等離子刻蝕工藝原理介紹(完整版)
【正文】 p r o v e s s e l e c t i v i t y t o S i O 2S F 6 H i g h e r e t c h r a t e ,g o o d o x i d e s e l e c t i v i t y , i s o t r o p i cN F 3 H i g h e t c h r a t e , b u t i s o t r o p i cH B r / N F 3 / O 2 G o o d p r o f i l e c o n t r o l f o r d e e p t r e n c hMetal Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 Bias/TCP 功率 壓力 (磁場 ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 BCl3+ 化學(xué)腐蝕 Cl* 化學(xué)淀積 BCl3(+PR) 腐蝕 淀積 Metal Etch各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sA l u m i n u m o rA l u m i n u m A l l o yB C l 3 / C l 2 C l e t c h e s A l ,B i m p r o v e s p a s s i v a t i o nN 2 / C H F 3 I m p r o v e p r o f i l e c o n t r o l , s i d e w a l lp a s s i v i a t i o n , C H F 3 f o r 0 . 2 5 u mt e c h n o l o g yAr R e m o v e S i , C u a n d T i N r e s i d u eS F 6 W e t c h a n tSIO2 Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 RF 功率 壓力 (磁場 ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 Ar+ 化學(xué)腐蝕 F* 化學(xué)淀積 CF2(+PR) 腐蝕 淀積 SIO2/SiN Etch各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sS i O 2 o r S i N C H F 3 / C F 4 S t a n d a r d e t c h g a s , C F 4e t c h a n t , C H F 3 g i v e m o r ep o
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