zno基p-n結(jié)及其紫外發(fā)光性能的研究(完整版)
【正文】 ，因此薄膜中必存在 SiO2 。 謝 謝！ Thank you ! 。 3） 若生長(zhǎng) ZnO pn結(jié) ， 應(yīng)首先在襯底表面采用急速退火生成一層 3～ 5nm SiO2晶體 ， 可有效防止襯底和薄膜之間的互擴(kuò)散 。在厚度小于 ，是 ZnO, aSiO2和Zn2SiO4共存；當(dāng)厚度大于 時(shí)，主要是 aSiO2和 Zn2SiO4共存。 350 400 450 500 550 600 650 Zn2SiO4 ZnO Wavelength (nm) 505nm 525nm 390nm ZnO(800OC, 1小時(shí)退火 )薄膜的光譜解析： 390nm:ZnO的紫 外激光 453nm:未知藍(lán)色 熒光 525nm:硅酸鋅的 綠色熒光 350 400 450 500 550 600 650 ZnO(800OC退火 ） Wavelength (nm) 453nm 525nm 390nm 進(jìn)一步證實(shí) 掠入射 X射線衍射 (GXRD) 確立了硅酸 鋅的產(chǎn)生， 但沒(méi)有發(fā)現(xiàn) 453nm 藍(lán)色 熒光的來(lái)源： 可能是某些 非晶態(tài)物質(zhì)。 ) 505nm的寬帶 “ 綠峰 ” ，產(chǎn)生于缺陷發(fā)光 (包括“ 施主 受主對(duì) ” 躍遷 )。 100nm 6) ZnO 薄膜的 光學(xué)特性： 350 400 450 500 550 600 700 pZnO nZnO Intensity (arb. Unit) Wavelength (nm) 390nm ZnO薄膜的陰極射線發(fā)光光譜。 3)生長(zhǎng)溫度以及速率的控制： 采用兩步生長(zhǎng)法：先用低溫慢速率（ 200oC， /s） 生長(zhǎng) 200 197。 2）速率較慢，雖去除了氧空位，但也不利于生 成受主反位鋅； 3）速率過(guò)快，達(dá)不到使薄膜富氧的效果。ZnO基 pn結(jié)及其紫外發(fā)光性能的研究 報(bào) 告 人： 許小亮 工作單位 : 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系 E mail: 電 話 : 0551 3607574 大學(xué)物理研究型實(shí)驗(yàn)網(wǎng)上教學(xué)材料 目 錄 1．引 言 : ZnO薄膜的紫外激光研究綜述 v ZnO薄膜材料簡(jiǎn)介，特點(diǎn)和用途 v ZnO基 pn結(jié)研究的幾個(gè)方面之比較 v 2. 本課題研究?jī)?nèi)容 v理論基礎(chǔ)： ZnO薄膜中的缺陷及其對(duì)制備 pZnO的影響分析 v p 型和 n型 ZnO薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性 v熱處理溫度和方式對(duì) ZnO薄膜 和 ZnO pn 結(jié)質(zhì)量的影響 v研究展望 3. 成果小結(jié) ZnO材料簡(jiǎn)介，特點(diǎn)和用途 第三代寬禁帶光電功能材料的代表之一 ZnSe(1990),SiC(1992),GaN(1994),ZnO(1996) （特點(diǎn)： 禁帶寬度 (eV)＝ 1240 / 激光波長(zhǎng) (nm),反比關(guān)系） 1. ZnO是寬禁帶 : 、 高 束縛激子能 60 meV，大于室溫的熱離化能 26 meV， 因此 與其它幾種寬禁帶發(fā)光材料如 ZnSe(束縛激子能 22 meV), ZnS(40 meV)和 GaN (25 meV)相比 , ZnO是一種合適的用于室溫或更高溫度下的紫外激光材料 2. 生長(zhǎng)成本較低 ZnO 同質(zhì) pn結(jié)研究的幾個(gè) 方面之比較 （ i） 半導(dǎo)體發(fā)光的
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