【正文】 他們?yōu)槲易霎厴I(yè)設(shè)計(jì)提供了條件，并且在百忙之中抽出時(shí)間對(duì)我的畢業(yè)設(shè)計(jì)給予了詳細(xì)的指導(dǎo)和細(xì)心的修改。n=7。 DQ=0xff。 Start_Read_Byte()。 b=dir_temp%10。while(i0) i。}////函數(shù)名稱(chēng)：Write_Byte//入口參數(shù)：dat//函數(shù)功能：寫(xiě)命令//void Write_Byte(uchar dat){ uint i。NOP_1uS。//OS the resoult of Temperaturefor(i=15。//如檢測(cè)到總線(xiàn)的回復(fù)信號(hào)結(jié)束，則退出循環(huán)DS18B20數(shù)碼管顯示AT89C51圖42 系統(tǒng)框圖系統(tǒng)框圖[15]簡(jiǎn)介： 系統(tǒng)的核心是AT89C51單片機(jī)，系統(tǒng)通過(guò)控制選擇某一個(gè)DS18B20，并把其檢測(cè)到的溫度數(shù)據(jù)送到單片機(jī)進(jìn)行處理，在把處理后的溫度送到數(shù)碼管顯示，并顯示是那個(gè)點(diǎn)的溫度，系統(tǒng)也可以多點(diǎn)溫度循環(huán)掃描顯示。 DS18B20的一線(xiàn)制總線(xiàn)在時(shí)序上的嚴(yán)格要求，也從另一方面意味著在一定的彈性范圍內(nèi)，不同DS18B20器件的時(shí)序細(xì)節(jié)上的一致性應(yīng)該是非常好，所以可以將系統(tǒng)設(shè)計(jì)成利用MCU的并行端口同時(shí)對(duì)多個(gè)DS18B20進(jìn)行統(tǒng)一的操作，不過(guò)這時(shí)候并行端口上的每一個(gè)端口連接著一個(gè)DS18B20器件而已。 DS18B20復(fù)位及應(yīng)答關(guān)系及讀寫(xiě)隙每一次通信之前必須進(jìn)行復(fù)位，復(fù)位的時(shí)間、等待時(shí)間、回應(yīng)時(shí)間應(yīng)嚴(yán)格按時(shí)序編程。只要芯片不掉電，報(bào)警狀態(tài)將被保持，直到再一次測(cè)得溫度什達(dá)不到報(bào)警條件為止。：一個(gè)存儲(chǔ)器操作指令結(jié)束后則將進(jìn)行指令執(zhí)行或數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)，這個(gè)操作要視存儲(chǔ)器操作指令而定。第8個(gè)字節(jié)為計(jì)數(shù)寄存器，是為了讓用戶(hù)得到更高的溫度分辨率而設(shè)計(jì)的，同樣也是內(nèi)部溫度轉(zhuǎn)換、計(jì)算的暫存單元。l * 檢測(cè)溫度范圍為–55176。（I/O）端口引腳通常設(shè)計(jì)有多種功能。實(shí)際上是片內(nèi)各功能部件的控制寄存器和狀態(tài)寄存器，是一個(gè)具有特殊功能的RAM區(qū)。3. 內(nèi)部程序存儲(chǔ)器（ROM）單片機(jī)內(nèi)部有4KB的ROM，用于存放程序、原始數(shù)據(jù)或表格。并在Keil環(huán)境下編輯應(yīng)用軟件程序，通過(guò)Proteus和Keil的聯(lián)合實(shí)現(xiàn)該多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、調(diào)試和仿真。本設(shè)計(jì)要求系統(tǒng)測(cè)量的溫度的點(diǎn)數(shù)為4個(gè)，℃，測(cè)溫范圍為20℃～+80℃。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式注明。可見(jiàn)，研究溫度的測(cè)量具有重要的理論意義和推廣價(jià)值。本系統(tǒng)采用8片DS18B20構(gòu)成小型溫度傳感器網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)并行連接方式連接至單片機(jī)AT89C51的8個(gè)通用I/O端口。地址范圍為00H~FFH（256B）。時(shí)鐘電路為單片機(jī)產(chǎn)生時(shí)鐘脈沖序列。l * 最高12位分辨率。