【正文】 稱及中英對(duì)照Power Objects 電源工具欄Digital Objects 數(shù)字器件工具欄Simulation Sources 模擬信號(hào)源工具欄PLD Toolbars 映象工具欄。res1.....定值無(wú)極性電容；CAP定值有極性電容。電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹(shù)脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時(shí)會(huì)放出高能射線。熱載流子的能量達(dá)到或超過(guò)SiSiO2界面勢(shì)壘的能量時(shí)，便會(huì)注入到SiO2中去，產(chǎn)生界面態(tài)、氧化層陷阱或被氧化層中陷阱所俘獲，由此產(chǎn)生的電荷積累引起元器件電參數(shù)不穩(wěn)定。無(wú)論是非本征擊穿還圮本征擊穿，按其本質(zhì)來(lái)看，則均可能歸結(jié)于電擊穿、熱擊穿或熱點(diǎn)反饋造成的熱電擊穿。過(guò)電壓場(chǎng)致失效是指高阻抗的靜電放電回路中，絕緣介質(zhì)兩端的電極因接受了高靜電放電電荷而呈現(xiàn)高電壓，有可能使電極之間的電場(chǎng)超過(guò)其介質(zhì)臨界擊穿電場(chǎng)，使電極之間的介質(zhì)發(fā)生擊穿失效，過(guò)電壓場(chǎng)致失效多發(fā)生于MOS元器件，包括含有MOS電容的雙極型電路和混合電路；過(guò)電流熱致失效是由于較低阻抗的放電回路中，由于靜電放電電流過(guò)大使局部區(qū)域溫升超過(guò)材料的熔點(diǎn)，導(dǎo)致材料發(fā)生局部熔融使元器件失效，過(guò)電流熱致失效多發(fā)生于雙極元器件，包括輸人用PN結(jié)二極管保護(hù)的MOS電路、肖特基二極管以及含有雙極元器件的混合電路。這種強(qiáng)電流一開(kāi)始流動(dòng)，即使除去外來(lái)觸發(fā)信號(hào)也不會(huì)中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€(gè)值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)。 閂鎖效應(yīng)閂鎖效應(yīng)是CMOS電路中存在的一種特殊的失效機(jī)理。在過(guò)電應(yīng)力作用下，電子元器件局部形成熱點(diǎn)，當(dāng)局部熱點(diǎn)溫度達(dá)到材料熔點(diǎn)時(shí)使材料熔化，形成開(kāi)路或短路，導(dǎo)致元器件燒毀。在銀離子穿過(guò)介質(zhì)的途中，銀離子被存在的濕氣和離子沾污加速，通常在離子和水中的氫氧離子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氫氧化銀，在導(dǎo)體之間出現(xiàn)乳白色的污跡，最后在陰極銀離子還原析出，形成指向陽(yáng)極的細(xì)絲?？率峡斩葱纬蓷l件首先是AuAl系統(tǒng)，其次是溫度和時(shí)間。AuAl3淺金黃色，AuAl2呈紫色，俗稱紫斑，是一種脆性的金屬間化合物，導(dǎo)電率低，所以在鍵合點(diǎn)處生成了AuAl間化合物之后，嚴(yán)重影響相惡化鍵合界面狀態(tài)，使鍵合強(qiáng)度降低，變脆開(kāi)裂，接觸電阻增大等，因而使元器件出現(xiàn)時(shí)好時(shí)壞不穩(wěn)定現(xiàn)象，最后表現(xiàn)為性能退化或引線從鍵合界面處脫落導(dǎo)致開(kāi)路。金屬在干燥氣體或無(wú)導(dǎo)電性的非水溶液中，單純由化學(xué)作用而引起的腐蝕就叫做化學(xué)腐蝕，溫度對(duì)化學(xué)腐蝕的影響很大。