單相橋式整流電路的課程設(shè)計-預覽頁
【正文】 器二次側(cè)電壓的計算 根據(jù)設(shè)計要求：電源電壓：交流 100V/50Hz；輸出功率：500W；移相范圍：0176。又因為整流電路應(yīng)用非常廣泛，而三相晶閘管半控整流電路又有利于夯實基礎(chǔ)，故我們單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管半控整流電路這一課題作為這一課程的課程設(shè)計的課題。把逆變電路中的 SPWM 控制技術(shù)用于整流電路，就構(gòu)成了 PWM 整流電路。但是晶雜管相控整流電路中隨著觸發(fā)角 α 的增大，電流中諧波分量相應(yīng)增大，因此功率因素很低。故其學習方法與電子技術(shù)和控制技術(shù)有很多相似之處，因此要學好這門課就必須做好實驗和課程設(shè)計，因而我們進行了此次課程設(shè)計。培養(yǎng)學生獨立思考，獨立收集資料，獨立設(shè)計的能力。5三 . 電路元件的選擇 晶閘管的選擇由于單相交流調(diào)壓主電路主要元件是晶閘管，所以選取元件時主要考慮晶閘管的參數(shù)及其選取原則。Ⅱ 、 選 擇 時 考 慮 （ ～ 2） 倍 的 安 全 余 量 。結(jié)晶體管的特性從圖一可以看出，兩基極 b1 和 b2 之間的電阻稱為基極電阻。管子由截止區(qū)進入負阻區(qū)的臨界 P 稱為峰點，與其對應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓 Ip 和峰點電流 Ip。單結(jié)晶體管的主要參數(shù)（1）基極間電阻 Rbb 發(fā)射極開路時，基極 b1，b 2 之間的電阻，一般為 210 千歐，其數(shù)值隨溫度的上升而增大。（5）發(fā)射極飽和壓降 Veo 在最大發(fā)射極額定電流時， eb1 間的壓降。2）觸發(fā)信號應(yīng)有足夠的功率（觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流） 。他由自激震蕩、同步電源、移相、脈沖形成等部分組成。電容 C 開始通過管子 eb1 迅速向 R1 放電，由于放電回路電阻很小，故放電時間很短。同步電壓經(jīng)橋式整流、穩(wěn)壓管 DZ 削波為梯形波uDZ,而削波后的最大值 UZ 既是同步信號,又是觸發(fā)電路電源 .當 UDZ 過零時,電容C 經(jīng) ebR 1 ,每半周開始 ,電容 C 都從零開始充電,進而保證每周期觸發(fā)電路送出第一個脈沖距離過零的時刻(即控制角 α)一致,實現(xiàn)同步. 移相控制當 Re 增大時，單結(jié)晶體管發(fā)射極充電到峰點電壓 Up 的時間增大，第一個脈沖出現(xiàn)的時刻推遲，即控制角 α 增大，實現(xiàn)了移相。 保護電路的設(shè)計 保護電路的論證與選擇電力電子系統(tǒng)在發(fā)生故障時可能會發(fā)生過流、過壓，造成開關(guān)器件的永久性損壞。例如，RC 阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。采用快速熔斷器作過電流保護。常見的電子保護原理圖如 所示 過壓保護設(shè)備在運行過程中，會受到由交流供電電網(wǎng)進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。過電壓保護電路 電流上升率、電壓上升率的抑制保護1）電流上升率 di/dt 的抑制晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以 ，若晶閘管開通時電流上升率 di/dt 過大，會導致 PN 結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。如圖 所示：圖 并聯(lián) RC 阻容吸收回。這是晶閘管 T2 引入觸發(fā)信號，則T2 和 D1 導通。輸入的信號經(jīng)變壓器變壓后通過過電保護電路，保證電路出現(xiàn)過載或短路故障時，不至于傷害到晶閘管和負載。在電路中,過電保護部分我們分別選擇的快速熔斷器做過流保護,而過壓保護則采用 RC 電路。觸發(fā)電路是由設(shè)計題目而定的，題目要求了用單結(jié)晶體管直接觸發(fā)電路。學習了很多書本上沒有的知識，也對課本知識進行了強化和更深的理解，更讓我感受到學習不知識一味的書本理性知識還要通過實踐才能記憶更扎實更牢靠。因為保護電路的種類較多，因此要選擇一個適合本課題的保護電路
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