【正文】 第五篇：電子元器件中英文對照中英文對照固定電阻：RES半導(dǎo)體電阻：RESSEMT電位計；POT變電阻；RVAR可調(diào)電阻。 熱栽流子效應(yīng)所謂熱載流子，是指其能量比費米能寄大幾個KT以上的載流子，這些載流子與晶格處于熱不平衡狀態(tài)，載流子的溫度超過了晶格溫度。靜電放電失效機(jī)理可分為過電壓場致失效和過電流熱致失效。對于MOS元器件，誘發(fā)二次擊穿的機(jī)理是寄生的雙極晶體管作用。空氣中的水分附在電極的表面，如果加上電壓，銀就會在陽極處氧化成為帶有正電荷的銀離子，這些離子在電場作用下向陰極移動。這幾種金屬間化合物的晶格常數(shù)、膨脹系數(shù)、形成過程中體積的變化、顏色和物理性質(zhì)是不同的，且電導(dǎo)率較低。當(dāng)程度的改變。鋁金屬化層再結(jié)構(gòu)經(jīng)常表現(xiàn)為鋁金屬化層表面粗糙甚至表面發(fā)黑，顯微鏡下可見到表面小丘、晶須或皺紋等。甚至相問的失效機(jī)在不同電子元器件導(dǎo)致的失效模式都不一樣，因此需要在失效分析時認(rèn)真對待,嚴(yán)格區(qū)分。下圖給出了一些電子元器件現(xiàn)場使用失效模式及其分布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計結(jié)果：失效機(jī)理是指引起電子元器件失效的實質(zhì)原因，（容易變化和劣化的材料的組合）或制造工藝中形成的潛在缺陷，在某種應(yīng)力作用下發(fā)生的失效及其機(jī)理。失效分析是一個復(fù)雜的、制造工程師、使用工程師的密切配合。它是導(dǎo)致電子元器件發(fā)生失效的物理、化字或機(jī)械損傷過程。根據(jù)失效發(fā)生期，可估計失效原因，加快失效分析的進(jìn)度。定失效機(jī)理，提出預(yù)防措施具有總要的意義。失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)反映了失效的外部環(huán)境，對確定失效的責(zé)任方有重要意義。隨著科技的發(fā)展各種新材料、新器件也不斷出現(xiàn)，對失效分析的要求也越來越高；用于失效分析的新技術(shù)，新方法和新設(shè)備也越來越多。 研究失效機(jī)理對于失效機(jī)理的研究是非常重要的，需要更多的技術(shù)支撐。 確定失效模式失效的表面現(xiàn)象或失效的表現(xiàn)形式就是失效模式。通過失效分折，可鑒別失效模式，弄清失效機(jī)理，提出改進(jìn)措施，并反饋到使用、生產(chǎn)中，將提高元器件和設(shè)備的可靠性。失效分折可糾正設(shè)計和研制中的錯誤，縮短研制周期；在電子器件的生產(chǎn)，測試和試用階段，失效分析可找出電子元器件的失效原因和引起電子元件失效的責(zé)任方。經(jīng)過不懈努力，我們已成為電子元器件行業(yè)優(yōu)秀的電子商務(wù)平臺，中國電子元器件網(wǎng)為企業(yè)和用戶帶來了切切實實的效益，受到了廣大網(wǎng)友和企業(yè)用戶的一致好評。電子管:電子管為真空器件。LED 接點陣一般將發(fā)光二極管做成8x8點陣,用來顯示圖像。硅光電池能把太陽能轉(zhuǎn)化為電能。電表用電磁或磁電式表頭?！靼从猛痉挚煞譃閷Ｓ肐C。△參數(shù)：有最小開啟電壓、最小保持電流，最大允許通過電流。最大允許電流：在長期正常工作條件下允許通過的最大正向電流值。使用中,~2倍。電解電容器包括鋁電解、鉭電解、鈮電解電容器等?；締挝皇呛嗬鸋,常用單位有毫亨(mH)、微亨(μH)。華強(qiáng)北電子配套市場的價格與國際市場直接接軌，不僅堪稱全國電子配套市場的“晴雨表”，而且輻射東南亞和歐美地區(qū)。華東地區(qū)規(guī)模最大、品種最全、功能最齊、檔次最高的多種功能、多種模式、多種業(yè)態(tài)、實體與虛擬網(wǎng)上交易相結(jié)合的新型電子產(chǎn)品交易綜合體。與阿里巴巴共建阿里巴巴華東電子產(chǎn)品網(wǎng)商采購平臺；與中國電子展合作，建立中國電子展（CEF）昆山賽格博覽交易基地；與中國安防協(xié)會共建“中國安防體驗中心”，首創(chuàng)體驗式營銷；同中電網(wǎng)一道與臺灣電電公會三方合作，共建臺灣電子電機(jī)產(chǎn)品交易中心，打造臺灣電子廠商進(jìn)駐大陸內(nèi)需市場的橋頭堡?！鞅硎痉ǎ河形淖趾蜕h(huán)兩種表示方法，文字表示是將電阻的參數(shù)直接標(biāo)在電阻體上，色環(huán)標(biāo)稱是近幾年來因適應(yīng)電子自動化裝配而廣泛采用的。