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5光電子能譜分析(完整版)

2025-02-16 17:32上一頁面

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【正文】 erXPS534/561eV、 0eV。radiation)from 同步輻射源是十分理想的激發(fā)源,具有良好的單色性,且可提供10hvΦ’。根據(jù)上式,可以計算出電子在原子各能級的結(jié)合能 Eb。過 程如下: 當光與物質(zhì)起相互作用時并不總產(chǎn)生光電效應,而是有一定的幾率。發(fā)射源(信號):電子發(fā)射源(信號):價電子( 3) 俄歇電子能譜( AES)UPS光電子能譜 ( 2)物質(zhì)表面層 元素所處的狀態(tài) 或 與其它元素間的結(jié)合狀態(tài)和結(jié)構(gòu) ,即元素所處的原子狀態(tài)、價態(tài)、分子結(jié)構(gòu)等信息。電子能譜是一種研究物質(zhì)表面的性質(zhì)和狀態(tài)的物理方法。概述( 3) 表面層物質(zhì)的狀態(tài) 。二次粒子和輻射源既可是同種也可以是異種。XPS: Xray Photoelectron Spectroscopy離子探針顯微分析 表面分析法是一種 無損分析 ,分析的是最表層的元素信息,分析的靈敏度極高。發(fā)射源(信號):二次離子。離子探針對二次離子的收集效率比特征 X射線高,因此分析效率高,可以作包括 H元素的成分分析,而且還可以分析同位素。激發(fā)源:紫外光用 X射線作激發(fā)源轟擊出樣品中元素的 內(nèi)層電子 ,并直接測量二次電子的能量,這能量表現(xiàn)為元素內(nèi)層電子的結(jié)合能 Eb。2. 受激原子的弛豫 去激發(fā) 當入射光子與原子相互作用產(chǎn)生了光電子,這時原子處于受激發(fā)高能量狀態(tài),有趨于平衡的趨向,以達到低能量狀態(tài),這稱為 弛豫過程 。( 3)克服表面勢場而射出 脫離固體表面。而電子能譜也正是通過對結(jié)合能的計算及其變化規(guī)律來了解被測樣品,因而對于結(jié)合能應當有深入的理解。 這 個 電場 阻止 電 子 繼續(xù) 從儀 器向 樣 品遷移,兩者達到 動態(tài) 平衡 時 ,兩材料的化學 勢 相同,費 米能 級 完全重合。=eV)或 UV;2XPS的儀器的儀器 InstrumentationeV~10a將 KE轉(zhuǎn)換為 BE, 4s的最強峰由 eV峰, electron受價態(tài)影響;? 2使空間分辨率提高。定量分析3受表面勢壘影響。電子峰。673能級引起。54eV1.690,metal216。XPSvX射線光電子譜儀216。高真空系統(tǒng):超高真空腔室 superhigheV; Al hν是 實驗時選 用的X射 線 能量,也是已知的,于是只要在 實驗 中 測 得光 電子的 動 能,就可以 計 算 Eb了。原始概念 :一束縛電子從所在能級移動到不受原子核吸引而處于最低能態(tài)時所需克服的能量(真空靜止電子)或是電子從結(jié)合態(tài)移到無窮遠處所做的功。結(jié)合能 Eb的概念其中( 2)與電子的逸出深度和
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