【正文】 ,精密合金電阻,玻璃釉電阻等。市場(chǎng)主要經(jīng)營(yíng)電子元器件、IT數(shù)碼及通信、安防產(chǎn)品、電子工具、儀器儀表、辦公設(shè)備與耗材、LED光電產(chǎn)品、五金機(jī)電、汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等。昆山賽格電子市場(chǎng)總建筑面積18萬(wàn)㎡，其中賣(mài)場(chǎng)面積10萬(wàn)㎡，另外擁有立體互通停車(chē)樓、倉(cāng)儲(chǔ)、物流、銀行、餐飲、配套辦公及相關(guān)生活設(shè)施，總投資約8億人民幣。北京鼎好電子市場(chǎng)北京中關(guān)村e(cuò)世界北京海龍電子市場(chǎng)以上信息根據(jù)網(wǎng)絡(luò)信息整理，如有誤差歡迎指正第二篇：常用電子元器件簡(jiǎn)介常用電子元器件簡(jiǎn)介電阻器△作用：電阻器在電路中主要起分壓，流限，分流，負(fù)載等作用，基本單位是歐姆(Ω),常用單位還有千歐(k), 兆歐(M)?；ジ邪娫醋儔浩?、各種信號(hào)傳輸變壓器等?！飨盗兄担弘娙萜鞯南盗兄狄浪胁牧隙摗！骺勺冸娙荩?有單聯(lián)、雙聯(lián)兩種?！黝?lèi)別: 頻率分可分為高頻管、低頻管；按功率分有小、中、大功率管；按材料分分為硅管、鍺管等。英文縮寫(xiě)成IC。△按有源器件類(lèi)型分：可分為雙極型，單極型,雙極單極混合型。通常包括光電耦合器、半導(dǎo)體光敏器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件、數(shù)碼和圖像顯示器件。光電激光LED的壽命長(zhǎng)、功耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、響應(yīng)速度快。廣泛應(yīng)用于廣場(chǎng)、車(chē)站、體育場(chǎng)等大型顯示屏。有二極管、三極管雙二極管、雙三極管、五極管、七極管等多種形式。電子元器件采購(gòu)網(wǎng)對(duì)其行業(yè)分成了30個(gè)大分類(lèi)，并對(duì)每個(gè)分類(lèi)又細(xì)分出來(lái)上百個(gè)二級(jí)分類(lèi)。元器件生產(chǎn)廠改進(jìn)器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝。進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。根據(jù)測(cè)試、觀察到的現(xiàn)象與效應(yīng)進(jìn)行初步分析，確定出現(xiàn)這些現(xiàn)象的可能原因，或者與失效樣品的哪一部分有關(guān)；同時(shí)通過(guò)立體顯微鏡檢查，觀察失效樣品的外觀標(biāo)志是否完整，是否存在機(jī)械損傷，是否有腐蝕痕跡等；通過(guò)電特性試，；利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡等設(shè)備觀察失效部位的形狀，大小，位置，顏色，機(jī)械和物理結(jié)構(gòu)，物理特性等，準(zhǔn)確的描述失效特征模式。通過(guò)反復(fù)驗(yàn)證，確定真實(shí)的失效原因，以電子元器件失效機(jī)理的相關(guān)理論為指導(dǎo)。因此，根據(jù)失效分析的目的與實(shí)際，選擇合適的分析技術(shù)與方法，從大到小，從外到內(nèi)，從非破壞到破壞，從定性到定量，使失效分析迅速、準(zhǔn)確、可靠。例如,失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)表明，工作人操作無(wú)誤，供電系統(tǒng)正常，而整機(jī)上的器件出現(xiàn)了早期失效，說(shuō)明元器件生產(chǎn)廠應(yīng)對(duì)元器件失效負(fù)責(zé)，應(yīng)負(fù)責(zé)整改，排除工藝缺陷，提高產(chǎn)品可靠性。通過(guò)失效原因的分析判斷，確定造成失效的直接關(guān)鍵因素處于設(shè)汁、材料、制造工藝、使用及環(huán)境的哪―環(huán)節(jié)。如表：然而失效原因的確定是相當(dāng)復(fù)雜的,其復(fù)雜性表現(xiàn)為失效原因具有的一些特點(diǎn)。如在集成電路中金屬化互連系統(tǒng)可能存在著電遷移和應(yīng)力遷移失效，這兩種失效的物理機(jī)制是不同的，產(chǎn)生的應(yīng)力條件也是不同的。另外，為了得到一個(gè)成功的失效分析結(jié)果，避免犯一些常見(jiàn)的錯(cuò)誤，所有可能涉及失效現(xiàn)象處理的人，都應(yīng)該具備—些處理故障現(xiàn)象的基本知識(shí)。元器件的失效物理模型大致分為反應(yīng)論模型、應(yīng)力強(qiáng)度模型、界限模型、耐久模型、積累損傷（疲勞損傷）。.2結(jié)穿刺（結(jié)尖峰）結(jié)穿刺即指PN結(jié)界面處為一導(dǎo)電物所穿透。在一定溫度下，金屬薄膜中存在一定的空位濃度，金屬離子熱振動(dòng)下激發(fā)到相鄰的空位，形成自擴(kuò)散。 金屬的腐蝕當(dāng)金屬與周?chē)慕橘|(zhì)接觸時(shí)，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。 柯肯德?tīng)栃?yīng)在AuAl鍵合系統(tǒng)中，若采用金絲熱壓焊工藝，由于在高溫（300攝氏度以上）下，金向鋁中迅速擴(kuò)散。 過(guò)電應(yīng)力電子元器件都在其參數(shù)指標(biāo)中設(shè)定了使用時(shí)所能承受的最大應(yīng)力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等。