【正文】 ，石器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。0060．當(dāng)T，P及組成不變的條件下，增加單位表面積對(duì)系統(tǒng)所做的功。 0053．無化學(xué)位梯度、濃度梯度、無外場(chǎng)推動(dòng)力，由熱起伏引起的擴(kuò)散。陽離子交換：在粘土礦物中，當(dāng)結(jié)構(gòu)中的同晶取代主要發(fā)生在鋁氧層時(shí)，一些電價(jià)低、半徑大的陽離子（如K+、Na+等）將進(jìn)入晶體結(jié)構(gòu)來平衡多余的負(fù)電荷，它們與晶體的結(jié)合不很牢固，在一定條件下可以被其它陽離子交換。0039．配位場(chǎng)理論：除了考慮到由配位體所引起的純靜電效應(yīng)以外，還考慮了共價(jià)成鍵的效應(yīng)的理論。0036．滑移方向與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為刃型位錯(cuò)。0030．自擴(kuò)散： 互擴(kuò)散：0031．?dāng)U散系數(shù)： 擴(kuò)散通量：0032．配位數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)中與一個(gè)離子直接相鄰的異號(hào)離子數(shù)。0023．馬鞍點(diǎn)：三元相圖界線上溫度最高點(diǎn)，同時(shí)又是二元系統(tǒng)溫度的最低點(diǎn)。即凡氧化物的單鍵強(qiáng)度＞ 335kJ/mol者稱為網(wǎng)絡(luò)形成體，這類氧化物能單獨(dú)行成玻璃。0012．所有晶體結(jié)構(gòu)的空間點(diǎn)陣可劃分成十四種類型的空間格子，這14種空間格子稱布拉菲格子。0006．晶體常數(shù)：晶軸軸率或軸單位，軸角。：正確。：不正確。0010．答：不正確。兩個(gè)固相和一個(gè)液相。粘度增加。（ ）0009．粉狀物料的表面能大于多晶燒結(jié)體的晶界能，這是燒結(jié)過程的推動(dòng)力。0053. 間隙原子、空位、雜質(zhì)原子；， ，,二、判斷題0001．Na2OSiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增加，熔體的粘度將降低。(泰曼溫度)。0006. 1，均一性、異向性、對(duì)稱性、最小內(nèi)能。 最緊密堆積，Na＋填充 面體空隙的100%，以（001）面心的一個(gè)球（Cl離子）為例，屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為 ，所以屬于這個(gè)球的四面體空隙數(shù)為 ，正負(fù)離子配位數(shù)為_____，配位多面體之間共______連接，單個(gè)晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目為______。它的成核位壘隨接觸角q的_______而降低，當(dāng)由0～900時(shí)，成核位壘DGK*與均勻成核位壘DGK的關(guān)系為___。 ，先______后______。例如，對(duì)于食鹽的水溶液來說，NaCl與H2O都是組元。－SiO2熔體中加入Al2O3(Na2O/Al2O31),熔體粘度_________。，實(shí)測(cè)密度值隨Ca2+離子數(shù)/K＋離子數(shù)比值增加而減少，由此可判斷其 缺陷反應(yīng)式為_________。，隨著Na2O（R2O）含量的增加，橋氧數(shù) ，熱膨脹系數(shù)逐漸下降。、_____、_____ 、_____ ，含有平移操作的對(duì)稱要素種類有_____ 、_____ 。、 、 、 、 和穩(wěn)定性。，先______后______。 ,粘度越_________ 。，兩相的化學(xué)勢(shì)相等但化學(xué)勢(shì)的________不相等，有相變潛熱，并伴隨有體積改變。：__________，其擴(kuò)散系數(shù)D＝___________, 其擴(kuò)散活化能由__________和____________組成。、b、c、d分別填入各分相特點(diǎn)前的括號(hào)內(nèi)。，若x/r與t1/3成正比，其屬于______傳質(zhì)過程，這種燒結(jié)的推動(dòng)力是______，收縮率為______。