【正文】 以便于在15~60uS后接收存在脈沖，存在脈沖為一個(gè)60~240uS的低電平信號(hào)。操作指令同樣為8位，共6條，存儲(chǔ)器操作指令分別是寫RAM數(shù)據(jù)、讀RAM數(shù)據(jù)、將RAM數(shù)據(jù)復(fù)制到EEPROM、溫度轉(zhuǎn)換、將EEPROM中的報(bào)警值復(fù)制到RAM、工作方式切換。如要采用寄生工作方式，只要將VDD電源引腳與單總線并聯(lián)即可。Search ROM（搜索芯片）[F0H]在芯片初始化后，搜索指令允許總線上掛接多芯片時(shí)用排除法識(shí)別所有器件的64位ROM。此后由于芯片忙于EEPROM儲(chǔ)存處理，當(dāng)控制器發(fā)一個(gè)讀時(shí)間隙時(shí)，總線上輸出“0”，當(dāng)儲(chǔ)存工作完成時(shí)，總線將輸出“1”。這樣RAM中的兩個(gè)報(bào)警字節(jié)位將始終為EEPROM中數(shù)據(jù)的鏡像。讀時(shí)間隙：讀時(shí)間隙時(shí)控制時(shí)的采樣時(shí)間應(yīng)該更加的精確才行，讀時(shí)間隙時(shí)也是必須先由主機(jī)產(chǎn)生至少1uS的低電平，表示讀時(shí)間的起始。 一個(gè)端口對(duì)應(yīng)一個(gè)DS18B20器件，也就表示每組端口的某一個(gè)位的讀回?cái)?shù)據(jù)狀態(tài)也就是該端口所對(duì)應(yīng)的器件的輸出狀態(tài)，所以，這樣的系統(tǒng)里面是不需要進(jìn)行每個(gè)器件的序列號(hào)搜索、匹配的操作的。//8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平P1 = 0x00。Delay_1us(100)。(~B20_Error))==(~B20_Error)) break。unsigned char i。0x01)讀數(shù)據(jù)操作函數(shù)：unsigned char Read_buf_8ch[16]。i16。可知，完成一次數(shù)據(jù)讀取的操作后，可以同時(shí)讀回8個(gè)DS18B20器件的數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)處理時(shí)，只需針對(duì)上圖的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)對(duì)Read_buf_8ch數(shù)組的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理即可得到每個(gè)DS18B20器件的測(cè)溫值。//啟動(dòng)測(cè)溫}讀取溫度值函數(shù)[14]：void DS18B20_ReadTemp(void){DS18B20_WriteByte(0xbe)。unsigned int uiData[8]。j8。Mask) uiData[j]++。////函數(shù)聲明，變量定義//DS18B20程序 條件： //include include define uchar unsigned chardefine uint unsigned intdefine NOP_1uS _nop_()。 NOP_1uS。 DQ=0x00。 i=4。0x01。 } else { DQ=0x00。 Write_Byte(0xcc)。 uint j。 P1=0x02。 while(1) { Delay1ms(1)。i++。 DQ=0x00。 } FormatTemp(buf1,dat1)。 last[m]=y1|y2。系統(tǒng)采用單總線技術(shù)，按照DS18B20的通信協(xié)議，由主機(jī)向DS18B20發(fā)送命令，讀取DS18B20轉(zhuǎn)換的溫度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)環(huán)境的溫度的測(cè)量。欣慰之余,心里感動(dòng)一絲沉重:我即將離開我的老師和同學(xué)們。路漫漫其修遠(yuǎn)兮，吾將上下而求索。兩位老師嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度和踏實(shí)的工作作風(fēng)給我留下了深刻的印象，是我學(xué)習(xí)的榜樣。經(jīng)過這一次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我學(xué)了不少的知識(shí)，學(xué)會(huì)了怎樣查閱資料和利用工具書，以及熟練地使用PROTEUS仿真軟件和KEIL開發(fā)工具。m=7。m++) { a=dat1[m]。i++。while(i0) i。m=7。j)。 P2=led_tab[a]。 Write_Byte(0xcc)。 i++。i++。 bit testb。 i=4。 }}*/////函數(shù)名稱：Delay1ms//入口參數(shù)：count//函數(shù)功能：延時(shí)子程序//void Delay1ms(uint count){ uint i。_nop_()。uiData[j] = uiData[j]1。i){//送入讀取數(shù)據(jù)命令//Skip ROMRead_buf_8ch[i] = DS18B20_ReadDQ()。//buffer of Read DS18B20void DS18B20_Read2Byte(void){Com = Com1。i++)//延時(shí) 200us} 在復(fù)位時(shí)序控制的函數(shù)中，使用了B20_Error全局變量，它將會(huì)傳遞給上一層的數(shù)據(jù)處理函數(shù)作為判斷當(dāng)前8個(gè)I/O口所接的DS18B20是否正常工作，或者是否在各自的總線上。Delay_1us(1)。Error_Counter++)//如檢測(cè)到DS18B20總線響應(yīng)了回復(fù)信號(hào)，則讀取當(dāng)前8條//總線的狀態(tài)//保持總線低電平500us//返回讀取的值} 在讀取一個(gè)總線狀態(tài)數(shù)據(jù)位的函數(shù)中，將會(huì)返回一個(gè)byte的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)的8個(gè)位正好與連接在P2端口上的8個(gè)I/O口對(duì)應(yīng)，如下圖52所示：//延時(shí)//恢復(fù)端口電平P1 = 0xff。