【正文】 －應用核技術與自動化工程學院－ 射氣在介質(zhì)中的遷移 溫度差異越大， 抽吸 作用越大。 射氣的性質(zhì)和射氣暈的形成 （ 1）擴散作用 (2) 除 擴散系數(shù) 外，尚用 擴散長度 來描述射氣的擴散。 射氣的性質(zhì)和射氣暈的形成 （ 2）影響射氣系數(shù)的主要因素 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 巖石和礦石的射氣作用 ① 巖石破碎程度高，射氣系數(shù)增大。 溫度增加，溶解度降低。例在 0oC時 Rn溶解度系數(shù)為； 30oC時，溶解度系數(shù)為 。 ②溫度增高，巖石射氣系數(shù)增大。 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 射氣在介質(zhì)中的遷移 擴散長度 l－當某一點的射氣濃度減少到原始射氣濃度 1/e時，該點離射氣源的距離。 抽吸 作用是近幾年提出的氡氣遷移方式之一。但理論公式對于工作方法選擇、地質(zhì)解釋還是有價值的。形成以礦體為中心的向四周降低的射氣異常。 分析 2： 若擴散系數(shù)為，取樣深度為 1m，以可以探測到礦層表面射氣濃度百分之一為可以發(fā)現(xiàn)異常，則射氣測量的探測深度為 5－ 10m。 x(m) 0 ?NN 102 102 3 102 用內(nèi)插法求出實測曲線的K值。當實測的射氣濃度明顯高于計算濃度時，則高出的濃度值可能意味深部存在礦（化）體，從而可以區(qū)分異常，確定有利地段。 測氡儀 RAD7 連續(xù)測氡儀 1027 (37000Bq/m3) ? 勘查隱伏放射性礦床 ? 探測斷層、裂隙 ? 尋找基巖裂隙水 ? 放射性環(huán)境評價 ? 其它應用 (二 )射氣測量的應用 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 巖溶陷落柱在煤礦又稱為 “ 無炭柱 ” ,其形成的主要原因是由于地下碳酸鹽巖在水的溶蝕下產(chǎn)生喀斯特溶洞 ,溶洞的塌陷造成其上部地層垮落 ,從而形成在剖面上看呈柱狀的陷落體． ,且裂隙發(fā)育 ,碎粒間的連通性較柱外正常地層好 ,有利于氡氣的釋放和向上運移 ,因此形成柱體內(nèi)外的氡氣濃度差異．此外巖溶陷落柱大都為上小下大的形狀 ,如同一個大 “ 集氣杯 ” ,加上柱體內(nèi)外存在著壓差及氡氣自身所具有的向上運移能力 ,因此在柱體內(nèi)外頂部的地表附近形成較高的氡氣濃度差異． 氡氣測量用于地表探測巖溶陷落柱的位置與范圍 其它 射氣測量方法簡介 活性炭： 用含炭物質(zhì)為主的物質(zhì)做原料，含有少量的 氧、氫、硫等核素及水分和灰分，經(jīng)高溫加 工制成的疏水性固體吸附劑。 ? 2． 埋杯： 將探杯倒置于坑中，用土埋嚴。 （ 2） α卡（杯）法的野外施工步驟 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ (3)α卡（杯）測量儀器 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 圓柱形脈沖電離室的結(jié)構(gòu)極為簡單。 、 圖 3是脈沖電離室的工作原理。 一般機械振動等引起的干擾噪聲頻率較低，約為幾十赫茲到幾干赫茲，相應的脈沖寬度較寬，與圓柱形電離室形成的脈沖相比，噪聲脈沖的前沿相對較緩，因而通過脈沖成形電路網(wǎng)絡就可以減小低頻噪聲的干擾，提高信噪比。 定時：自動定時分為 1180。、 1400180。 222Rn和 220Rn都是自然界存在的放射性元素氡的同位素，它們分別來自不同的母體鈾和釷。 該方法靈敏度高，但成本高。 長 10－ 30μ m 。 ? 要在某一絕緣固體物質(zhì)中產(chǎn)生可蝕刻徑跡，粒子的初始電離率 (即損傷率 )J必須超過某一臨界電離率 Jc。 ? 基本規(guī)律：電荷量多，電離率高； ? 速度太快，作用時間短電離率低； ? 速度太慢，受電子干擾電離率低。 