[工學(xué)]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)版)
【正文】 23 24 25 26 27 28 HM 6264 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND VDD R/W CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 高阻懸浮 1 1 1 0 輸出禁止 高阻懸浮 0 維持 (未選中 ) 高阻懸浮 1 維持 (未選中 ) 輸入數(shù)據(jù) 0 1 0 寫 (選中 ) 輸出數(shù)據(jù) 1 0 1 0 讀 (選中 ) I/O R/W OE CS2 CS1 工作狀態(tài) HM6264工作狀態(tài) 820 RAM存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展 位擴(kuò)展 CS1 HM6264 Ⅰ I/O7 I/O1 I/O0 VDD D1 D7 D8 D9 D15 VDD A0 1 1 821 RAM存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展 字?jǐn)U展 ST R/W A12 A0 CS1 CS2 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD 正常工作時(shí)＋ 5V的控制柵電壓不能再使管子導(dǎo)通，說(shuō)明該存儲(chǔ)單元被長(zhǎng)期寫入 0。 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 D3 D2 D1 D0 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 A2 A1 A0 Cii1 i Bi Si COi 實(shí)現(xiàn) 1位全加器的 PROM陣列圖 837 ROM集成芯片 2716 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 2716 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC A8 A9 VPP OE A10 CS/PGM D7 D6 D5 D4 D3 數(shù)據(jù)輸出 +25V 0 0 編程檢驗(yàn) 高阻懸浮 +25V 1 0 禁止編程 高阻懸浮 +25V 1 編程 +5V 1 維持 輸出數(shù)據(jù) +5V 0 0 讀出 輸出 D VPP OE CE/PGM 工作狀態(tài) 2716工作狀態(tài) 數(shù)據(jù)寫入 當(dāng)紫外線波長(zhǎng) l＝ 2537埃時(shí)，距離紫外光源 需照射 15～ 20分鐘，獲得 1200mW/cm2的光能， 2716的數(shù)據(jù)被擦除。 amp。 Ⅳ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 1 1 Ⅲ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 1 0 Ⅱ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 0 1 Ⅰ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 0 0 CS1有效的芯片 A12 A11 A0 CS1 CS2 Y1 D7 A0 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD A0 CS1 CS2 D D I/O R/W CS G2 G1 G3 G4 G5 CS＝ 0時(shí)， R/W＝ 1可進(jìn)行讀操作； R/W＝ 0可進(jìn)行寫操作 數(shù)字系統(tǒng)中的 RAM一般由多片組成，當(dāng)系統(tǒng)每次讀 /寫時(shí)，僅僅針對(duì)其中一片（或幾片）操作，片選輸入端 CS就是為此而設(shè)置的，當(dāng) CS＝ 1時(shí)，讀、寫操作都被禁止 816 RAM存儲(chǔ)單元 MOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元 T3 T4 T6 T2 T1 Tj Tj D Yj
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