0003. 31441230。，粉末體球形顆粒凸面與顆粒接觸點(diǎn)頸部之間的蒸氣壓差，零。（ ）0006．純物質(zhì)在一定壓力下的熔點(diǎn)是定值。（ ）0015. 濃度差會(huì)引起擴(kuò)散，擴(kuò)散總是從高濃度處向低濃度處進(jìn)行 。正常長大是晶粒平均尺寸增加，反常長大是個(gè)別大晶粒尺寸異常增加。0008．答：不正確。相反。：不正確?；蚴潜硎揪w內(nèi)部結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)重復(fù)規(guī)律 的幾何圖形。0010．單形是由一組同形等大的晶面所組成，這些晶面可以借助其所屬對(duì)稱型的對(duì)稱要素彼此實(shí)現(xiàn)重復(fù)。0016．分化過程：架狀[SiO4]斷裂稱為熔融石英的分化過程。0020．低共熔點(diǎn)：是一種無變量點(diǎn)，系統(tǒng)冷卻時(shí)幾種晶相同時(shí)從熔液中析出，或加熱時(shí)同時(shí)融化。0028．穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散：擴(kuò)散過程中任一點(diǎn)濃度隨時(shí)間變化稱為不穩(wěn)定擴(kuò)散。重建性轉(zhuǎn)變：破壞原有原子間化學(xué)鍵，改變?cè)幼钹徑湮粩?shù)，使晶體結(jié)構(gòu)完全改變?cè)瓨拥囊环N多晶轉(zhuǎn)變形式。這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體（三角體或四面體）構(gòu)筑起來的。0042．二八面體型：在層狀硅酸鹽礦物中，若有三分之二的八面體空隙被陽離子所填充稱為二八面體型結(jié)構(gòu)。0051．熔體特指加熱到較高溫度才能液化的物質(zhì)的液體，即較高熔點(diǎn)物質(zhì)的液體。 0057．晶界結(jié)構(gòu)是指晶界在多晶體中的形狀、結(jié)構(gòu)和分布。0063．在燒結(jié)中、后期，細(xì)小晶粒逐漸長大，而一些晶粒的長大過程也是另一部分晶粒的縮小或消失過程，其結(jié)果是平均晶粒尺寸增加。 ，晶體通常被________的晶面所包圍。 ＋反伸 ＋反映，映轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。： ≠ b ≠ c，α=β=γ= 90176。 。 = b = c，α=β=γ=90176。 。 ，可能存在的配位數(shù)有________個(gè)。 。 。 。 。 ，氧多面體中正離子配位數(shù)一般為________。 ： 。 表示帶________個(gè)電荷。 。 。 。 ，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散方式一般為________。 ，密排的晶面表面能________。而晶胞則是實(shí)在的具體質(zhì)點(diǎn)構(gòu)成。試舉例寫出CaCl2中Ca2+置換KCl中K+或進(jìn)入到KCl間隙中去的兩種點(diǎn)缺陷反應(yīng)表示式。解：刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的異同點(diǎn)見下表所示。結(jié)構(gòu)不同最多只能生成有限固溶體。解： 3MgO2+ +3OO （1）2MgO2+ +2OO （2）YF3Y +F+2FF （3）2YF32Y ++6FF （4）（a）書寫缺陷方程首先考慮電價(jià)平衡，如方程（1）和（4）。當(dāng)然正確的判斷必須用固溶體密度測(cè)定法來決定。解：Na2OSiO2系統(tǒng)中，SiO2含量增加，η增大，σ減小；因?yàn)镾iO2含量增加，聚合離子團(tuán)尺寸增大，遷移阻力增大，η增大，e/r減小，相互作用力減小，σ減小；ROSiO2系統(tǒng)中，SiO2含量增加，η增大，σ減??；因?yàn)闊oSiO2時(shí)ROO2系統(tǒng)η很低，表面張力大；加入SiO2，系統(tǒng)中出現(xiàn)聚合離子團(tuán)，SiO2增加，聚合離子團(tuán)尺寸增大，數(shù)目增大，η增大，σ減小。它們的結(jié)構(gòu)有什么不同？ 