【正文】 Flash等快閃存儲器門類，尤其是針對低端智能手機、高端功能機需求，可以完善公司在低端智能手機、高端功能機NAND Flash產(chǎn)品線上的布局，并推動公司產(chǎn)品線從NOR Flash向NAND Flash的拓展，擴展公司快閃存儲器的應用空間，進一步提高公司Flash產(chǎn)業(yè)的技術積累，增加長遠競爭力。例如NAND Flash現(xiàn)在的主流工藝是20nm，產(chǎn)品品種由以前的SLC向MLC過渡，以及發(fā)展到現(xiàn)在的TLC和未來的16LC。IC設計引領著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而自主技術又引領著本土IC設計和市場的發(fā)展方向?，F(xiàn)有的基于NAND Flash的存儲裝置的I/O速度可以達到傳統(tǒng)硬盤的10^3數(shù)量級，而消耗的功率只有同類傳統(tǒng)硬盤的1/10，因此，SSD的應用領域已經(jīng)從移動通信設備、游戲機等便攜式逐步發(fā)展到筆記本、臺式機，并且隨著SSD控制技術的發(fā)展，SSD也開始在網(wǎng)絡存儲和企業(yè)級服務器領域獲得應用。過去，手機廠商需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術特性來重新設計。（四）智能化電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、智能家電等市場提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲量的要求，需要大容量存儲器同步協(xié)同隨著智能手機、平板電腦、智能電視、智能家居等智能化系統(tǒng)和產(chǎn)品被消費者認可，消費電子產(chǎn)品逐漸出現(xiàn)智能化趨勢。目前NOR Flash容量較小，并且在提升容量方面遭遇技術復雜難度提高和成本大幅升級的困境，不能滿足移動終端多種應用、娛樂需求。在我國存儲器市場需求大幅增長的基礎上，實現(xiàn)NAND存儲器國產(chǎn)化具有緊迫性。從經(jīng)濟效益分析和社會效益分析來看，該項目是可行的。從微觀公司層面分析，XXX公司實施NAND Flash開發(fā)項目具有堅實的技術基礎與管理經(jīng)驗從微觀公司層面分析，公司已成功開發(fā)NOR Flash產(chǎn)品，技術實力雄厚、核心團隊穩(wěn)定，在自主創(chuàng)新、產(chǎn)品化、本地化服務、知識管理等方面有突出表現(xiàn)，能針對市場變化快速推出符合客戶要求的芯片與整體解決方案，并為客戶提供本地化的技術支持與定制化設計，具備完成項目的技術基礎與服務經(jīng)驗。實驗室分別為芯片研發(fā)實驗室、硬件研發(fā)實驗室和軟件研發(fā)實驗室。第一年在原有芯片、軟件、系統(tǒng)設備的基礎上，引入研發(fā)設備；同時通過內(nèi)部調(diào)撥和外部招聘兩種方式配置研發(fā)人員，完成人員的培訓；著手對NAND Flash進行升級和研發(fā)。NAND閃存技術開發(fā)、應用及產(chǎn)業(yè)化項目第一章 總說明一、項目名稱NAND 閃存技術開發(fā)、應用及產(chǎn)業(yè)化項目。第二年繼續(xù)引入研發(fā)設備和研發(fā)人員，繼續(xù)對產(chǎn)品進行升級和研發(fā)；加大市場推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，擴大市場銷售收入。芯片研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash芯片的技術改造，用于開發(fā)、測試NAND Flash芯片；硬件研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術改造，核心模塊的電路設計、仿真、測試；軟件研發(fā)實驗室主要用作芯片產(chǎn)品軟件算法開發(fā)。公司構建了較為完善的知識體系，將技術管理模塊化、平臺化。第二章 項目背景及投資必要性一、項目建設背景（一）大容量NAND存儲器產(chǎn)業(yè)化可以填補國內(nèi)空白，增強我國存儲器產(chǎn)業(yè)的競爭力今天市場上最為熱門的智能手機、平板電腦都使用了NAND存儲器。因此。