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微電子器件測試與封裝-第四章(完整版)

2025-01-25 04:40上一頁面

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【正文】 ? TURNON/OFF DELAY TIME TD (ON) /TD (OFF) ? RISE / FALL TIME TR /TF Page 37 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 MOSFET的交流參數(shù) G D S CDS CGD CGS CISS = CGS+CGD COSS = CDS+CGS //CGD CRSS = CGD CISS : 此為 POWER MOS在截止?fàn)顟B(tài)下的閘極輸入容量,為閘 源極 間容量 CGS與閘 汲極間容量CGD之和。微電子器件測試與封裝 第四章 深愛半導(dǎo)體股份有限公司封裝部 謝文華 器件的分類 Page 2 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 半導(dǎo)體器件 ? 一、集成電路 ? ASIC ? 存儲器 ? FPGA ? 二、分立器件 ? 雙極晶體管 ——Transistor ? 場效應(yīng)晶體管 ——MOSFET ? 可控硅 —— SCR ? 二極管 —— Diode ? IGBT 2 ? ICEO,ICBO,IEBO ? BVCEO,BVCBO,BVEBO ? VCESAT、 VBESAT ? hFE ? VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? 開關(guān)時間: TS、 TF ? 熱阻 雙極晶體管的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 Page 4 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? :柵源漏電 ? : 漏源漏電 ? : 漏源反向擊穿電壓 ? : 開啟電壓 ? : 導(dǎo)通電阻 ? : 源漏正向電壓 ? : 跨導(dǎo) ? : 夾斷電壓 G D S MOSFET的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測試 4 IGBT的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 ? ICEO,ICBO,IGE ? BVCEO,BVCBO,BVEBO ? VCESAT、 VBESAT ? VTH ? VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? GMP: GFS ? 熱阻 ? VF ? VR ? IR 二極管的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 Page 7 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 半導(dǎo)體器件測試的目的: ? 檢驗產(chǎn)品能否符合技術(shù)指標(biāo)的要求 ? 剔除不良品 ? 根據(jù)參數(shù)進(jìn)行分選 ? 可靠性篩選 ? 測試內(nèi)容: ? 靜態(tài)電參數(shù) ? 動態(tài)電參數(shù) ? 熱阻 ? 可靠性測試 ? 按階段分 ? 芯片測試(中測) ? 成品測試(成測) 器件的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 根據(jù)不同環(huán)境,可分為 : 常溫測試 高溫測試 低溫測試 7 Page 8 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD 器件的符號 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 G D S 8 自動分選機(jī) 器件的測試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 測試系統(tǒng) 常規(guī)測試系統(tǒng) ( JUNO DTS1000) TS測試系統(tǒng) 氣槍 主顯示器 (顯示參數(shù)、調(diào)用程序) 報警燈 測試站(測頭) 計數(shù)顯示器 震盤與導(dǎo)軌 自動分選機(jī) 靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備介紹 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測試 圖示儀: QT2晶體管特性圖示儀 370B圖示儀
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