【正文】 括開通驅(qū)動(dòng)電路 、 關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路 和 門極反偏電路三部分 ， 可分為 脈沖變壓器耦合式 和 直接耦合式 兩種類型 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 電力 MOSFET和 IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子器件器件的保護(hù) 過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù) 過(guò)電流保護(hù) 緩沖電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù) 外因過(guò)電壓： 主要來(lái)自雷擊和系統(tǒng)操作過(guò)程等外因 操作過(guò)電壓 ：由分閘 、 合閘等開關(guān)操作引起 雷擊過(guò)電壓 ：由雷擊引起 內(nèi)因過(guò)電壓： 主要來(lái)自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過(guò)程 換相過(guò)電壓 ：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后 ， 反向電流急劇減小 ， 會(huì)由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過(guò)電壓 。 對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備 ， 或全控型器件 ， 需采用電子電路進(jìn)行過(guò)電流保護(hù) 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) b) t u CE i C O d i d t 抑制電路 無(wú) 時(shí)d i d t 抑制電路 有 時(shí)有緩沖電路時(shí) 無(wú)緩沖電路時(shí) u CE i C 緩沖電路 緩沖電路作用分析 無(wú)緩沖電路： 有緩沖電路： 圖 138 di/dt抑制電路和 充放電型 RCD緩沖電路及波形 a) 電路 b) 波形 A D C B 無(wú)緩沖電路 有緩沖電路 u CE i C O 圖 139 關(guān)斷時(shí)的負(fù)載線 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 緩沖電路 充放電型 RCD緩沖電路 ， 適用于中等容量的場(chǎng)合 。 b) a) R C R C VT 1 VT 2 R P R P I O U U T1 I R U T2 VT 1 VT 2 圖 141 晶閘管的串聯(lián) a) 伏安特性差異 b) 串聯(lián)均壓措施 動(dòng)態(tài)均壓措施 ： 選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件 。 目的 ：多個(gè)器件并聯(lián)來(lái)承擔(dān)較大的電流 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) MOSFET和 IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn) Ron具有正溫度系數(shù) ， 具有電流自動(dòng)均衡的能力 ， 容易并聯(lián) 。 集中討論電力電子器件的驅(qū)動(dòng) 、 保護(hù)和串 、 并聯(lián)使用 。 功率模塊和功率集成電路 是現(xiàn)在電力電子發(fā)展的一個(gè)共同趨勢(shì) 。 電流驅(qū)動(dòng)型 ：雙極型器件中除 SITH外 特點(diǎn) ：具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng) ， 因而通態(tài)壓降低 ， 導(dǎo)通損耗小 ，但工作頻率較低 ， 所需驅(qū)動(dòng)功率大 ,驅(qū)動(dòng)電路較復(fù)雜 。 電路走線和布局應(yīng)盡量對(duì)稱 。 采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時(shí)間的差異 。 圖 140 另外兩種常用的緩沖電路 a) RC吸收電路 b) 放電阻止型 RCD吸收電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 晶閘管的串聯(lián) 晶閘管的并聯(lián) 電力 MOSFET和 IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 晶閘管的串聯(lián) 問(wèn)題 ：理想串聯(lián)希望器件分壓相等 ， 但因特性差異 ， 使器件電壓分配不均勻 。 快熔對(duì)器件的保護(hù)方式： 全保護(hù) 和 短路保護(hù)兩種 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 緩沖電路 關(guān)斷緩沖電路 （ du/dt抑制電路 ） —— 吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓 ， 抑制 du/dt， 減小關(guān)斷損耗 。 電力電子裝置可能的過(guò)電壓 —— 外因過(guò)電壓 和 內(nèi)因過(guò)電壓 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù) 過(guò)電壓保護(hù)措施 圖 134 過(guò)電壓抑制措施及配置位置 F? 避雷器 D? 變壓器靜電屏蔽層 C? 靜電感應(yīng)過(guò)電壓抑制電容 RC1? 閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用 RC電路 RC2? 閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用反向阻斷式 RC電路 RV? 壓敏電阻過(guò)電壓抑制器 RC3? 閥器件換相過(guò)電壓抑制用 RC電路 RC4? 直流側(cè) RC抑制電路 RCD? 閥器件關(guān)斷過(guò)電壓抑制用 RCD電路 電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。 使 MOSFET開通的驅(qū)動(dòng)電壓一般 10~15V， 使 IGBT開通的驅(qū)動(dòng)電壓一般 15 ~ 20V。 目前應(yīng)用較廣 ， 但其功耗大 ， 效率較低 。 有良好的抗干擾性能 、 溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離 。 光隔離一般采用光耦合器 磁隔離的元件通常是 脈沖變壓器 ERERERa ) b ) c )UinUoutR1ICIDR1R1圖 125 光耦合器的類型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高傳輸比型 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述 按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)分 ， 可分為 電流驅(qū)動(dòng)型 和 電壓驅(qū)動(dòng)型 。 tURidtdiIddd ?s i n2?? 如果電流的初相位為 α，則