單相橋式整流電路的課程設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 述隨著科學(xué)技術(shù)的日益發(fā)展,人們對(duì)電路的要求也越來(lái)越高,由于在生產(chǎn)實(shí)際中需要大小可調(diào)的直流電源,而相控整流電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便、性能穩(wěn)定,利用它可以方便地得到大中、小各種容量的直流電能,是目前獲得直流電能的主要方法,得到了廣泛應(yīng)用。4因此，要求學(xué)生能綜合應(yīng)用所學(xué)知識(shí)，設(shè)計(jì)出符合條件的電路，能夠全面地鞏固和應(yīng)用本課程所學(xué)基本理論和基本方法，并初步掌握電路設(shè)計(jì)的基本方法。晶 閘 管 的 額 定 電 壓 ??RMDNVTU,min? UNVT ≥ （ 2～ 3） U2 UNVT ： 工 作 電 路 中 加 在 管 子 上 的 最 大 瞬 時(shí) 電 壓 UNVT=(2～ 3) U2=263V② 額 定 電 流 INVT通過(guò)晶閘管的電流的平均值 IdvT Idvt=i2/2=5AIm=πI dVt= 晶閘管型號(hào)的選擇晶 閘 管 的 選 擇 原 則 ：Ⅰ 所 選 晶 閘 管 電 流 有 效 值 IVT 大 于 元 件 在 電 路 中 可 能 流 過(guò) 的 最 大 電 流 有 效 值 。（2）當(dāng) Ve≥η Vbb+VD VD 為二極管正向壓降（約為 ） ，PN 結(jié)正向?qū)ǎ琁e 顯著增加，rb 1 阻值迅速減小，V e 相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱(chēng)為負(fù)阻特性。（4）反向電流 Ieo b1 開(kāi)路，在額定反向電壓 Vcb2 下，eb 2 間的反向電流。 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路由單結(jié)晶體管構(gòu)成的觸發(fā)電路具有簡(jiǎn)單、可靠、抗干擾能力強(qiáng)、溫度補(bǔ)償性能好，脈沖前沿徒等優(yōu)點(diǎn)，在容量小的晶閘管裝置中得到了廣泛應(yīng)用。即調(diào)節(jié) Re，可調(diào)節(jié)振蕩頻率圖 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路及波形 同步電源步電壓又變壓器 TB 獲得，而同步變壓器與主電路接至同一電源，故同步電壓于主電壓同相位、同頻率。檢測(cè)系統(tǒng)電源輸入、輸出及負(fù)載的電流、電壓，實(shí)時(shí)保護(hù)系統(tǒng)，防止系統(tǒng)崩潰而造成事故。B 型熔斷器特點(diǎn)：能在交流、直流和元件短路時(shí)起保護(hù)作用，其可靠性稍有降低C 型熔斷器特點(diǎn)：直流負(fù)載側(cè)有故障時(shí)動(dòng)作，元件內(nèi)部短路時(shí)不能起保護(hù)作用對(duì)于第二類(lèi)過(guò)流，即整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流，則應(yīng)當(dāng)采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。為抑制 dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián) RC 阻容吸收回路。 主電路設(shè)計(jì)與原理分析 原理圖分析該電路主要由四部分構(gòu)成，分別為電源，過(guò)電保護(hù)電路，整流電路和觸發(fā)電路構(gòu)成。該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理是利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)將交流變?yōu)橹绷鞯墓δ?。在這次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中，碰到的難題就是保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。同時(shí)在課程設(shè)計(jì)在制作過(guò)程中得到老師與同學(xué)們對(duì)我的耐心指導(dǎo)、幫助與大力支持這樣我才能將課程設(shè)計(jì)順利地做完。單結(jié)晶體管直接觸發(fā)電路的移相范圍變化較大，而且由于是直接觸發(fā)電路它的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單。在電路中
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