微電子器件測(cè)試與封裝-第四章(完整版)
【正文】 ? TURNON/OFF DELAY TIME TD (ON) /TD (OFF) ? RISE / FALL TIME TR /TF Page 37 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測(cè)試 MOSFET的交流參數(shù) G D S CDS CGD CGS CISS = CGS+CGD COSS = CDS+CGS //CGD CRSS = CGD CISS : 此為 POWER MOS在截止?fàn)顟B(tài)下的閘極輸入容量，為閘 源極 間容量 CGS與閘 汲極間容量CGD之和。微電子器件測(cè)試與封裝 第四章 深愛(ài)半導(dǎo)體股份有限公司封裝部 謝文華 器件的分類 Page 2 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 半導(dǎo)體器件 ? 一、集成電路 ? ASIC ? 存儲(chǔ)器 ? FPGA ? 二、分立器件 ? 雙極晶體管 ——Transistor ? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ——MOSFET ? 可控硅 —— SCR ? 二極管 —— Diode ? IGBT 2 ? ICEO,ICBO,IEBO ? BVCEO,BVCBO,BVEBO ? VCESAT、 VBESAT ? hFE ? VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? 開(kāi)關(guān)時(shí)間： TS、 TF ? 熱阻 雙極晶體管的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 Page 4 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? :柵源漏電 ? ： 漏源漏電 ? ： 漏源反向擊穿電壓 ? ： 開(kāi)啟電壓 ? ： 導(dǎo)通電阻 ? ： 源漏正向電壓 ? ： 跨導(dǎo) ? : 夾斷電壓 G D S MOSFET的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件的測(cè)試 4 IGBT的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 ? ICEO,ICBO,IGE ? BVCEO,BVCBO,BVEBO ? VCESAT、 VBESAT ? VTH ? VFBE 、 VFBC 、 VFEC ? GMP： GFS ? 熱阻 ? VF ? VR ? IR 二極管的參數(shù) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 Page 7 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD ? 半導(dǎo)體器件測(cè)試的目的： ? 檢驗(yàn)產(chǎn)品能否符合技術(shù)指標(biāo)的要求 ? 剔除不良品 ? 根據(jù)參數(shù)進(jìn)行分選 ? 可靠性篩選 ? 測(cè)試內(nèi)容： ? 靜態(tài)電參數(shù) ? 動(dòng)態(tài)電參數(shù) ? 熱阻 ? 可靠性測(cè)試 ? 按階段分 ? 芯片測(cè)試（中測(cè)） ? 成品測(cè)試（成測(cè)） 器件的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 根據(jù)不同環(huán)境，可分為 ： 常溫測(cè)試 高溫測(cè)試 低溫測(cè)試 7 Page 8 SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD 器件的符號(hào) 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 G D S 8 自動(dòng)分選機(jī) 器件的測(cè)試 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 測(cè)試系統(tǒng) 常規(guī)測(cè)試系統(tǒng) （ JUNO DTS1000） TS測(cè)試系統(tǒng) 氣槍 主顯示器 （顯示參數(shù)、調(diào)用程序） 報(bào)警燈 測(cè)試站（測(cè)頭） 計(jì)數(shù)顯示器 震盤與導(dǎo)軌 自動(dòng)分選機(jī) 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備介紹 內(nèi)容 |半導(dǎo)體器件測(cè)試 圖示儀： QT2晶體管特性圖示儀 370B圖示儀
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