解：利用X—射線檢測(cè)。由于Si—O—Si鍵角變動(dòng)范圍大，使石英玻璃中[SiO4]四面體排列成無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。 (如Na2O)加到SiO2熔體中，使氧硅比增加，當(dāng)O/Si≈～3時(shí)，即達(dá)到形成玻璃的極限，O/Si3時(shí)，則不能形成玻璃，為什么?解：在熔體結(jié)構(gòu)中，O/Si比值對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，如當(dāng)O/Si比值為2時(shí)，熔體中含有大小不等的歪扭的[SiO2]n聚集團(tuán)（即石英玻璃熔體）；隨著O/Si比值的增加，硅氧負(fù)離子集團(tuán)不斷變小，當(dāng)O/Si比值增至4時(shí)，硅氧負(fù)離子集團(tuán)全部拆散成為分立狀的[SiO4]4，這就很難形成玻璃。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說：玻璃的結(jié)構(gòu)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)相似，同樣形成連續(xù)的三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)?！〗猓和环N物質(zhì)，其液體固體的表面結(jié)構(gòu)不同，液體分子可自由移動(dòng)，總是通過形成球形表面來降低其表面能；固體則不能，固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng)，只能通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排來降低系統(tǒng)的表面能，固體表面處于高能量狀態(tài)（由于表面力的存在）。 化學(xué)吸附：伴隨有電子轉(zhuǎn)移的鍵合過程，這時(shí)應(yīng)把吸附分子與吸附劑晶格作為一個(gè)統(tǒng)一的系統(tǒng)來處理。加熱時(shí)g －鱗石英仍在原轉(zhuǎn)變溫度以同樣的速度先后轉(zhuǎn)變?yōu)閎 －鱗石英和a －鱗石英。而理論和實(shí)踐證明，在給定的溫度范圍，具有最小蒸汽壓的相一定是最穩(wěn)定的相。解：由熱力學(xué)可知，在等溫、等壓下有 在平衡條件下，則有 式中：0是相變的平衡溫度；為相變熱。、蒙脫石陽離子交換容量差異的原因。+、Mg2+、Ca2+，其鹵化物BeF2和SiO2結(jié)構(gòu)同，MgF2與TiO2（金紅石型）結(jié)構(gòu)同，CaF2則有螢石型結(jié)構(gòu)，分析其原因。解：rMg2+與rCa2+不同，rCa2+ rMg2+，使CaO結(jié)構(gòu)較MgO疏松，H2O易于進(jìn)入，所以活潑。，Al3+為什么能部分置換硅氧骨架中的Si4+；(2) Al3+置換Si4+后，對(duì)硅酸鹽組成有何影響?　　　　(3)用電價(jià)規(guī)則說明Al3+置換骨架中的Si4+時(shí)，通常不超過一半，否則將使結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。（內(nèi)部條件）答：熔體在冷卻過程中，會(huì)出現(xiàn)三種相變過程：結(jié)晶化、玻璃化和分相。⑵楊氏方程僅適用轉(zhuǎn)化率，而金氏方程能適應(yīng)更大的反應(yīng)程度，適合轉(zhuǎn)化率。+VCl˙ AgAg→Agi˙+VAg180。+2Clcl+2Vk， ：為什么非均相成核比均相成核更易進(jìn)行？ 解：因?yàn)椤鱃c =△（θ）并且：f（θ）=(2+COSθ)(1 COSθ)2/4，當(dāng)：θ=90度時(shí)，f（θ）=(2+COSθ)(1 COSθ)2/4=(2+0)(1 0)2/4=2/4=1/2，所以：△G。180。 答：①前者胚體內(nèi)晶粒尺寸均勻生長，服從公式DL ∝d/f，而后者是個(gè)別晶粒異常生長，不服從該公式。⑴ 結(jié)晶化：有序度不斷增加，直到釋放全部多余能量而使整個(gè)熔體晶化為止。 ，并說明原因。解：島狀；架狀；單鏈；層狀（復(fù)網(wǎng)）；組群（雙四面體）。