這些外表面可動(dòng)電荷的積累降低了表面電導(dǎo)，引起表面漏電和擊穿蠕變等；表面離子沾污還會(huì)造成金屬的腐濁，使電子元器件的電極和封裝系統(tǒng)生銹、斷裂。產(chǎn)生電遷移失效的內(nèi)因是薄膜導(dǎo)體內(nèi)結(jié)構(gòu)的非均勻性，外因是電流密度。 金屬化電遷移當(dāng)元器件工作時(shí)，金屬互連線的鋁條內(nèi)有一定強(qiáng)度的電流流過(guò)，在電流作用下，金屬離子沿導(dǎo)體移動(dòng)，產(chǎn)生質(zhì)量的傳輸，導(dǎo)致導(dǎo)體內(nèi)某些部位產(chǎn)生空洞或晶須（小丘）這就是電遷移現(xiàn)象。這就是在鋁膜加工過(guò)程中，發(fā)生由于硅的局部溶解而產(chǎn)生的鋁“穿刺”透入硅襯底問(wèn)題的問(wèn)題。 機(jī)械損傷機(jī)械損傷在電子元器件制備電極及電機(jī)系統(tǒng)工藝中經(jīng)常出現(xiàn)，如果在元器件的成品中，存在金屬膜的劃傷缺陷而末被剔除，則劃傷缺陷將是元器件失效的因素，必將影響元器件的長(zhǎng)期可靠性。進(jìn)一步確定導(dǎo)致失效的表面缺陷、體缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷。為了通過(guò)物理、化學(xué)的方法分析失效發(fā)生的現(xiàn)象，理解和解釋失效機(jī)理，需要提供模型或分析問(wèn)題的思維方法，這就是失效物理模型。主要失效模式及其分布電子元器件的種類很多，相應(yīng)的失效模式和失效機(jī)理也很多。只有在各個(gè)方面的團(tuán)結(jié)協(xié)作下，才能找到產(chǎn)品失效的真實(shí)原因，準(zhǔn)確判斷其失效機(jī)理，揭示引起產(chǎn)品失效的過(guò)程，起到改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品固有可靠性和使用可靠性目的。當(dāng)然制定預(yù)防措施也應(yīng)考慮長(zhǎng)遠(yuǎn)的手段和產(chǎn)品使用問(wèn)題。要清楚地判斷元器件失效機(jī)理就必須對(duì)其失效機(jī)理有所了解和掌握。微觀過(guò)程可以追溯到原子、分子尺度和結(jié)構(gòu)的變化，但與此相對(duì)的是它遲早也要表現(xiàn)出一系列宏現(xiàn)（外在的）性能，性質(zhì)變化，如疲勞、腐蝕和過(guò)應(yīng)力等。此外，根據(jù)元器件失效前或失效時(shí)所受的應(yīng)力種類和強(qiáng)度，也可大致推測(cè)失效的原因，加快失效分析的進(jìn)程。而早期失效主要由工藝缺陷、原材料缺陷、篩選不充分引起。失效原因通常是指造成電子元器件失效的直接關(guān)鍵性因素，其判斷建立在失效模式判斷的基礎(chǔ)上。失效應(yīng)力包括：電應(yīng)力、溫度應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、氣候應(yīng)力和輻射應(yīng)力。有些看來(lái)與現(xiàn)場(chǎng)無(wú)直接關(guān)系的東西可能是決定性的。如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。但在實(shí)際的失效分析過(guò)程中，遇到的樣品多種多樣，失效情況也各不相同。根據(jù)分析判斷。在確定失效機(jī)理時(shí)，需要選用有關(guān)的分析、試驗(yàn)和觀測(cè)設(shè)備對(duì)失效樣品進(jìn)行仔細(xì)分析，驗(yàn)證失效原因的判斷是否屬實(shí)，并且能把整個(gè)失效的順序與原始的癥狀對(duì)照起來(lái)，有時(shí)需要用合格的同種元器件進(jìn)行類似的破壞實(shí)驗(yàn)，觀察是否產(chǎn)生相似的失效現(xiàn)象。