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基于多功能單片學(xué)習(xí)機(jī)的nand_flash驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)(完整版)

2025-08-29 15:01上一頁面

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【正文】 0 D 77 4 H C 1 3 8 圖 31 基于多功能單片學(xué)習(xí)機(jī)的 NAND FLASH驅(qū)動(dòng)的總體方案 NAND FLASH 擴(kuò)展板硬件電路設(shè)計(jì) NAND FLASH 接口電路 K9F1208U0B 是由 131072 行(頁) *528 列構(gòu)成。 CLEmand latch enable CLE 輸入控制了發(fā)送到命令寄存器的命令。 NAND Flash 控制器在其專用寄存器區(qū) ( SFR)地址空間中映射有屬于自己的特殊功能寄存器 , 就是通過將 NAND Flash 芯片的內(nèi)設(shè)命令寫到其特殊功能寄存器中 , 從而實(shí)現(xiàn)對(duì) NAND Flash 芯片讀、檢驗(yàn)和編程控制。具體一片 flash上有多少個(gè) Block視需要所定。 page, 頁號(hào) 。 0x ff) 。 / * 讀取該頁的 OOB 塊 * / / * 取消 NAND Flash 選中 * / NF_nFCE_H( ) 。 buff er, 指向內(nèi)存中待寫入 NAND Flash 中的數(shù)據(jù)起始位置 。 0x ff) 。 / * 結(jié)束寫命令 * / WAITRB( ) 。 參數(shù)說明 : block, 塊號(hào) 。 NF_ADDR( ( block Page 8)amp。 return 0。 (TO),(T1), (WR,(RD)可正常使用。 存儲(chǔ)器寫失敗錯(cuò)誤,一般情況是存儲(chǔ)器寫保護(hù)引起,如果系統(tǒng)配置的是EEPROM 而且沒有寫保護(hù),則可 能是 EEPROM 損壞。 第參考文獻(xiàn) 34 參考文獻(xiàn) [1] Yang S, Chen X, Alty L. Design issues and implementation of Interbased process contro l[ J] . Contr ol Eng ineering Pr actice,20xx, 11( 6) : 709720. [2] A Wilson. 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Comparsion of Edge De。其中 1000H1FFFH 錯(cuò)誤可能由于軟件寫保護(hù)引起,因?yàn)橥ǔG闆r下 ,為了保護(hù)系統(tǒng)庫程序不被損壞 ,用戶程序只允許在 0000H0FFFH 范圍內(nèi)。地址分配情況如下: 0X00000X1FFF: 已使用 0X20xx0X3FFF: 數(shù)碼管顯示驅(qū)動(dòng)地址 0X40000X5FFF: 未使用 0X60000X7FFF:未使用 0X80000XFFFF: 已使用 編程中遇到的問題 在編寫程序中,端口狀態(tài)發(fā)生變化。 } 本章小結(jié) 本章詳細(xì)地介紹了 NAND FLASH 硬件電路板的設(shè)計(jì)和 NAND FLASH 的驅(qū)動(dòng),并就 NAND FLASH 的工作原理、讀操作、編程和擦除操作進(jìn)行了詳盡的分析。 / * A25( Page Address) * / NF_ADDR( ( block Page 16)amp。 若擦除出現(xiàn)錯(cuò)誤則標(biāo)記為壞塊然后返回 0) ,返回值 1, 成功擦除。 if ( RDDAT A( )amp。0xff) 。 圖 34 寫程序流程 st atic int NF_WritePage( unsigned int block, unsigned int page, unsigned char * buffer ) { NF_RST ECC( ) 。 命令代碼 : 首先寫入 00h( A 區(qū) ) / 01h( B 區(qū) ) / 05h( C區(qū) ) , 表示寫入那個(gè)區(qū) 。0x ff) 。 返回值 1, 讀成功 , 返回值 0: 讀失敗。 NAND FLASH以頁為單位讀寫數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。圖 33 為多功能學(xué)習(xí)機(jī)引出的插座。 ALEaddress latch enable ALE 輸入控制了地址發(fā)送到內(nèi)部地址寄存器中,在 WE 的上升沿和 ALE 為高電平時(shí),地址被鎖存到地址寄存器中。在讀頁和頁操作時(shí),連到存儲(chǔ)器的528 字節(jié)的數(shù)據(jù)寄存器在 I/O 緩沖與存儲(chǔ)器之間傳遞數(shù)據(jù)。④具有編程器功能。 第二章 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī) 20 12J3 D840 07C 10 C 11P J 1R 1551 0D9V i n1GND2+ 5V3U 10V C CD 11R 2510 0KR 2618 KQ 1490 1312J71 2U 9A3 4U 9BR 2751 0C647 0UI N T 0V C CC 12 C 13 C 14 C 16C 15C 2234 5C 18R*P O W C H K 圖 211 電源電路 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī)的軟件設(shè)計(jì) 學(xué)習(xí)機(jī)軟件由兩部分組成 : 上位機(jī) PC 軟件和下位機(jī)軟件。從而破壞了用戶程序。第二章 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī) 18 自動(dòng) 程序切換電路 如圖 29所示的程序自動(dòng)切換電路是系統(tǒng)的關(guān)鍵部分,其作用是自動(dòng)切換系統(tǒng)程序和用戶程序,在切換程序的同時(shí)給單片機(jī)一個(gè)復(fù)位信號(hào),使得切換程序后單片機(jī)都從 0000地址開始執(zhí)行程序。 62256 是 32K 的低功能靜態(tài) RAM 存儲(chǔ)器。 74HC138 具有 2 個(gè)低電平使能端(管腳 4,5)與 1 個(gè)高電平使能端(管腳 6) , 當(dāng)?shù)碗娖绞鼓芏私拥碗娖角腋唠娖绞鼓芏私痈唠娖綍r(shí) 74HC138 才能 正常工作,否則 8 個(gè)輸出端全部輸出高電平。