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正文內(nèi)容

基于nor的非易失性存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(完整版)

  

【正文】 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ................................................ 1 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器( DRAM) ................................. 1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器( SRAM) ............................. 2 非易失性存儲(chǔ)器( NVW) ....................................... 3 鐵電存儲(chǔ)器 (FeRAM) ...................................... 3 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) ................................... 4 浮柵場(chǎng)效應(yīng)管 ................................................ 5 第 2 章 基于 NOR 非易失存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì) ................................. 7 第 3 章 基于 NOR 的非易失存儲(chǔ)器版圖設(shè)計(jì) .............................. 9 版圖設(shè)計(jì)流程 ................................................ 9 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 ................................................ 9 線(xiàn)寬規(guī)則 .............................................. 10 間距規(guī)則 .............................................. 10 交疊規(guī)則 .............................................. 11 延伸規(guī)則 .............................................. 11 天線(xiàn)效應(yīng) .............................................. 12 版圖驗(yàn)證 ................................................... 12 DRC( Design Rule Check)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 .................. 13 LVS(Layout Versus Schematic)版圖和電路圖一致性檢查 .... 13 基于 NOR 的非易失版圖實(shí)現(xiàn) ................................... 13 8 位 8 位非易失存儲(chǔ)器電路圖 ........................... 13 8 位 8 位非易失存儲(chǔ)器版圖 ............................. 14 DRC 檢測(cè) .............................................. 15 第 4 章 結(jié)論 ....................................................... 17 參考文獻(xiàn) ........................................................... 18 致謝 ............................................... 錯(cuò)誤 !未定義書(shū)簽。 I I 摘 要 基于浮柵概念的閃存由于其小的單元尺寸和良好的工作性能已經(jīng)成為最通用的非易失性存儲(chǔ)器。 1 1 第 1 章 緒論 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn) , 已廣泛應(yīng)用于數(shù)字系統(tǒng)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo)主要有: 1. 存儲(chǔ)容量:存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù) M每單元位數(shù) N 2. 存取時(shí)間:從啟動(dòng)讀 (寫(xiě) )操作到操作完成的時(shí)間 3. 存取周期:兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間 4. 平均故障間隔時(shí)間 MTBF(可靠性) 5. 功耗:動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器( DRAM) DRAM( Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器 最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。讓我們看一下動(dòng)態(tài)效果 讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管 Q4 使讀數(shù)據(jù)線(xiàn)上的分布電容 CD 充電,當(dāng)讀選擇線(xiàn)為高電平有效時(shí) , Q3 處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。 Pentium II 又把 L2 Cache 移至 CPU 內(nèi)核之外的黑盒子里。鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理是基于鐵電材料的高介電常數(shù)和鐵電極化特性,按工作模式可以分為破壞性讀出 (DRO)和非破壞性讀出 (NDRO)?;?NDRO 工作模式的鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FFET)是一種比較理想的存儲(chǔ)方式。 MTJ 元件是由磁 場(chǎng)調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行來(lái)建立兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),在反平行狀態(tài)時(shí)通過(guò)此元件的電子會(huì)受到比較大的干擾,因此反映出較高的阻值;而在平行狀態(tài)時(shí)電子受到的干擾較小得到相對(duì)低的阻值。它具有兩個(gè)柵極,一個(gè)如普通場(chǎng)管柵極一樣,用導(dǎo)線(xiàn)引出,稱(chēng)為 “選擇柵 ”;另一個(gè)則處于二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連,這個(gè)不與任何部分相連的柵極稱(chēng)為 “浮柵 ”。 由于熱電子的速度快,所以編程時(shí)間短,并且數(shù)據(jù)保存的效果好,但是耗電量比較大。如果交點(diǎn)上沒(méi)有激活的晶體管,那么列電壓被 pMOS 負(fù)載器件拉到高電平。另一方面,如果沒(méi)有這個(gè)觸點(diǎn),就是在單元中存儲(chǔ)了“ 1”。 版圖設(shè)計(jì)的方法可以從不同角度進(jìn)行分類(lèi),按自動(dòng)化程度大致可分為三類(lèi):全自動(dòng)設(shè)計(jì)、半自動(dòng)設(shè)計(jì)和手工設(shè)計(jì)。在這類(lèi)規(guī)則中,每個(gè)被規(guī)定的尺寸之間,沒(méi)有必然的比例關(guān)系。 延伸規(guī)則 某些圖形在與其他圖形的邊緣外還應(yīng)至少延伸一個(gè)最小長(zhǎng)度。這些驗(yàn)證項(xiàng)目包括版圖是否符合設(shè)計(jì)規(guī)則;版圖有沒(méi)有錯(cuò)誤,即它和電路圖是否一致;版 13 13 圖是否存在短路、短路及懸空的節(jié)點(diǎn)。 3)識(shí)別未包括在電路圖中的備用組元和信號(hào),懸空節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)實(shí)例。 版圖設(shè)計(jì)是一個(gè)靠細(xì)心和耐心的過(guò)程,首先要對(duì)整個(gè)版圖的設(shè)計(jì)規(guī)則有非常深入的了解,記住最容易犯錯(cuò)的地方。UE9aQGn8xp$Ramp。ksv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am UE9aQGn8xp$Ramp。ksv*3t nGK8! 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