qiáng)于次氯酸的原因是___。8．高氯酸三碳酰肼合鎳{[Ni(CHZ)3](ClO4)2}是一種新型的起爆藥。7．新型超高能材料是國(guó)家核心軍事力量制高點(diǎn)的重要標(biāo)志，高性能炸藥BNCP的結(jié)構(gòu)如圖，回答下列問(wèn)題：（1）BNCP中Co3+的基態(tài)價(jià)層電子軌道表示式是__，Co3+的配位數(shù)是__，陰離子ClO4的中心原子雜化類型是__。H2O晶體的原因是__。cm3。5．溴、銅及其化合物用途非常廣泛。（3）配位化學(xué)創(chuàng)始人維爾納發(fā)現(xiàn)，將1mo1CoC13(2)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。的電子排布式為_(kāi)____________，基態(tài) C原子核外電子占據(jù)_____個(gè)不同原子軌道。(4)[Zn(CN)4]2中Zn2+與CN－之間的化學(xué)鍵稱為_(kāi)________，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是________。(4)晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a= pm(1pm=1012m)，其密度為_(kāi)______g（4）某稀土元素M的氧化物晶體為立方晶胞，其結(jié)構(gòu)如圖所示，圖中小球代表氧離子，大球代表M離子。①配合物[Cu(CH3CN)4]BF4中，與銅形成配位鍵的原子是___，BF4的空間構(gòu)型是___，與BF4互為等電子體的分子有___(任寫一種)。(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值)6．我們利用物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)對(duì)周期表進(jìn)行研究，有助于我們更好地掌握同類知識(shí)。已知A微粒與CCl4具有相同的空間構(gòu)型和相似的化學(xué)鍵特征，則A為_(kāi)_，B為_(kāi)_。（4）比較、的沸點(diǎn)并說(shuō)明理由：__。（3）①ClO4的VSEPR模型是___。9．短周期元素W、X、Y和Z的原子序數(shù)依次增大。我國(guó)科學(xué)家經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的努力，研制成功一系列石墨烯限域的3d過(guò)渡金屬中心(Mn、Fe、Co、Ni、Cu)催化劑材料，在室溫條件下以H2O2為氧化劑直接將甲烷氧化成C1（只含一個(gè)C原子）含氧化合物，被業(yè)內(nèi)認(rèn)為是甲烷化學(xué)領(lǐng)域的重要突破。(5)鈷晶胞和白銅(銅鎳合金)晶胞分別如圖圖2所示。A．二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點(diǎn)SiO2＞CO2B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜FC．N2與CO為等電子體，結(jié)構(gòu)相似，化學(xué)性質(zhì)相似D．穩(wěn)定性：H2O＞H2S，原因是水分子間存在氫鍵（3）某化合物與F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合價(jià)為＋1)結(jié)合形成如圖所示的離子，該離子中碳原子的雜化方式是______。(2)TiOTiCl4和TiBr4的熔點(diǎn)如下表所示，解釋表中鈦的化合物熔點(diǎn)存在差異的原因_________。3d10） 4 N＞O＞C 3:1 sp2 HCHO與水分子間存在氫鍵 配位鍵 C 正四面體解析：1s22s22p63s23p63d10（或[Ar]5．3d104s24p5 N 正四面體 CCl4(或SiF4等） sp3和sp 5 氟元素的原子半徑非常小，電子云擁擠，電子間的相互排斥力很大，導(dǎo)致原元素的第一電子親解析：3d104s24p5 N 正四面體 CCl4(或SiF4等） sp3和sp 5 氟元素的原子半徑非常小，電子云擁擠，電子間的相互排斥力很大，導(dǎo)致原元素的第一電子親合能減小 4 【解析】【分析】(1)溴是35號(hào)元素，根據(jù)構(gòu)造原理寫出核外電子排布式；(2)①配位化合物的形式是一方提供空軌道，另一方提供孤電子對(duì)。6．sp3雜化 NOS 正四面體 離子鍵、共價(jià)鍵和配位鍵 乙醇分子極性比水分子極性弱，加入乙醇降低溶劑的極性，從而減小溶質(zhì)的溶解度 PCl4+ PCl6解析：sp3雜化 NOS 正四面體 離子鍵、共價(jià)鍵和配位鍵 乙醇分子極性比水分子極性弱，加入乙醇降低溶劑的極性，從而減小溶質(zhì)的溶解度 PCl4+ PCl6 【解析】【分析】(1)基態(tài)砷原子中，4p軌道的3個(gè)電子要分占不同的軌道并且自旋狀態(tài)相同；由雌黃分子結(jié)構(gòu)示意圖可知，每個(gè)砷原子與3個(gè)硫原子形成3個(gè)σ鍵，由于其價(jià)電子數(shù)是5個(gè)，所以該分子中砷原子有1個(gè)孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4；（2）一般非金屬性越強(qiáng)的元素的第一電離能也越大；SO42的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，孤對(duì)電子數(shù)為0，空間構(gòu)型為正四面體；[Cu(NH3)4]SO4cm－3，故答案為：。8．電負(fù)性O(shè)＞C，O原子不易提供孤電子對(duì) 8NA 正四面體 CCl4 sp3 sp2 非羥基氧的個(gè)數(shù)越多，Cl的正電性越高，導(dǎo)致Cl﹣O﹣H中O的電子越向Cl解析： 電負(fù)性O(shè)＞C，O原子不易提供孤電子對(duì) 8NA 正四面體 CCl4 sp3 sp2 非羥基氧的個(gè)數(shù)越多，Cl的正電性越高，導(dǎo)致Cl﹣O﹣H中O的電子越向Cl偏移，越容易電離出H+ 6 【解析】【分析】(1)Ni元素原子核外有28個(gè)電子，原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d84s2；(2)電負(fù)性越大，原子越不易提供孤電子對(duì)；Ni原子形成的4個(gè)配位鍵屬于σ鍵，CO與N2互為等電子體，CO分子結(jié)構(gòu)式為C≡O(shè)，CO分子中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵；(3)①1molClO4﹣離子中有4molσ鍵；②原子總數(shù)相同、價(jià)層電子對(duì)總數(shù)相等的粒子互為等電子體；(4)碳酰肼中氮原子有一對(duì)孤電子對(duì)且形成3個(gè)σ鍵，碳原子形成3個(gè)σ鍵；(5)①非羥基氧數(shù)目越多，中心元素的正電性越高，越容易電離出離子；②以頂點(diǎn)Ni2+為參照，其周圍等距且最近的氧離子處于棱心；由Ni2+距離最近的O2﹣之間的距離可計(jì)算晶胞參數(shù)，由晶胞參數(shù)計(jì)算晶胞體積V，由均攤法計(jì)算晶胞中Ni2+和O2﹣的數(shù)目，可計(jì)算晶胞質(zhì)量m，根據(jù)晶體密度ρ＝計(jì)算。 減弱； 金屬鍵； CH3OH、HCOOH中存在氫鍵，CH3OH中氫鍵較弱，而HCHO只存在范德華力； HCHO CH4構(gòu)型為正四面體，鍵角為109。；(4)由于Co(H2O)62+帶2個(gè)正電荷，Co(H2O)63+帶3個(gè)正電荷，后者對(duì)電子的吸引能力較大；所以分裂能前者小于后者；(5) ①鈷晶胞堆積方式的名稱為六方最密堆積；②由圖可知，白銅晶胞中含有Ni原子1個(gè)，Cu原子3個(gè)，根據(jù)密度公式 ，可得出 ，所以兩個(gè)面心上銅原子最短核間距為pm