晶體管單級放大器設(shè)計(完整版)
【正文】 故選用高頻 小功率管 3DG100，其特性參數(shù)ICM=20mA， V(BR)CEO≥20V， fT ≥ 150MHz ? 通常要求 ?的值大于 AV的值，故 選 ? = 60。 如果出現(xiàn) VCQ ? VCC，說明晶體管工作在截止 狀態(tài)； 如果出現(xiàn) VCEQ ? ，說明晶體管已經(jīng)飽和 。 2. 性能指標測試與電路參數(shù)修改 示波器用于觀測放大器的輸入、輸出電壓波形并讀取測量值。 2. 性能指標測試與電路參數(shù)修改 再例如，希望降低放大器的下限頻率 fL，根據(jù)電容計算式，也可以有三種途徑，即 f L ?C E ? 、 C B ? 、 C C ? 電路的性能價格比 ?r be ? A V ?R C ? R o ? 不論何種途徑，都會影響放大器的性能指標，只能根據(jù)具體的指標要求，綜合考慮。 FA ??VFA ?? V1 ?FAAA ????VVVF1 ??≈ 1/F 2. 擴展放大器的通頻帶 負反饋放大器的上限頻率 fHF與下限頻率fLF的表達式分別為 ???????????LVLFHVHF111fFAffFAf????可見，引入負反饋后通頻帶加寬。 六、設(shè)計任務(wù) 設(shè)計課題：單級阻容耦合晶體管放大器設(shè)計 ?已知條件 +VCC=+12V， RL=2k?， Vi=10mV， Rs=50?。 ⑥ 所有實驗完成后，寫出設(shè)計性實驗報告，其要求詳見附錄二。 ? 實驗儀器設(shè)備 (略 ) 六、設(shè)計任務(wù) ?設(shè)計步驟與要求 ① 認真閱讀本課題介紹的設(shè)計方法與測試技術(shù) ， 寫出設(shè)計預(yù)習報告 (其要求見附錄二 )。 電壓負反饋使輸出阻抗降低，電流負反饋使輸出阻抗升高。由圖可見，實驗調(diào)整后的元件參數(shù)值與設(shè)計計算值有一定差別。 ? AV 、 Ri、 Ro ： fi=1kHz， Vi = 10mV ? BW： 當頻率改變時，信號發(fā)生器的輸出電壓可能變化，應(yīng)及時調(diào)整，以維持 Vi = 10mV始終不變。 如果 VCEQ為正幾伏，說明晶體管工作在放大狀態(tài)，但并不能說明放大器的靜態(tài)工作點設(shè)置在合適的位置，所以還要進行動態(tài)波形觀測。 )?1kΩ， 有 3 0 01 0 0 026CQ ????I取 ICQ = 26mV ｛ ICQ ｝ mA mA 依據(jù) 指標要求 、 靜態(tài)工作點范圍 、 經(jīng)驗值 進行計算 解 (2) 設(shè)置靜態(tài)工作點并計算元件參數(shù) 若取 VBQ = 3V，得 ???? CQBEBQE IVVR取標稱值 ? 因 IBQ＝ ICQ/ 223。 ( a) ( b) ( c)CBRsrbeCCRCRL? IBRCRE CE???1besrR＋－＋ ＋＋－＋Vs? 頻率特性和通頻帶 如果放大器的下限頻率 fL已知，則可按下列表達式估算： )(π21)10~3(CbesLBrRf ??)(π21)10~3(CLCLCRRf ??)1//(π21)3~1(besEL ????rRRfC EBW的測試方法 : 采用 “ 逐點法 ” 測量放大器的幅頻特性曲線。 輸出電阻 ro為晶體管的輸出電阻 。 CB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoVi 該電路利用電阻 RB RB2的分壓固定基極電位 VBQ。 放大器的靜態(tài)工作點Q主要由 RB RB RE、RC及電源電壓 +VCC所決定。 放 大 器信 號 源RRi＋－＋－VsViRVVVRisii ??Ri的測試方法： “ 串聯(lián)電阻法 ” 在輸出波形不失真情況下，用晶體管毫伏表或示波器，分別測量出 Vi與 Vs的值，則 RVVVRisii ??式中， Vs為信號源的輸出電壓值。 ? 頻率特性和通頻帶 電容 CB、 CC及 CE單獨存在時所對應(yīng)的等效回路如圖 (a)、 (b)、 (c)所示。 解 (2) 設(shè)置靜態(tài)工作點并計算元件參數(shù) 靜態(tài)工作點 Q，計算如下： 要求 Ri(Ri≈rbe ≈300＋ 223。 1. 靜態(tài)工作點測量與調(diào)整 調(diào)整方法是改變放大器上偏置電阻 RB1的大小，即調(diào)節(jié)電位器的阻值，同時用萬用表分別測量晶體管的各極的電
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