zno基p-n結及其紫外發(fā)光性能的研究(完整版)
【正文】 ，因此薄膜中必存在 SiO2 。 謝 謝！ Thank you ! 。 3） 若生長 ZnO pn結 ， 應首先在襯底表面采用急速退火生成一層 3～ 5nm SiO2晶體 ， 可有效防止襯底和薄膜之間的互擴散 。在厚度小于 ，是 ZnO, aSiO2和Zn2SiO4共存；當厚度大于 時，主要是 aSiO2和 Zn2SiO4共存。 350 400 450 500 550 600 650 Zn2SiO4 ZnO Wavelength (nm) 505nm 525nm 390nm ZnO(800OC, 1小時退火 )薄膜的光譜解析： 390nm:ZnO的紫 外激光 453nm:未知藍色 熒光 525nm:硅酸鋅的 綠色熒光 350 400 450 500 550 600 650 ZnO(800OC退火 ） Wavelength (nm) 453nm 525nm 390nm 進一步證實 掠入射 X射線衍射 (GXRD) 確立了硅酸 鋅的產生， 但沒有發(fā)現(xiàn) 453nm 藍色 熒光的來源： 可能是某些 非晶態(tài)物質。 ) 505nm的寬帶 “ 綠峰 ” ，產生于缺陷發(fā)光 (包括“ 施主 受主對 ” 躍遷 )。 100nm 6) ZnO 薄膜的 光學特性： 350 400 450 500 550 600 700 pZnO nZnO Intensity (arb. Unit) Wavelength (nm) 390nm ZnO薄膜的陰極射線發(fā)光光譜。 3)生長溫度以及速率的控制： 采用兩步生長法：先用低溫慢速率（ 200oC， /s） 生長 200 197。 2）速率較慢，雖去除了氧空位，但也不利于生 成受主反位鋅； 3）速率過快，達不到使薄膜富氧的效果。ZnO基 pn結及其紫外發(fā)光性能的研究 報 告 人： 許小亮 工作單位 : 中國科學技術大學物理系 E mail: 電 話 : 0551 3607574 大學物理研究型實驗網上教學材料 目 錄 1．引 言 : ZnO薄膜的紫外激光研究綜述 v ZnO薄膜材料簡介，特點和用途 v ZnO基 pn結研究的幾個方面之比較 v 2. 本課題研究內容 v理論基礎： ZnO薄膜中的缺陷及其對制備 pZnO的影響分析 v p 型和 n型 ZnO薄膜的光學和結構特性 v熱處理溫度和方式對 ZnO薄膜 和 ZnO pn 結質量的影響 v研究展望 3. 成果小結 ZnO材料簡介，特點和用途 第三代寬禁帶光電功能材料的代表之一 ZnSe(1990),SiC(1992),GaN(1994),ZnO(1996) （特點： 禁帶寬度 (eV)＝ 1240 / 激光波長 (nm),反比關系） 1. ZnO是寬禁帶 : 、 高 束縛激子能 60 meV，大于室溫的熱離化能 26 meV， 因此 與其它幾種寬禁帶發(fā)光材料如 ZnSe(束縛激子能 22 meV), ZnS(40 meV)和 GaN (25 meV)相比 , ZnO是一種合適的用于室溫或更高溫度下的紫外激光材料 2. 生長成本較低 ZnO 同質 pn結研究的幾個 方面之比較 （ i） 半導體發(fā)光的
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