因此，容量更大、功耗更低、重量更輕和性能更佳的NAND Flash可以適應移動終端多應用、娛樂化的發(fā)展趨勢，具有廣泛的應用前景。智能化設備要求系統(tǒng)對客戶操作具有較快的響應速度，提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲量的要求，滿足系統(tǒng)對性能和可靠性的要求,需要大容量存儲器同步協(xié)同。另外，手機廠商需要根據(jù)每次NAND Flash制程技術改朝換代，來重新設計終端。 二、項目投資必要性（一）從政策角度看，本項目投資符合中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)、彌補國內(nèi)外閃存芯片設計技術差距的需要經(jīng)過多年的發(fā)展，中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)實力都得到顯著提升，然而，芯片設計行業(yè)企業(yè)實力分散，與整機企業(yè)脫節(jié)；芯片設計與軟件及應用開發(fā)，至增值服務開發(fā)的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)環(huán)境建設落后，導致產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量難以提升。國家政策對高性能集成電路產(chǎn)業(yè)的推動，是NAND Flash項目能夠得到順利實施的重要因素。這些成本降低的背后是不斷的技術更新，促使國際大廠紛紛由NOR Flash 轉向NAND Flash市場，本項目規(guī)劃的NAND Flash芯片產(chǎn)品，完善了NAND Flash技術應用的各項指標，提高了公司快閃存儲器技術水平。從快閃存儲器的發(fā)展歷史來看，是首先發(fā)展了NOR Flash，再研發(fā)了NAND Flash；從快閃存儲器國際大廠的發(fā)展歷史來看，也是先生產(chǎn)NOR Flash產(chǎn)品，再逐漸向生產(chǎn)NAND Flash過渡，最終占據(jù)大容量NAND Flash市場。圖31 20072011年中國NAND Flash市場規(guī)模與增長（按銷售額）數(shù)據(jù)來源：賽迪顧問 2012，10（二）基本特點終端帶動NAND Flash需求出現(xiàn)快速增長近年來，隨著3G、4G等概念的不斷深入，大眾越來越青睞智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品，其銷售的快速增長也帶動了其中主要芯片NAND Flash的爆發(fā)性增長，同時NAND Flash價格的持續(xù)走低又起到一定的推波助瀾作用。預計到2014年。隨著工藝制程由25nm轉向20nm，單顆芯片的體積減少約三分之一，從而導致芯片價格大幅降低。公司產(chǎn)品有來自第三方國際上著名的代工企業(yè)SMIC、封裝測試企業(yè)日月光集團等企業(yè)在先進生產(chǎn)線和強大的產(chǎn)能支持，持續(xù)提升生產(chǎn)工藝和封裝測試等方面的技術水平。IP與技術專利：、90nm、65nm等多代SPI NOR Flash存儲器芯片，擁有SPI NOR Flash從芯片布圖設計、版圖設計等150多項專利，具有完全自主知識產(chǎn)權。自成立至今，公司建立了科學的管理體制和人才激勵機制，擁有來自于清華大學、北京大學、復旦大學、中國科學院等著名的IC設計名校專業(yè)人才48人，建立了一支精干、高效、團結的隊伍，為公司長遠發(fā)展奠定了堅實的人才基礎。高性價比使公司產(chǎn)品在市場上具有非常強的競爭力，對于芯片這種數(shù)量級較大的產(chǎn)品，價格上的優(yōu)勢使得公司取得了較高的占有率和良好的客戶聲譽。公司的產(chǎn)品種類達到80多種。公司的采取市場導向型的組織框架，保證公司很好的將市場和技術結合起來，在研發(fā)同時注重其商業(yè)應用，將高科技的成果轉化與客戶需求相結合，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、市場化。XXX公司采用Fabless模式，在芯片制造采用國際知名企業(yè)SMIC、華潤上華等知名IDM晶圓廠，在芯片測試方面采用與蘇州京隆、南通富士通、天水華天、華潤安盛等封測廠商合作。