所謂閂鎖（latchup）是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間形成低阻大電流通路的現(xiàn)象CMOS電路的基本邏輯單元是由一個(gè)P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管以互補(bǔ)形式連接構(gòu)成，為了實(shí)現(xiàn)N溝道MOS管與P溝道MOS管的隔離,必須在N型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)P型區(qū)（P阱）或在P型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)N型區(qū)（N阱），這樣構(gòu)成了CMOS電路內(nèi)與晶閘管類(lèi)似的PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成了兩個(gè)寄生的NPN和PNP雙極晶體管。 介質(zhì)的擊穿機(jī)理介質(zhì)擊穿，從應(yīng)用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。表現(xiàn)為MOS元器件的閾值電壓漂移或跨導(dǎo)值降低，雙極元器件的電流增益下降，PN結(jié)擊穿電壓蠕變，使元器件性能受到影響，這就是熱載流子效應(yīng)。CAP半導(dǎo)體電容：CAPSEMI可調(diào)電容：CAPVAR：INDUCTOR：發(fā)光二極管：LED :NPN1：：:LAMP:OPAMP：DPY_7SEG_DP(MISCELLANEOUS )。當(dāng)這些射線或宇宙射線照射到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器上時(shí)，引起存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫(xiě)入時(shí)存儲(chǔ)器又能正常工作，它完全是隨機(jī)的發(fā)生，隨意把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。 與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長(zhǎng)期可靠性的一種重要的失效機(jī)理，當(dāng)對(duì)二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場(chǎng)強(qiáng)的電場(chǎng)強(qiáng)度后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，這就是與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿。 靜電損傷處于不同靜電電位的兩個(gè)物體間發(fā)生的靜電電荷轉(zhuǎn)移就形成了靜電放電，這種靜電放電將給電子元器件帶來(lái)?yè)p傷，引起產(chǎn)品失效。 二次擊穿二次擊穿是指當(dāng)元器件被偏置在某一特殊工作點(diǎn)時(shí)（對(duì)于雙極型晶體管，是指V平面上的一點(diǎn)），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時(shí)若無(wú)限流裝置及其它保護(hù)措施，元器件將被燒毀。 銀遷移在電子元器件的貯存及使用中，由于存在濕氣、水分，導(dǎo)致其中相對(duì)活潑的金屬銀離子發(fā)生遷移，導(dǎo)致電子設(shè)備中出現(xiàn)短路，耐壓劣化及絕緣性能變壞等失效。當(dāng)金屬與電解質(zhì)溶液接觸時(shí)，由電化學(xué)作用而引起的腐蝕叫做電化學(xué)腐蝕，其特點(diǎn)是形成腐蝕電池，電化學(xué)腐蝕過(guò)程的本質(zhì)是腐蝕電池放電的過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，金屬通常作為陽(yáng)極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應(yīng)則跟據(jù)腐蝕類(lèi)型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。 表面離子沾污在電子元器件的制造和使用過(guò)程中，因芯片表面沾污了濕氣和導(dǎo)電物質(zhì)或由于輻射電離、靜電電荷積累等因素的影響，將會(huì)在二氧化硅氧化層表面產(chǎn)生正離子和負(fù)離子，這些離子在偏壓作用下能沿表面移動(dòng)。結(jié)穿刺經(jīng)常導(dǎo)致PN結(jié)短路失效。確定電學(xué)、金屬學(xué)、化學(xué)及電磁學(xué)方面的機(jī)理?？傮w來(lái)說(shuō)，電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造，試驗(yàn)，運(yùn)輸，儲(chǔ)存和使用等過(guò)程中發(fā)生的。以及工程上的可行性、經(jīng)濟(jì)性等方面。失效機(jī)理是對(duì)失效的內(nèi)在本質(zhì)、必然性和規(guī)律性的研究，是人們對(duì)失效內(nèi)在本質(zhì)認(rèn)識(shí)的理論提高和升華。隨機(jī)失效主要由整機(jī)開(kāi)關(guān)時(shí)的浪涌電流、靜電放電、過(guò)電損傷引起。如樣品經(jīng)可靠性試驗(yàn)而失效，需了解樣品經(jīng)受實(shí)驗(yàn)的應(yīng)力種類(lèi)和時(shí)間失效發(fā)生期包括：失效樣品的經(jīng)歷、失效時(shí)間、失效發(fā)生的階段，如研制、生產(chǎn)、測(cè)試、試驗(yàn)、儲(chǔ)存、使用等。模式準(zhǔn)確，就是要將失效的性質(zhì)和類(lèi)型判斷準(zhǔn)確。提出消除產(chǎn)生失效的辦法和建議，及時(shí)地反饋到設(shè)計(jì)、工藝、使用單位等各個(gè)方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現(xiàn)。對(duì)一個(gè)復(fù)雜的失效，需要根據(jù)失效元器件和失效模式列出所有可能導(dǎo)致失效的原因，確定正確的分析次序，并且指出哪里需要附加的數(shù)據(jù)來(lái)支撐某個(gè)潛在性因素。 明確分析對(duì)象