【正文】 ( A 1) O ( A 4) O ( A 7) I ( A 8) O ( A 2) O ( A 3) I ( A 5) I ( A 6) I / O 片 選 無 效 =0:寫操作 WE =1:讀操作 WE 普通模式讀寫模式 :在每個時鐘有效沿鎖存輸入信號 ,在一個時鐘周期內(nèi) ,由內(nèi)部電路完成數(shù)據(jù)的讀 (寫 )操作。8位 ROM Vpp：是數(shù)據(jù)寫入時的編程電壓（編程寫入時， Vpp=13V） Vcc：是讀操作時的工作電壓 CEOEPGM工作模式 A16 ~ A0 VPP D7 ~ D0 讀 0 0 X Ai X 數(shù)據(jù)輸出 輸出無效 X 1 X X X 高阻 等待 1 X X Ai X 高阻 快速編程 0 1 0 Ai VPP 數(shù)據(jù)輸入 編程校驗 0 0 1 Ai VPP 數(shù)據(jù)輸出 工 作 模 式 ROM的讀操作與時序圖 （ 2）加入有效的片選信號 CEOE（ 3）使輸出使能信號 有效，經(jīng)過一定延時后，有效數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線上； OE（ 4）讓片選信號 或輸出使能信號 無效，經(jīng)過一定延時后數(shù)據(jù)線呈高阻態(tài)，本次讀出結(jié)束。 二維譯碼 該存儲器的容量 =? 由 MOS 管組成的 ROM 1 可編程 ROM ? PROM：由帶金屬熔絲的二極管組成 若將熔絲燒斷，該單元則變成“ 0”。 存儲的數(shù)據(jù)必須有電源供應才能保存 , 一旦掉電 , 數(shù)據(jù)全部丟失。 ? 了解 CPLD、 FPGA的結(jié)構(gòu)及實現(xiàn)邏輯功能的編程原理 。 教學基本要求 存儲器的定義 ? 半導體存儲器 能存放 大量 二值信息的半導體器件。 ROM(只讀存儲器 )： 在正常工作狀態(tài)只能讀出信息。顯然，一旦燒斷后不能再恢復。 （ 1）欲讀取單元的地址加到存儲器的地址輸入端； t CE t AA 讀出單元的地址有效 CE t OE OE D 7 ~ D 0 數(shù)據(jù)輸出有效 t OZ t OH A 16 ~ A 0 （ 1） 用于存儲固定的專用程序：如計算機的 BIOS程序 （基本的輸入輸出系統(tǒng)，現(xiàn)在計算機的 BIOS程序一般都是用的 E2PROM） （ 2） 利用 ROM可實現(xiàn)查表或碼制變換等功能 查表功能 －－ 查某個角度的三角函數(shù) （ sin、 cos等） 把角度作為地址輸入，其對應的函數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)，這稱為 “造表”。 讀 A1地址單元數(shù)據(jù) I/O輸出 A1數(shù)據(jù) 。反之電容器放電 ,C存 0 。 CPLD的結(jié)構(gòu) 通用的 CPLD器件邏輯塊的結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 可編 程連 線區(qū) n 宏單元 1 宏單元 2 宏單元 3 ? ? ? 可編 程乘 積項 陣列 乘積 項分 配 宏單元 m 內(nèi)部 可編 程連 線區(qū) m m I/O 塊 Xilnx XG500: 90個 36變量的乘積項 ,宏單元 36個 Altera MAX7000:80個 36變量的乘積項 ,宏單元 16個 可編程內(nèi)部連線 可編程內(nèi)部連線的作用 是實現(xiàn)邏輯塊與邏輯塊之間、邏輯塊與I/O塊之間以及全局信號到邏輯塊和 I/O塊之間的連接。 檢查、分析和優(yōu)化。 生成編程數(shù)據(jù)文件 寫入CPLD 計算機根據(jù)用戶編寫的源程序運行開發(fā)系統(tǒng)軟件，產(chǎn)生相應的編程數(shù)據(jù)和編程命令，通過五線編程電纜接口與 CPLD連接 。 可編程連接原理圖 內(nèi)部連線 宏單元或 I/O 連線 E 2 CMOS 管 T 當 E2CMOS管被編程為導通時，縱線和橫線連通；未被編程為截止時，兩線則不通 。 RAM存儲容量的擴展 2. 字數(shù)的擴展 — 用用 8K 8位的芯片組成 32K 8位的存儲系統(tǒng)。 DRAM的操作時序 存儲器容量的擴展 位擴展可以利用芯片的 并聯(lián)方式實現(xiàn) 。開始讀 A3 數(shù)據(jù) I/O輸出 A6數(shù)據(jù) 。 碼制變換 －－ 把欲變換的編碼作為地址，把最終的目的編碼作為相應存儲單元中的內(nèi)容即可。 出廠時，內(nèi)容全為 1，利用專用編程工具，將某些熔絲燒斷來改寫存儲內(nèi)容。 固定 ROM 可編程 ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：靜態(tài) RAM DRAM (Dynamic RAM)： 動態(tài) RAM 存儲器的分類 只讀存儲器 ROM的 定義與基本結(jié)構(gòu) 兩維譯碼 可編程 ROM 集成電路 ROM ROM的讀操作與時序圖 ROM的應用舉例 只讀存儲器，正常工作時內(nèi)容只能讀出，不能隨時寫入，所以稱為只讀存儲器。 ? 字數(shù) ：字的總量。 ? 掌握 RAM、 ROM的工作原理及典型應用 。 M＝字數(shù) 位數(shù) ? 地址 ：為了區(qū)別各個不同的字，給每個字賦予一個編 號，稱為地址。交點處有二極管 相當存 1，無二極管相當存 0 當 OE=1時輸出為高阻狀態(tài) 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 內(nèi) 容 當 OE=0時 A6 A7 A4 A5 D0 +VDD R R R R Y0 Y1 Y14 Y15 4線 | 16線 譯碼器 16 線 1 線數(shù)據(jù)選擇器 A2 A3 A0 A1 A2 A3 A0 A1 S2 S3 S0 S1 I0 I1 I14 I15 Y ? ? ? ? ? ? ? ? ? 字線 存儲 矩陣 位線 ?字線與位線的交點都是一個存儲單元。 閃速存儲單元不像 E2PROM那樣一次只能擦除一個字，而是可以用一個信號，在幾毫秒內(nèi)擦除一大區(qū)段。 觸發(fā)器與位線接通 靜態(tài) RAM特點 是： 只要不斷電，數(shù)據(jù)就永久保存 t AA 讀出單元的地址有效 t RC t OHA 地址 輸出數(shù)據(jù) 上一個有效數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)輸出有效 t L Z O E CE OE 數(shù)據(jù)輸出 數(shù)據(jù)輸出有效 t H Z C E t H Z O E t DOE t L Z C E t A C E t RC