當(dāng)陰離子同為F時(shí)，使得其r+/r增大，配位數(shù)增大，由BeF2的4配位到MgF2的6配位，再到CaF2的8配位。因?yàn)楦邘X石是1:1型結(jié)構(gòu)，單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以氫鍵相連，氫鍵強(qiáng)于范氏鍵，水化陽離子不易進(jìn)入層間，因此陽離子交換容量較小。若相變過程放熱（如凝聚、結(jié)晶等）。0026. 今有配料（1）3kg，配料（2）2kg，配料（3）5kg，若將此三配料混合加熱至完全熔融，試根據(jù)杠桿規(guī)則用作圖法求熔體的組成。當(dāng)緩慢冷卻時(shí)，在1470℃時(shí)可逆地轉(zhuǎn)變?yōu)閍 －鱗石英；當(dāng)迅速冷卻時(shí)，沿虛 線過冷，在180～270℃轉(zhuǎn)變?yōu)榻榉€(wěn)狀態(tài)的b －方石英；當(dāng)加熱b －方石英仍在180～270℃迅速轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定狀態(tài)的a －方石英。晶界中的應(yīng)力大則有可能在晶界上出現(xiàn)裂紋，甚至使多晶體破裂，小則保持在晶界內(nèi)。時(shí)，粗糙度越大，表面接觸角越小，就越容易濕潤；當(dāng)θ大于90176。由于玻璃的強(qiáng)度與晶體的強(qiáng)度屬于同一個(gè)數(shù)量級(jí)，玻璃的內(nèi)能與相應(yīng)晶體的內(nèi)能相差并不多，因此它們的結(jié)構(gòu)單元（四面體或三角體）應(yīng)是相同的，不同之處在與排列的周期性。當(dāng)Na2O含量達(dá)到15%—16%時(shí)，橋氧又開始減少，熱膨脹系數(shù)重新上升，這種反常現(xiàn)象就是硼反?，F(xiàn)象。 硼酸鹽玻璃：B和O交替排列的平面六角環(huán)的B—O集團(tuán)是硼酸鹽玻璃的重要基元，這些環(huán)通過B—O—B鏈連成三維網(wǎng)絡(luò)。 SiO2熔體—內(nèi)部結(jié)構(gòu)為架狀，近程有序，遠(yuǎn)程無序。石英晶體 石英熔體 Na2O?2SiO2 結(jié)構(gòu) [SiO4] 按共頂方式對(duì)稱有規(guī)律有序排列， 遠(yuǎn)程有序 基本結(jié)構(gòu)單元 [SiO4] 呈架狀結(jié)構(gòu)，遠(yuǎn)程無序 基本結(jié)構(gòu)單元 [Si6O18]12 呈六節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán)， 遠(yuǎn)程無序 性質(zhì) 固體無流動(dòng)性，熔點(diǎn)高，硬度大，導(dǎo)電性差，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，化學(xué)穩(wěn)定性好 有流動(dòng)性，η大，電導(dǎo)率大，表面張力大 有流動(dòng)性，η較石英熔體小，電導(dǎo)率大，表面張力大 。Al2O3和Cr2O3形成連續(xù)固溶體。這樣即可寫出一組缺陷方程。電負(fù)性因素電負(fù)性相近，有利于固溶體的生成。解：離子尺寸因素 從晶體穩(wěn)定性考慮，相互替代的離子尺寸愈相近，則固溶體愈穩(wěn)定。在MX晶體中，間隙原子的表示符號(hào)為Mi或Xi；空位缺陷的表示符號(hào)為：VM或VX。解：以NaCl晶胞中（001）面心的一個(gè)球（Cl離子）為例，它的正下方有1個(gè)八面體空隙（體心位置），與其對(duì)稱，正上方也有1個(gè)八面體空隙；前后左右各有1個(gè)八面體空隙（棱心位置）。解：晶體的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間作有規(guī)律的重復(fù)排列，兼具短程有序和長程有序的結(jié)構(gòu)。 ，間隙擴(kuò)散的激活能要比空位擴(kuò)散的激活能________。 。 ，設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值，D0為計(jì)算的理論密度，若D = D0，則固溶體為________。 ，則其電導(dǎo)率與氧分壓的________次方成正比。表示帶________個(gè)電荷。 ，熱缺陷生成能________ 。 。