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 產(chǎn)生的正離子相互之間激烈地排斥，使它們進入到周圍的固體物質(zhì)中，從而產(chǎn)生一些空的晶格點和縫隙 。 其它 射氣測量方法簡介 （ 1） 概述 第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ α 徑跡測量 ? 20世紀 70年代發(fā)展的探測鈾礦技術。多參數(shù)測量可以判別氡異常的性質(zhì)，排除地表干擾因素，有利于確定地質(zhì)構(gòu)造的分布位置． 222Rn+220Rn=N1 220Rn=N2eλt 222Rn=N1220Rn 222Rn/220Rn=(N1/N2)eλt1 勘查隱伏構(gòu)造中的放射性測量剖面 α卡（杯）測量實例 浙江某地 11號測線綜合剖面圖 1—浮土； 2一砂巖； 3一大理巖； 4一構(gòu)造角礫巖； 5一斷層； 6—地面 γ測量曲線； 7一孔中 γ測量曲線； 8一 α卡測量曲線 其它 射氣測量方法簡介 硅半導體 α 儀測量方法是 1975年以后發(fā)展起來的一種累積測氡的新方法。 自檢：有快慢兩種自檢信號。、 10180。連續(xù)工作，不需要值班人員供電電源：六節(jié)一號電池或相同尺寸的 GNY3鎘鎳蓄電池（帶充電器），更換一次電池 或充電一次可工作臺 400小時以上（有電池更換指示）。脈沖形成始于離子的產(chǎn)生。它由高壓電極、收集電極和保護環(huán)等構(gòu)成，其中高壓電極包括電離室壁和電離室蓋，保護環(huán)是個接地的金屑環(huán)，它的作用是消除高壓漏電電流對收集電極的影響，減少高壓漏電的噪聲，井使收集電極在邊緣處的電場保持均勻。探測儀內(nèi)進行測量。 方法分類： 1）微分法（又稱瞬時法或稱抽氣法） 2）積分法（又稱長時間法或稱累積法） 目前，一般采用積分法。 幾點認識（續(xù)）： 4）當存在構(gòu)造、破碎帶等有利地質(zhì)條件時，射氣的遷移距離遠遠大于理論計算值。 ?????????????xKeNN?1? ?111 hbeNN ??? ??? ?212 hbeNN ??? ??）（）（）（）（2121111121bhbhbhbheeeNeNNN????????????第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ 12 2211 bhbh eNNeNN ?? ???12 2121 bhbh eNeNNN ?? ??? 為了確定 b值，將 展成級數(shù)，取前 4項 12 bhbh ee ?? 與??????????????????????????????? 3212111321211131211232222121）（）（）（）（ bhbhbhNbhbhbhNNN321221211 6121 ）（）（ bhNbhNbhNN ????312212122 6121 ）（）（ bhNbhNbhNN ????33213122221212211221)(61)(21)(bhNhNbhNhNbhNhNNN????????第 5章 常規(guī)射氣測量 －應用核技術與自動化工程學院－ AhNhNBhNhNChNhN ?????? )()()( 3213122212122112 ；；記：02161 23 ??? CbBbAbACABABb 62323 2 ??????? ????2bK??Kb?? 由于測量影響因素多，一般應利用 h h2兩個深度處幾組測量值計算幾組 K值，并以其平均值作為結(jié)果。因此在地表測量時，所測量的 Tn射氣代表的是來自地表的射氣。 鈾礦體形成的射氣場 分布示意圖 射氣分布的理論計算 當射氣由礦體向地表遷移時，單位時間內(nèi) dx層中射氣量的改變與通過 dx層底面和頂面的射氣流之差、以及單位時間內(nèi)在 dx層中衰變的射氣量有關，它們之間的關系為 第 5章 常規(guī)射氣測量 －核技術與自動化工程學院－ 層狀礦體上面非放射性浮土中的射氣分布 ? ? ? ? dxSNdQdxSNdtd ????????? ?dx x Q Q+dQ N－ dx層中的射氣濃度； S－ dx層的面積； Q－通過 dx層底面