[工學(xué)]半導(dǎo)體存儲器-免費閱讀
【正文】 為區(qū)別 于固定 ROM，這些可編程單 元在陣列圖中的交叉點上用 “ ” 表示，而不再用圓點 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 和電可擦可編程 ROM（ EEPROM） EPROM存儲單元擦除 Wi Yj 830 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 和電可擦可編程 ROM（ EEPROM） EEPROM存儲單元結(jié)構(gòu) N＋ N＋ P型硅襯底 S D G 擦寫柵 浮柵 SiO2 SiO2極薄層 Wi Yj 位 線 D1 S1 T2 G1 831 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 和電可擦可編程 ROM（ EEPROM） 快閃存儲器 (Flash Memory) N＋ N＋ P型硅襯底 S D G 浮柵 SiO2 隧道區(qū) Wi Yj 位 線 D S VSS G 832 用 ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù) ?ROM中的地址譯碼器實際上是與門陣列，存儲矩陣實際上是或門陣列，因此從概念上說 ROM是組合邏輯電路， ROM可實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)，若把地址當(dāng)作邏輯函數(shù)的輸入變量，則地址譯碼器的輸出端對應(yīng)產(chǎn)生輸入變量的全部最小項，而存儲矩陣則將有關(guān)最小項相或后得到輸出變量。但是， ROM 不設(shè)輸入電路，且 ROM的存儲矩陣結(jié)構(gòu)較為簡單 ?按存儲矩陣中使用的器件分為，二極管ROM、雙極型三極管 ROM和 MOS管 ROM ?固定 ROM中存儲的數(shù)據(jù)是在芯片出廠之前已經(jīng)由生產(chǎn)廠商寫入（即 廠家編程 ），而且是固定的，使用者只能讀出數(shù)據(jù)不能改寫 825 固定 ROM 1 1 1 1 D0 A1 A0 D1 D2 D3 EN EN W1 W0 W2 W3 R R R R 地 址 譯碼器 存儲矩陣 1 1 +VCC R R R R 字 線 位線 D0 D1 D2 D3 與陣列 或陣列 ≥1 amp。 VDD A0 A1 A13 A14 Y2 Y3 Y0 1 BIN/OCT 822 RAM存儲容量的擴展 OE GND R/W A12 D0 OE GND R/W A12 對存儲器進行操作時，必須由 地址譯碼器 對地址碼譯碼，譯碼器輸出相應(yīng)的行線和列線的高電平，使被選中單元與 I/O電路接通，僅對被選中單元進行讀 /寫操作。 I1 I7 片選 讀 寫 /循環(huán) O0 O1 O7 ?循環(huán)刷新 ?讀和寫 89 動態(tài)移存器和順序存取存儲器（ SAM） FILO型 SAM ≥ 1 1024位動態(tài)移存器 amp。所以它只能在移位脈沖的作用下，也就是動態(tài)中運用，故稱為動態(tài)移位寄存器 86 動態(tài) CMOS反相器 VDD vO C TG CP R CP vI ＋ ＋ － － 87 動態(tài) CMOS移存單元 VDD C2 TG2 CP CP VDD C1 TG1 CP CP 主 從 1位 88 動態(tài)移存器和順序存取存儲器（ SAM） FIFO型 SAM amp。 amp。 工作時可以隨時讀取 RAM中任何指定位置已存數(shù)據(jù)，或向 RAM中的任何指定位置寫入數(shù)據(jù)。 CO W 寫行線 讀行線 預(yù)充 脈沖 C 818 RAM存儲單元 MOS動態(tài)存儲單元 CO T D Xi CS 位 線 819 RAM集成芯片 HM6264 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
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