DQ_S = P1。Delay_1us(1)。//端口恢復(fù)高電平P1 = 0xff。Delay_1us(40)。P1 = 0x00。//8個(gè)DQ線全部輸出高電平//延時(shí)10us左右 軟件設(shè)計(jì)從最底層的與DS18B20時(shí)序相關(guān)的驅(qū)動(dòng)，到與一線制總線器件處理過程控制/協(xié)議的接口函數(shù)，再上升到應(yīng)用API接口函數(shù)的關(guān)系如下圖51所示：圖51 接口函數(shù)關(guān)系圖在對(duì)連在一組8位端口上的8個(gè)DS18B20操作時(shí)，是同時(shí)對(duì)該組端口進(jìn)行操作，也即同時(shí)對(duì)8個(gè)DS18B20器件進(jìn)行同步的操作。從理論上分析，本設(shè)計(jì)方案的采用，查詢多個(gè)DS18B20器件操作所消耗的時(shí)間與查詢一個(gè)DS18B20器件操作所消耗的時(shí)間是等量的。在通信時(shí)是以8位“0”或“1”為一個(gè)字節(jié)，字節(jié)的讀或?qū)懯菑母呶婚_始的。寫時(shí)間隙：寫時(shí)間隙分為寫“0”和寫“1”，時(shí)序如圖7。在寄生工作方式時(shí)必須在發(fā)出此指令后立刻超用強(qiáng)上拉并至少保持500MS，來維持芯片工作。寫入過程中可以用復(fù)位信號(hào)中止寫入。Match ROM（指定匹配芯片）[55H]這個(gè)指令后面緊跟著由控制器發(fā)出了64位序列號(hào)，當(dāng)總線上有多只DS18B20時(shí)，只有與控制發(fā)出的序列號(hào)相同的芯片才可以做出反應(yīng)，其它芯片將等待下一次復(fù)位。如執(zhí)行數(shù)據(jù)讀寫指令則需要嚴(yán)格遵循18B20的讀寫時(shí)序來操作。ROM指令為8位長(zhǎng)度，功能是對(duì)片內(nèi)的64位光刻ROM進(jìn)行操作。EEPROM 非易失性記憶體，用于存放長(zhǎng)期需要保存的數(shù)據(jù)，上下限溫度報(bào)警值和校驗(yàn)數(shù)據(jù)，DS18B20共3位EEPROM，并在RAM都存在鏡像，以方便用戶操作。數(shù)據(jù)在出產(chǎn)時(shí)設(shè)置不由用戶更改。C (–67176。了解其工作原理和應(yīng)用可以拓寬您對(duì)單片機(jī)開發(fā)的思路。，適應(yīng)溫度范圍寬。即逐條指令的過程。7. 中斷控制系統(tǒng)MCS51單片機(jī)的中斷功能較強(qiáng)，以滿足不同控制應(yīng)用的需要。地址范圍為0000H~FFFFH（64KB）。例如：位處理、查表、狀態(tài)檢測(cè)、中斷處理等。尤其是美國(guó)Intel公司生產(chǎn)的MCS51系列單片機(jī)，由于其具有集成度高、處理功能強(qiáng)、可靠性高、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、易于使用等優(yōu)點(diǎn)，在世界范圍內(nèi)已經(jīng)得到廣泛的普及和應(yīng)用。并在Keil環(huán)境下編輯應(yīng)用軟件程序，通過Proteus和Keil的聯(lián)合實(shí)現(xiàn)該多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、調(diào)試和仿真。顯示數(shù)據(jù)每一秒刷新一次。在工業(yè)生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)研究中，在電力、化工、石油、冶金、機(jī)械制造、大型倉(cāng)儲(chǔ)室、實(shí)驗(yàn)室、農(nóng)場(chǎng)塑料大棚甚至人們的居室里經(jīng)常需要對(duì)環(huán)境溫度進(jìn)行檢測(cè)，并根據(jù)實(shí)際的要求對(duì)環(huán)境溫度進(jìn)行控制。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果。 畢業(yè)設(shè)計(jì)作者簽名：龐子博 2012年5月1日 電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)摘 要通過運(yùn)用DS18B20數(shù)字溫度傳感器的測(cè)溫原理和特性，利用它獨(dú)特的單線總線接口方式，與AT89C51單片機(jī)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫。比如，發(fā)電廠鍋爐的溫度必須控制在一定的范圍之內(nèi)；許多化學(xué)反應(yīng)的工藝過程必須在適當(dāng)?shù)臏囟认虏拍苷＿M(jìn)行。21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展日新月異，科技的進(jìn)步帶動(dòng)了測(cè)量技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代控制設(shè)備的性能和結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大的變化，我們已經(jīng)進(jìn)入了高速發(fā)展的信息時(shí)代，測(cè)量技術(shù)也成為當(dāng)今科技的主流之一，被廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)的各個(gè)領(lǐng)域。課題采用由Dallas公司生產(chǎn)的智能數(shù)字溫度傳感器DS18B20和Atmel公司推出的單片機(jī)AT89C51以及相關(guān)外圍電路實(shí)現(xiàn)高精度、多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)。而且隨著以MCS51單片機(jī)基本內(nèi)核為核心的各種擴(kuò)展型、增強(qiáng)型的新型單片機(jī)不斷推出，MCS51系列仍是我國(guó)單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的主流機(jī)型。2. 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）單片機(jī)芯片共有256個(gè)RAM單元，其中后128單元被專用寄存器占用，能作為寄存器供用