【正文】 于鋁與二氧化硅或硅的熱膨脹系數(shù)不匹配，鋁膜的熱膨脹系數(shù)比二氧化硅或者硅大，黨元器件在間歇工作過程中，溫度變化或者高低溫循環(huán)試驗時，鋁膜要受到張應(yīng)力和壓應(yīng)力的影響，會導(dǎo)致鋁金屬化層的再結(jié)構(gòu)。一種是電場使金屬離子由正極向負(fù)扱移動，一種是導(dǎo)電電子和金屬離子間互相碰撞發(fā)生動量交換而使金屬離子受到與電子流方向一致的作用力，金屬離子由負(fù)極向正極移動，這種作用力俗稱“電子風(fēng)”。正離子聚積在負(fù)電極周圍，負(fù)離子聚積在正電極周圍，沾污嚴(yán)重時足以使硅表面勢壘發(fā)生相39。在電子元器件中，外引線及封裝殼內(nèi)的金屬因化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用引起電性能惡化直至失效，也是主要的失效機理。 金鋁化合物失效金和鋁兩種金屬，在長期儲存和使用后，因它們的化學(xué)勢不同，它們之間能產(chǎn)生金屬間化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金屬間化合物。金的擴散速度大于鋁的擴散速度，結(jié)果出現(xiàn)了在金層—側(cè)留下部分原子空隙，這些原子空隙自發(fā)聚積，在金屬間化合物與金屬交界面上形成了空洞，這就是可肯德爾效應(yīng)，簡稱柯氏效應(yīng)。銀遷移基本上市一種電化學(xué)現(xiàn)象，當(dāng)具備水分和電壓的條件時，必定會發(fā)生銀遷移現(xiàn)象。也將造成電子元器件的損傷，這種電應(yīng)力就稱為過電應(yīng)力，其造成的損傷主要表現(xiàn)為元器件性能嚴(yán)重劣化或失去功能。凡是有雜質(zhì)濃度突變的元器件（如PN結(jié)等）都具有二次擊穿的現(xiàn)象，二次擊穿是一種體內(nèi)現(xiàn)象，對于雙極型器件，主要有熱不穩(wěn)定理論（熱模式）和雪崩注入理論（電流模式）兩種導(dǎo)致二次擊穿的機理。在CMOS電路正常工作狀態(tài)時，寄生晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式，突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開路、短路或參數(shù)嚴(yán)重漂移；潛在性失效是指靜電放電電能量較低，僅在元器件內(nèi)部造成輕微損傷，放電后元器件的電參數(shù)仍然合格或略有變化，但元器件的抗過電應(yīng)力能力已明顯削弱，或者使用壽命已明顯縮短，再受到工作應(yīng)力或經(jīng)過一段時間工作后將進(jìn)一步退化，直至造成徹底失效。自愈式擊穿是局部點擊穿后，所產(chǎn)生的熱量將擊穿點處的金屬蒸發(fā)掉，使擊穿點自行與其他完好的介質(zhì)隔離；毀壞性擊穿是金屬原子徹底侵入介質(zhì)層，使其絕緣作用完全喪失。它的擊穿機理，可以分為兩個階段：第一階段是建立階段，在高電場、高電流密度應(yīng)力的作用下，氧化層內(nèi)部發(fā)生電荷的積聚，積累的電荷達(dá)到某一程度后，使局部電場增高到某一臨界值；第二階段實在熱或電的正反饋作用下，迅速使氧化層擊穿，氧化層的壽命由第一階段中電荷的累計時間確定。“爆米花效應(yīng)”“爆米花效應(yīng)”是指塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，是塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。引起軟誤差的根本原因是射線的電離效應(yīng)。sw_pb14．電池：battery原理圖常用庫文件：Miscellaneous Dallas Intel Protel DOS Schematic PCB元件常用庫：General 部分 分立元件庫元件名稱及中英對照AND 與門ANTENNA 天線BATTERY 直流電源BELL 鈴,鐘BVC 同軸電纜接插件BRIDEG 1 整流橋(二極管)BRIDEG 2 整流橋(集成塊)BUFFER 緩沖器BUZZER 蜂鳴器CAP 電容CAPACITOR 電容CAPACITOR POL 有極性電容CAPVAR 可調(diào)電容CIRCUIT BREAKER 熔斷絲COAX 同軸電纜CON 插口CRYSTAL 晶體整蕩器DB 并行插口DIODE 二極管DIODE SCHOTTKY 穩(wěn)壓二極管DIODE VARACTOR 變?nèi)荻O管DPY_3SEG 3段LEDDPY_7SEG 7段LEDDPY_7SEG_DP 7段LED(帶小數(shù)點)ELECTRO 電解電容FUSE 熔斷器INDUCTOR 電感INDUCTOR IRON 帶鐵芯電感INDUCTOR3 可調(diào)電感JFET N N溝道場效應(yīng)管JFET P P溝道場效應(yīng)管LAMP 燈泡LAMP NEDN 起輝器LED 發(fā)光二極管METER 儀表MICROPHONE 麥克風(fēng)MOSFET MOS管MOTOR AC 交流電機MOTOR SERVO 伺服電機NAND 與非門NOR 或非門NOT 非門NPN NPN三極管NPNPHOTO 感光三極管OPAMP 運放OR 或門PHOTO 感光二極管PNP 三極管NPN DAR NPN三極管PNP DAR PNP三極管POT 滑線變阻器PELAYDPDT 雙刀雙擲繼電器 電阻 可變電阻RESISTOR BRIDGE ? 橋式電阻RESPACK ? 電阻SCR 晶閘管PLUG ? 插頭PLUG AC FEMALE 三相交流插頭SOCKET ? 插座SOURCE CURRENT 電流源SOURCE VOLTAGE 電壓源SPEAKER 揚聲器SW ? 開關(guān)SWDPDY ? 雙刀雙擲開關(guān)SWSPST ? 單刀單擲開關(guān)SWPB 按鈕THERMISTOR 電熱調(diào)節(jié)器TRANS1 變壓器TRANS2 可調(diào)變壓器TRIAC ? 三端雙向可控硅TRIODE ? 三極真空管VARISTOR 變阻器ZENER ? 齊納二極管DPY_7SEG_DP 數(shù)碼管SWPB 開關(guān)其他元件庫Protel Dos Schematic 4000 （）4013 D 觸發(fā)器4027 JK 觸發(fā)器Protel Dos Schematic Analog （模擬數(shù)字式集成塊元件庫）AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列Protel Dos Schematic （比較放大器元件庫）Protel Dos Shcematic （INTEL公司生產(chǎn)的80系列CPU集成塊元件庫）Protel Dos Schematic （線性元件庫）例555Protel Dos Schemattic Memory （內(nèi)存存儲器元件庫）Protel Dos Schematic （SY系列集成塊元件庫）Protes Dos Schematic （摩托羅拉公司生產(chǎn)的元件庫）Protes Dos Schematic （NEC公司生產(chǎn)的集成塊元件庫）Protes Dos Schematic Operationel （運算放大器元件庫）Protes Dos Schematic （晶體管集成塊元件庫 74系列）Protel Dos Schematic Voltage （電壓調(diào)整集成塊元件庫）Protes Dos Schematic （齊格格公司生產(chǎn)的Z80系列CPU集成塊元件庫）元件屬性對話框中英文對照Lib ref 元件名稱Footprint 器件封裝Designator 元件稱號Part 器件類別或標(biāo)示值Schematic Tools 主工具欄Writing Tools 連線工具欄Drawing Tools 繪圖工具欄部分分立元件庫元件名