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正文內(nèi)容

微電子概論思考題及答案(完整版)

2025-07-26 05:38上一頁面

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【正文】 單元內(nèi)部包含若干個(gè)器件,單元之間留有布線通道,通道寬度和位置固定,并預(yù)先完成接觸孔和連線以外的所有芯片加工步驟,形成母片,然后根據(jù)不同的應(yīng)用,設(shè)計(jì)出不同的接觸孔板和金屬連線版,在單元內(nèi)部連線以實(shí)現(xiàn)某種門的功能,再通過單元之間連線實(shí)現(xiàn)所需的電路功能。8 / 8。特點(diǎn):單元數(shù)、壓焊塊數(shù)、通道間距取決于功能要求和芯片要求,布線自由度大。把大多數(shù)尺寸約定為λ的倍數(shù),然后再根據(jù)工藝線的分辨率,給出與工藝相容的λ值。接觸式曝光 接近式曝光 投影式曝光2. 什么是濕法腐蝕?其優(yōu)點(diǎn)是什么?利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法。接口電路:A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、邏輯電平轉(zhuǎn)化電路、外圍驅(qū)動電路、顯示驅(qū)動電路、線驅(qū)動器、線接收器、讀出放大電路。8. PN結(jié)的電容有哪些?勢壘電容 擴(kuò)散電容9. PN結(jié)的擊穿電壓有哪些?雪崩擊穿、齊納擊穿10. MOSFET分為哪幾種類型?N溝道器件,P溝道器件,增強(qiáng)型MOSFET,耗盡型MOSFET。溫度升高時(shí),對載流子的晶格散射也將增強(qiáng),在低參雜濃度的半導(dǎo)體,遷移率隨溫度升高而大幅度下降的原因主要就是由晶格散射引起的。微電子學(xué)是信息領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)學(xué)科,在信息領(lǐng)域中,微電子學(xué)是研究并實(shí)現(xiàn)信息獲取、傳輸、存儲、處理和輸出的科學(xué),是研究信息載體的科學(xué),構(gòu)成了信息科學(xué)的基石。第一章:1. 第一只晶體管發(fā)明是在哪個(gè)國家?哪個(gè)實(shí)驗(yàn)室?發(fā)明人是誰?美國 Bell實(shí)驗(yàn)室 肖克萊 巴丁 布拉頓2. 第一片IC發(fā)明是在哪個(gè)國家?哪個(gè)公司?發(fā)明人是誰?美國 TI公司 Kibly3. 按規(guī)模分類IC有幾種?簡要說明每種類型的集成度?六種 SSI:102,MSI:102~103, LSI :103~104, VLSI:104~107,
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