公司應用的IP模塊在設計、研發(fā)、實踐過程中反復檢驗，各項性能、技術指標趨于穩(wěn)定，便于在其他各類開發(fā)上進行復用。成熟的NOR Flash存儲器芯片讀取技術。公司在原材料采購和產(chǎn)品制造、產(chǎn)品營銷和服務等環(huán)節(jié)擁有完整、清晰的業(yè)務模式，根據(jù)行業(yè)特點和公司戰(zhàn)略采用Fabless經(jīng)營模式，公司不直接從事芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)制造，其生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)均以外包方式完成。公司整體的產(chǎn)品規(guī)劃發(fā)展由公司管理層結合市場尋求變化、技術發(fā)展情況進行統(tǒng)籌考慮，制定長遠發(fā)展戰(zhàn)略。二、項目研發(fā)目標本項目研發(fā)的NAND Flash芯片，項目最終產(chǎn)品研發(fā)目標如下：表51 擬升級開發(fā)芯片功能性能指標產(chǎn)品名稱型號功能描述技術指標NAND Flash芯片u 支持標準SPI, Dual SPI, Quad SPI和QPI數(shù)據(jù)接口u 支持1byte ~ 256 byte programu 支持4KB/32KB/64KB block erase和chip eraseu 支持擦除編程的掛起和恢復操作u 支持可識別參數(shù)u 存儲區(qū)域的靈活保護u 最大工作頻率：133MHz；u 最大數(shù)據(jù)傳輸速率：532Mbpsu 10萬次擦除/編程u 125度下數(shù)據(jù)存儲長達10年資料來源：XXX公司資料 2012，10表52 擬開發(fā)芯片功能性能指標項目NAND Flash成本芯片尺寸6mm x 5mm封裝形式WSON8功耗30mA最大頻率104Mhz讀取時間100us編程時間300us塊擦除時間3msCycling次數(shù)100,000次數(shù)據(jù)保持時間10年資料來源：XXX公司資料 2012，10三、項目建設目標為降低項目風險，優(yōu)化項目流程，本項目計劃分三期進行投入。會議室分別為可容納50人的大會議室和可容納10人的小會議室，主要用于接待客戶、日常工作會議以及項目組討論等。北京屬于季風氣候區(qū)，風向的季節(jié)變化明顯。高性能、小容量快閃存儲芯片產(chǎn)品的成功實施，證明XXX公司是全球少數(shù)能設計開發(fā)快閃存儲芯片的公司，也是中國能設計較小線寬、支持高速率傳輸、快速讀寫擦除，并實規(guī)模生產(chǎn)的快閃存儲芯片設計公司。公司在降低系統(tǒng)功耗方面使用了大量先進技術，并通過使用先進工藝制程、多功耗模式、低功耗電壓源等技術來降低功耗和成本。(5) 擴展性很強的NAND接口本項目開發(fā)的NAND Flash支持標準SPI, Dual SPI, Quad SPI和QPI數(shù)據(jù)接口，并帶有SD或HSMMC接口，擴展性較強。3芯片定義定義芯片設計帶寬、頻率等重要性能參數(shù)4系統(tǒng)架構設計對NAND Flash系統(tǒng)架構做整體設計主要包括軟件和硬件設計框架以及算法。10流片芯片設計硬件化的過程。由于MLC是一個存儲單位實現(xiàn)多位數(shù)的存取，因此需要精確控制MLC各個存儲位的閾值，以實現(xiàn)高效率、高穩(wěn)定度的數(shù)據(jù)讀寫和數(shù)據(jù)擦除。而NAND Flash內(nèi)部寫入數(shù)據(jù)、讀取數(shù)據(jù)、擦除數(shù)據(jù)一般需要6V、12V、28V等不同的高電壓。特別地，NAND Flash遵循根據(jù)FowlerNordheim (FN) 理論，工作中隧穿電子通過底部柵氧化層進入多晶硅浮柵電極中，從而實現(xiàn)浮柵單元的讀寫操作。（二）給排水給水項目所需水源為北京市海淀區(qū)提供的自來水。公司設有專職人員從事環(huán)境保護與監(jiān)測工作。2) 本項目2x nm NAND Flash芯片研發(fā)進度如下：3) 項目啟動后，T+1月T+22月，完成2x nm NAND Flash芯片規(guī)格、前端邏輯設計、的過程，基本完成NAND Flash的研發(fā)，進入批量生產(chǎn)階段。