[工學(xué)]半導(dǎo)體存儲器(完整版)
【正文】 電可擦可編程 ROM（ EEPROM） EPROM存儲單元編程 829 若要擦除所寫入的數(shù)據(jù)，可將其置于 EPROM擦除器產(chǎn)生的強紫外光照射之下，并持續(xù)一定時間（幾到十幾分鐘），浮柵上的電子通過紫外光獲得光子能量，而穿透絕緣層回到襯底中，芯片又恢復(fù)到全部存儲單元為 1的初始狀態(tài)。 A0 A14 A13 地 址 范 圍 OE GND R/W A12 R/W A12 HM6264 Ⅱ I/O7 I/O1 I/O0 VDD 它的特點是讀 /寫方便，使用靈活，一旦斷電數(shù)據(jù)隨之丟失（即數(shù)據(jù)具有易失性） ?靜態(tài)隨機存取存儲器 SRAM SRAM(Static Random Access Memory) ?動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM DRAM(Dynamic Random Access Memory) RAM分為 811 RAM結(jié)構(gòu) ?存儲矩陣 ?地址譯碼器 ?讀寫控制電路 （ I/O電路） RAM結(jié)構(gòu)示意圖 (行)地址譯碼器 (列 )地址譯碼器 x y 存 儲 矩 陣 讀寫控制電路 I/O A0 A1 Ai An1 Ai＋ 1 Ai＋ 2 讀寫 (R/W) 片選 (CS) SL/SR CP O0 EN 1 EN 1 m位雙向 移位寄存器 Om－ 1 ≥ 1 1024位動態(tài)移存器 amp。 amp。 I0 CP CP CP CP CP CP amp。 812 RAM結(jié)構(gòu) 存儲矩陣 ?存儲矩陣實際上就是存儲體，由大量存儲單元按矩陣排列而成，存儲矩陣的規(guī)模越大，存儲器存儲容量越大 ?存儲矩陣中的存儲單元有靜態(tài)單元和動態(tài)單元兩類，分別構(gòu)成 SRAM和 DRAM ?存儲矩陣中一個基本存儲單元能存儲一位二值數(shù)據(jù)，常將 n 個存儲單元組合在一起構(gòu)成字長為 n 位的字，大多數(shù)存儲器以一個字為單位存取數(shù)據(jù) 813 RAM結(jié)構(gòu) 地址譯碼器 ?存儲單元在存儲矩陣中的物理空間位置標(biāo)識稱為 地址 ，用二進制代碼表示稱為 地址碼 ?地址碼和存儲單元在存儲矩陣中的物理空間位置一一對應(yīng)，給定一個確定的地址碼，就能找到一個確定的存儲單元。 D0 A0 CS1 CS2 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD 各芯片地址范圍 823 只讀存儲器（ ROM） 只讀存儲器簡稱 ROM，工作時只能讀取不能寫入數(shù)據(jù)，是一種固定存儲器，它所存儲的數(shù)據(jù)即便在斷電后也不會丟失，常用于存儲程序、函數(shù)表、字符、常數(shù)、表格等需要長期存儲的數(shù)據(jù) ?固定 ROM ROM分為 ?可編程 ROM (PROM) (Programmable Read Only Memory) ?可擦除可編程 ROM (EPROM) (Erasable Programmable Read Only Memory) ?電可擦可編程 ROM (EEPROM, E2PROM) (Electronics Erasable Programmable Read Only Memory) 824 固定 ROM ?固定 ROM的結(jié)構(gòu)與 RAM 類似，由存儲矩陣、地址譯碼器和輸出電路組成，各組成部分的作用也類似。該芯片又可以再一次被用戶 改寫編程（ 用戶多次編程 ）， 數(shù)據(jù)可保存約 10年。 ROM擁有幾個數(shù)據(jù)輸出端就可產(chǎn)生幾個邏輯函數(shù)輸出 ?用 ROM實現(xiàn)組合邏輯電路的方法很簡單，只要列出該函數(shù)的真值表，將全部最小項相或，即可直接畫出存儲矩陣的陣列圖 833 用 ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù) 例 用 PROM構(gòu)成將 4位二進制碼轉(zhuǎn)換成循環(huán)碼的碼
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