失效可能由一系列的原因造成，如設(shè)計(jì)缺陷，材料質(zhì)量問(wèn)題，制造過(guò)程問(wèn)題、運(yùn)輸或儲(chǔ)藏條件不當(dāng)，在操作時(shí)的過(guò)載等，而大多數(shù)的失效包括一系列串行發(fā)生的事件。失效模式的確定通賞采用兩種方法，即電學(xué)測(cè)試和顯微鏡現(xiàn)察。確定失效模式，判斷失效原因，研究失效機(jī)理，提出預(yù)防措施（包括設(shè)計(jì)改進(jìn))。對(duì)電子元器件失效機(jī)理，原因的診斷過(guò)程叫失效分析。因而。根據(jù)失效分析結(jié)果。防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。電子元器件采購(gòu)網(wǎng)始終秉承“以客戶為中心”的經(jīng)營(yíng)理念，視推動(dòng)中國(guó)企業(yè)開(kāi)展電子商務(wù)、實(shí)現(xiàn)信息化為己任，深入研究企業(yè)客戶的實(shí)際需要，開(kāi)創(chuàng)性地建立了最適合中小企業(yè)需要的IT應(yīng)用服務(wù)運(yùn)營(yíng)模式，運(yùn)用先進(jìn)的信息技術(shù)搭建起一個(gè)適合企業(yè)業(yè)務(wù)和管理需要的應(yīng)用服務(wù)平臺(tái)，并透過(guò)龐大的全國(guó)性商務(wù)網(wǎng)絡(luò)，給中小企業(yè)帶來(lái)最優(yōu)質(zhì)的互聯(lián)網(wǎng)采購(gòu)平臺(tái)。熔斷器:熔斷器:、保險(xiǎn)絲管、快速保險(xiǎn)器、自動(dòng)可恢復(fù)保險(xiǎn)絲等。是在抽成真空的玻璃體中裝入電極做成的，多見(jiàn)于早期電子設(shè)備中,現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于手機(jī)、傳呼機(jī)、筆記本電腦等便攜電子產(chǎn)品。有單色、雙色、三色等。△數(shù)碼和圖像顯示器件有熒光數(shù)碼管,LEDT段式數(shù)碼管,LED點(diǎn)陣,LED顯示器等?！靼雽?dǎo)體發(fā)光器件主要有發(fā)光二極管(LED)、紅外發(fā)射接收二極管、電平指示發(fā)光二極管?！靼雽?dǎo)體光敏器件有光敏二極管、光敏三極管、硅光電池等。光電器件:△作用：光電器件的主要功能是完成光能與電能的轉(zhuǎn)換。大規(guī)模(LSI)：集成度100~1000門(mén)/片。專用IC針對(duì)性很強(qiáng),又可分為集成化傳感器、專用通信IC、消費(fèi)類電路。還可分為通用和專用,模擬IC如運(yùn)算放大器、模擬乘法器、集成穩(wěn)壓器、功率IC等。集成電路:△集成電路指在半導(dǎo)體制造工藝的基礎(chǔ)上,采用光刻等工藝,把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定的電子電路?！鲌?chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)與三級(jí)管大致相同。☆三極管:△作用：三級(jí)管具有兩個(gè)PN 結(jié),能以小的ΔIb 引起大的ΔIc,因此具有放大作用,屬于電流控制器件，而場(chǎng)效應(yīng)管則是電壓控制器件。在電路中起檢波、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、整流、隔離、鉗位等作用。以防電容被擊穿?！鞅硎痉ǎ河形淖直硎竞腿粩?shù)碼表示。氣體介質(zhì)電容器如空氣電容器。基本單位是法拉F,常用單位有微法μF、皮法pF?！麟姼衅饔凶愿小⒒ジ兄郑鹤愿邪ǜ哳l阻流圈、低頻阻流圈、例如日光燈鎮(zhèn)流器。△表示法：有文字和色環(huán)兩種