【正文】 半導體存儲器 ................................................ 1 動態(tài)隨機存儲器（ DRAM） ................................. 1 靜態(tài)隨機存取存儲器（ SRAM） ............................. 2 非易失性存儲器（ NVW） ....................................... 3 鐵電存儲器 (FeRAM) ...................................... 3 磁性隨機存儲器 (MRAM) ................................... 4 浮柵場效應(yīng)管 ................................................ 5 第 2 章 基于 NOR 非易失存儲器電路設(shè)計 ................................. 7 第 3 章 基于 NOR 的非易失存儲器版圖設(shè)計 .............................. 9 版圖設(shè)計流程 ................................................ 9 版圖設(shè)計規(guī)則 ................................................ 9 線寬規(guī)則 .............................................. 10 間距規(guī)則 .............................................. 10 交疊規(guī)則 .............................................. 11 延伸規(guī)則 .............................................. 11 天線效應(yīng) .............................................. 12 版圖驗證 ................................................... 12 DRC（ Design Rule Check）設(shè)計規(guī)則檢查 .................. 13 LVS(Layout Versus Schematic)版圖和電路圖一致性檢查 .... 13 基于 NOR 的非易失版圖實現(xiàn) ................................... 13 8 位 8 位非易失存儲器電路圖 ........................... 13 8 位 8 位非易失存儲器版圖 ............................. 14 DRC 檢測 .............................................. 15 第 4 章 結(jié)論 ....................................................... 17 參考文獻 ........................................................... 18 致謝 ............................................... 錯誤 !未定義書簽。 I I 摘 要 基于浮柵概念的閃存由于其小的單元尺寸和良好的工作性能已經(jīng)成為最通用的非易失性存儲器。 1 1 第 1 章 緒論 半導體 存儲器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長等特點 ， 已廣泛應(yīng)用于數(shù)字系統(tǒng)。 半導體存儲器的技術(shù)指標主要有： 1. 存儲容量：存儲單元個數(shù) M每單元位數(shù) N 2. 存取時間：從啟動讀 (寫 )操作到操作完成的時間 3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間 4. 平均故障間隔時間 MTBF（可靠性） 5. 功耗：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗 動態(tài)隨機存儲器（ DRAM） DRAM（ Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲 器 最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。讓我們看一下動態(tài)效果 讀操作時，先通過公用的預充電管 Q4 使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容 CD 充電，當讀選擇線為高電平有效時 ， Q3 處于可導通的狀態(tài)。 Pentium II 又把 L2 Cache 移至 CPU 內(nèi)核之外的黑盒子里。鐵電存儲器的存儲原理是基于鐵電材料的高介電常數(shù)和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出 (DRO)和非破壞性讀出 (NDRO)?；?NDRO 工作模式的鐵電場效應(yīng)晶體管 (FFET)是一種比較理想的存儲方式。 MTJ 元件是由磁 場調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行來建立兩個穩(wěn)定狀態(tài)，在反平行狀態(tài)時通過此元件的電子會受到比較大的干擾，因此反映出較高的阻值；而在平行狀態(tài)時電子受到的干擾較小得到相對低的阻值。它具有兩個柵極，一個如普通場管柵極一樣，用導線引出，稱為 “選擇柵 ”；另一個則處于二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連，這個不與任何部分相連的柵極稱為 “浮柵 ”。 由于熱電子的速度快，所以編程時間短，并且數(shù)據(jù)保存的效果好，但是耗電量比較大。如果交點上沒有激活的晶體管，那么列電壓被 pMOS 負載器件拉到高電平。另一方面，如果沒有這個觸點，就是在單元中存儲了“ 1”。 版圖設(shè)計的方法可以從不同角度進行分類，按自動化程度大致可分為三類：全自動設(shè)計、半自動設(shè)計和手工設(shè)計。在這類規(guī)則中，每個被規(guī)定的尺寸之間，沒有必然的比例關(guān)系。 延伸規(guī)則 某些圖形在與其他圖形的邊緣外還應(yīng)至少延伸一個最小長度。這些驗證項目包括版圖是否符合設(shè)計規(guī)則；版圖有沒有錯誤，即它和電路圖是否一致；版 13 13 圖是否存在短路、短路及懸空的節(jié)點。 3）識別未包括在電路圖中的備用組元和信號，懸空節(jié)點就是一個實例。 版圖設(shè)計是一個靠細心和耐心的過程，首先要對整個版圖的設(shè)計規(guī)則有非常深入的了解，記住最容易犯錯的地方。UE9aQGn8xp$Ramp。ksv*3tnGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3tnGK8!z89Am UE9aQGn8xp$Ramp。ksv*3t nGK8! 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