第八章 項目實施管理、勞動定員及人員培訓一、項目實施管理公司采用嚴格的質(zhì)量管理規(guī)范進行開發(fā)過程管理、產(chǎn)品測試、質(zhì)量管理。（3）封裝測試。設備包括開發(fā)PC機、工作站和EDA開發(fā)工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、測試基臺、機械手、探針臺等軟硬件設備。表101 項目投資估算表（單位：萬元）項目類別項目名稱費用測算（萬元）工程費用 合計 工程建設及其他費用 培訓費 合計 預備費 合計 鋪底流動資金鋪底流動資金 合計 總計 資料來源：XXX公司資料2012，10（二）年度資金預算本項目建設期3年，根據(jù)項目建設的性質(zhì)和實際研發(fā)的需要，新增設備、軟件投資主要在項目建設期第一、二年投入使用，設備、工程建設其他費用中的開發(fā)費用依據(jù)研發(fā)進度建設期內(nèi)分三年投入使用。辦公家具購置費本項目辦公場地家具包括辦公桌、辦公椅、辦公用文件柜等辦公家具的購置。由于使用公司已有的IP，故本項目沒有知識產(chǎn)權授權使用費投資。（三）分項投資構成場地購置費本項目地址擬選擇在北京市海淀區(qū)，計劃通過購置的方式取得。設備主要包括信號源、頻譜分析儀、開發(fā)PC機、EDA開發(fā)工具等。（4）成品測試。同時，產(chǎn)品研發(fā)系統(tǒng)將不斷發(fā)現(xiàn)的客戶需求和市場機會回饋到IC 研發(fā)系統(tǒng)，促進基礎IC 設計技術的提升和發(fā)展，進而形成良性的創(chuàng)新循環(huán)機制。5) T+28月T+29月，完成2x nm NAND Flash的流片、小批量試產(chǎn)。在樓房四周進行綠化，沿路種植樹木、草坪，起到美化環(huán)境和防塵作用。排水本項目主要排水為生活污水，經(jīng)處理后排入北京市海淀區(qū)的污水管網(wǎng)。此外，為了確?？刂茤藕透胖g的充分耦合，需要多晶硅間絕緣介質(zhì)沿著字線方向包圍、環(huán)繞著浮柵。同時，該超高壓產(chǎn)生電路還精確產(chǎn)生所需要的不同高電壓，有效實現(xiàn)NAND Flash的數(shù)據(jù)寫入、讀取和擦除。可以說，高精度的閾值控制技術是提升NAND Flash存儲容量的關鍵技術，也是增加NAND Flash可靠性、增加擦寫次數(shù)的關鍵技術。11量產(chǎn)芯片大規(guī)模生產(chǎn)形成真正產(chǎn)品的過程，在此期間公司主要關注芯片良率等生產(chǎn)問題。文檔中需要詳細描述時鐘/復位等重要單元的實現(xiàn)策略，評估帶寬/頻率等重要參數(shù)，為IC設計打好基礎。三、項目技術路線（一）遵循標準NAND Flash研發(fā)遵循固態(tài)技術協(xié)會對晶體管方面的標準，目前NAND Flash開發(fā)方面遵循的行業(yè)標準，分別為：JESD216標準：串行flash可識別參數(shù)標準JESD22A108標準：關于HTOL的標準JESD220A117標準：關于可靠性的標準JESD22A103amp。公司在快閃存儲器芯片的擦寫方面積累了豐富的技術，尤其在大容量的芯片擦除方面，大容量擦除過程中存在無法一次性擦除、過擦除、區(qū)域擦除不完全等問題，公司在快閃存儲器擦除中積累的大量的專利技術。MLC技術將兩個單位的信息存入一個浮置柵極，然后利用不同電位的電荷，通過內(nèi)存中儲存的電壓控制精準讀寫。就北京地區(qū)就地質(zhì)構造而言，地下多為堅硬的巖石，地質(zhì)結構比較穩(wěn)定。芯片研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash芯片的技術改造，用于開發(fā)、測試NAND Flash芯片；硬件研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術改造，核心模塊的電路設計、仿真、測試；軟件研發(fā)實驗室主要用作芯片產(chǎn)品軟件算法開發(fā)。第二年繼續(xù)引入研發(fā)設備和研發(fā)人員，繼續(xù)對產(chǎn)品進行升級和研發(fā)；加大市場推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，擴大市場銷售收入。IC芯片產(chǎn)品