新課標(biāo)人教版3-1選修三36帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)同步試題9(完整版)
【正文】 C、磁場(chǎng)區(qū)域的圓心坐標(biāo)為（2,23 LL） D、電子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心坐標(biāo)為（ L2,0? ） A C B 圖 12 二、 計(jì)算題 1 一段粗細(xì)均勻的導(dǎo)體長(zhǎng)為 L，橫截面積為 S，如圖所示， 導(dǎo)體單位體積內(nèi)的 自由電子數(shù)為 n，電子電量為 e，通電后，電子定向運(yùn)動(dòng)的速度大小為 v 。利用霍爾效應(yīng)制成的元件稱為霍爾元件， 霍爾元件可以制成多種傳感器。 (2)當(dāng)導(dǎo)體中的電子達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí) f Ee?洛 即 UeBv eb? 又 ∵ I ne sv ne bd v?? ∴ IBU ned? 減小霍爾元件的厚度 d ，可以有效提高霍爾電壓 (U 的大小與 a、 b 無(wú)關(guān) )。 x y B E ? P 0 BIMNE Fabd圖 20 江蘇省黃橋中學(xué)高二物 理校本練習(xí)二 答案 一、 選擇題 CD AC C D B B A A AC ABC 1 A 1 B 1 BC 1 解：（ 1）導(dǎo)體中電流大?。?I=q/t 取 t時(shí)間，該時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)體某一截面的自 由電子數(shù)為 nSVt 該時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)體該截面的電量為 nSVte 代入上式得： I=q/t= nSVe （ 2）該導(dǎo)體處于垂直于它的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中所受到的 安培力： F=ILB 又 I= nSVe代入上式得： F=BneSVL 安培力是洛倫茲力的宏觀表現(xiàn)，即某一自由電子所受的洛倫茲力 f=F/N 式中 N為該導(dǎo)體中所有的自由電子數(shù) N=nSL 由以上幾式得： f=eVB 1 Bemvx ?sin2? Bemt ?2? 1 ??? c ot。 （ 2）若再在垂直導(dǎo)體的方向上加一個(gè)空間足夠大的 勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為 B，試根據(jù)導(dǎo)體所受安培力推導(dǎo)出導(dǎo)體中某一自由電子所受的洛倫茲力大小的表達(dá)式。 江蘇省黃橋中學(xué)高二物理校本練習(xí)二 一、 選擇題 如圖所示，質(zhì)量為 m、電荷量為 q的帶正電的物體在絕緣的水平面上向左運(yùn)動(dòng)，物體與地面間的動(dòng)摩擦因素為 μ，整個(gè)裝置放在磁感強(qiáng)度為 B 方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中．設(shè)某時(shí)刻物體的速率為 v，則下列敘述中正確的是 ( ) A．物體速率由 v 減小到零通過(guò)的位移等于)(2Bqmgm ?? ?? B．物體速率由 v 減小到零通過(guò)的位移大于)(2Bqmgm ?? ?? C．如果再加一個(gè)方向水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng)，物體有可能做勻速運(yùn)動(dòng) D．如果 再加一個(gè)方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)，
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