所謂動(dòng)態(tài)掃描顯示即輪流向各位數(shù)碼管送出字形碼和相應(yīng)的位選,利用發(fā)光管的余輝和人眼視覺暫留作用,使人的感覺好像各位數(shù)碼管同時(shí)都在顯示。要顯示什么數(shù)字,就使對(duì)應(yīng)的段為低電平(見表 21)。 南昌工程學(xué)院本科畢業(yè)(論文)設(shè)計(jì) 11 E A / V P31X119X218R E S E T9RD17WR16I N T 012I N T 113T014T115P 1 01P 1 12P 1 23P 1 34P 1 45P 1 56P 1 67P 1 78P 0 039P 0 138P 0 237P 0 336P 0 435P 0 534P 0 633P 0 732P 2 021P 2 122P 2 223P 2 324P 2 425P 2 526P 2 627P 2 728P S E N29A L E / P30T X D11R X D10U1D0D1D2D3D4D5D6D7A8A9A 1 0C41 5 PC51 5 PJT1 2 M H ZR E D IAEC 1 9 1 0 UR 1 74 .7 KR S TR S TEAP S E N3 8 A3 8 B3 8 CK S CK S BK S AK S IRDWRV C CA 1 1A 1 2R X DT X DT X DR X D1234J1 I N T 0I O T 0I O T 1P 2 .5G N DEAP 2 .6P 2 .7 圖 23 AT89S52 單片機(jī)電路 圖 23 為設(shè)計(jì)中采用的 單片機(jī) AT89S52 的原理圖,其中 是控制數(shù)碼管顯示端口, 是 8位數(shù)碼管的片選信號(hào)端口。此外,該 引腳 會(huì)被微弱拉高, 單 片機(jī) 執(zhí)行外部 程序 時(shí),應(yīng)設(shè)置 ALE 禁止位無效。 第二章 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī) 10 RST: 復(fù)位輸入。在使用 8位地址(如 MOVX RI)訪問 外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器時(shí), P2 口輸出 P2 鎖存器 的內(nèi)容。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的 引腳 由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng) 8 個(gè) TTL邏 輯電平。 圖 21 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī) 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī)的硬件設(shè)計(jì) 學(xué)習(xí)機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖 22所示。 第三章是詳細(xì)地分析了 NAND 擴(kuò)展板的設(shè)計(jì) 。而 NAND 則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。 關(guān)鍵字: 多功能單片學(xué)習(xí)機(jī) 自動(dòng)切換電路 NAND FLASH II Abstract Based NAND FLASH multifunctional singlechip learning machine drive consists of two parts: a multifunctional singlechip learning machine and NAND Flash memory. This paper introduces the hardware / software design, multifunctional singlechip learning machine with automatic switch circuit, so with a microcontroller can either run the system program, you can run the user program, the online download of the program code. external learning machine expanse a lot of hardware resources, hardware system resources poses practical application circuit, through the universal expansion interface can easily simulate the external application circuit and extend the user application circuit. Then focuses on the the NAND FLASH expansion board hardware / software design, achieved through a multifunctional singlechip learning machine NAND FLASH read and write timing. Key word: Multifunction SCM learning machine; automatic switch circuit ; NAND FLASH; III 目錄 摘 要 ................................................................................................................................................ I ABSTRACT ...................................................................................................................................II 第一章 緒論 ................................................................................................................
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