基本單位是法拉F,常用單位有微法μF、皮法pF。△表示法：有文字表示和三位數(shù)碼表示。在電路中起檢波、開關(guān)、穩(wěn)壓、整流、隔離、鉗位等作用?！鲌鲂?yīng)管的主要參數(shù)與三級管大致相同。還可分為通用和專用,模擬IC如運(yùn)算放大器、模擬乘法器、集成穩(wěn)壓器、功率IC等。大規(guī)模(LSI)：集成度100~1000門/片?！靼雽?dǎo)體光敏器件有光敏二極管、光敏三極管、硅光電池等?！鲾?shù)碼和圖像顯示器件有熒光數(shù)碼管,LEDT段式數(shù)碼管,LED點陣,LED顯示器等。廣泛應(yīng)用于手機(jī)、傳呼機(jī)、筆記本電腦等便攜電子產(chǎn)品。熔斷器:熔斷器:、保險絲管、快速保險器、自動可恢復(fù)保險絲等。防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。因而。確定失效模式，判斷失效原因，研究失效機(jī)理，提出預(yù)防措施（包括設(shè)計改進(jìn))。失效可能由一系列的原因造成，如設(shè)計缺陷，材料質(zhì)量問題，制造過程問題、運(yùn)輸或儲藏條件不當(dāng)，在操作時的過載等，而大多數(shù)的失效包括一系列串行發(fā)生的事件。根據(jù)分析判斷。如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。失效應(yīng)力包括：電應(yīng)力、溫度應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、氣候應(yīng)力和輻射應(yīng)力。而早期失效主要由工藝缺陷、原材料缺陷、篩選不充分引起。微觀過程可以追溯到原子、分子尺度和結(jié)構(gòu)的變化，但與此相對的是它遲早也要表現(xiàn)出一系列宏現(xiàn)（外在的）性能，性質(zhì)變化，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。當(dāng)然制定預(yù)防措施也應(yīng)考慮長遠(yuǎn)的手段和產(chǎn)品使用問題。主要失效模式及其分布電子元器件的種類很多，相應(yīng)的失效模式和失效機(jī)理也很多。進(jìn)一步確定導(dǎo)致失效的表面缺陷、體缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷。這就是在鋁膜加工過程中，發(fā)生由于硅的局部溶解而產(chǎn)生的鋁“穿刺”透入硅襯底問題的問題。產(chǎn)生電遷移失效的內(nèi)因是薄膜導(dǎo)體內(nèi)結(jié)構(gòu)的非均勻性，外因是電流密度。金屬在干燥氣體或無導(dǎo)電性的非水溶液中，單純由化學(xué)作用而引起的腐蝕就叫做化學(xué)腐蝕，溫度對化學(xué)腐蝕的影響很大?？率峡斩葱纬蓷l件首先是AuAl系統(tǒng)，其次是溫度和時間。在過電應(yīng)力作用下，電子元器件局部形成熱點，當(dāng)局部熱點溫度達(dá)到材料熔點時使材料熔化，形成開路或短路，導(dǎo)致元器件燒毀。這種強(qiáng)電流一開始流動，即使除去外來觸發(fā)信號也不會中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)。無論是非本征擊穿還圮本征擊穿，按其本質(zhì)來看，則均可能歸結(jié)于電擊穿、熱擊穿或熱點反饋造成的熱電擊穿。電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時會放出高能射線。sw_pb14．電池：battery原理圖常用庫文件：Miscellaneous Dallas Intel Protel DOS Schematic PCB元件常用庫：General 部分 分立元件庫元件名稱及中英對照AND 與門ANTENNA 天線BATTERY 直流電源BELL 鈴,鐘BVC 同軸電纜接插件BRIDEG 1 整流橋(二極管)BRIDEG 2 整流橋(集成塊)BUFFER 緩沖器BUZZER 蜂鳴器CAP 電容CAPACITOR 電容CAPACITOR POL 有極性電容CAPVAR 可調(diào)電容CIRCUIT BREAKER 熔斷絲COAX 同軸電纜CON 插口CRYSTAL 晶體整蕩器DB 并行插口DIODE 二極管DIODE SCHOTTKY 穩(wěn)壓二極管DIODE VARACTOR 變?nèi)荻O管DPY_3SEG 3段LEDDPY_7SEG 7段LEDDPY_7SEG_DP 7段LED(帶小數(shù)點)ELECTRO 電解電容F