第2個(gè)字節(jié)是溫度轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)值信息，第4個(gè)字節(jié)是用戶(hù)EEPROM（常用于溫度報(bào)警值儲(chǔ)存）的鏡像。：在ROM指令發(fā)送給18B20之后，緊接著（不間斷）就是發(fā)送存儲(chǔ)器操作指令了。如果在多芯片掛接時(shí)使用此指令將會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)沖突，導(dǎo)致錯(cuò)誤出現(xiàn)。另外，此指令將在芯片上電復(fù)位時(shí)將被自動(dòng)執(zhí)行。實(shí)際在對(duì)DS18B20器件進(jìn)行操作時(shí)，只需統(tǒng)一地對(duì)這一組并行端口進(jìn)行操作（每個(gè)端口在同一時(shí)間輸出相同的電平狀態(tài)）即可。unsigned char DQ_S=0。if((P1amp。Delay_1us(200)。if(Comamp。}}調(diào)用DS18B20_WriteByte函數(shù)，連在8個(gè)I/O口上的一線(xiàn)制總線(xiàn)上的8個(gè)DS18B20器件，將都會(huì)接收到同樣的一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)：Com。而將讀回的數(shù)據(jù)保存于一個(gè)Read_buf_8ch（簡(jiǎn)寫(xiě)：Rb）的數(shù)組中，可以根據(jù)系統(tǒng)的接線(xiàn)圖對(duì)讀回的16個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，如下圖54所示：圖54讀取DS18B20的數(shù)據(jù)時(shí)，先讀高位再讀低位；所以可以從上圖看到，以TM2的DS18B20的數(shù)據(jù)為例，TM2的兩個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)由Read_buf_8ch數(shù)組的16個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)中的每個(gè)字節(jié)的bit2位組成。下面介紹簡(jiǎn)單的處理代碼片斷：char i,j。if(Read_buf_8ch[i]amp。NOP_1uS。 while(~DQ)。while(i0) i。 uchar a,b。 uchar a,b,m,n,y1,y2。m++) { uint i。 y2=b4?；仡櫵哪陮W(xué)習(xí)期間的一千余個(gè)日日夜夜，自己為課題的研究，靜心鉆研，潛心研究，并取得初步研究成果而感到欣慰。在此，向這兩位老師致以最誠(chéng)摯的謝意。m++) { display(last[n])。 buf2[m]=DQ。m++) { DQ=0x00。 for(j=5000。i++。 for(j=1。 while(count) { for(i=0。}}Mask = 0x01。unsigned int i。分析DS18B20的一線(xiàn)制總線(xiàn)控制命令，可以提煉出兩個(gè)最基本的操作函數(shù)，一個(gè)是寫(xiě)一個(gè)byte數(shù)據(jù)至DS18B20器件，另一為讀取DS18B20器件的數(shù)據(jù)。Delay_1us(50)。return DQ_S。P1 = 0xff。 下面詳細(xì)介紹一下以MCS51系列單片機(jī)的應(yīng)用為例的范例程序，其中約定與8個(gè)DS18B20器件進(jìn)行連接的是P1端口。在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)間隙的前15uS總線(xiàn)需要是被控制器拉置低電平，而后則將是芯片對(duì)總線(xiàn)數(shù)據(jù)的采樣時(shí)間，采樣時(shí)間在15~60uS，采樣時(shí)間內(nèi)如果控制器將總線(xiàn)拉高則表示寫(xiě)“1”，如果控制器將總線(xiàn)拉低則表示寫(xiě)“0”。Read Scratchpad （從RAM中讀數(shù)據(jù)）[BEH]此指令將從RAM中讀數(shù)據(jù)，讀地址從地址0開(kāi)始，一直可以讀到地址9，完成整個(gè)RAM數(shù)據(jù)的讀出。單支DS18B20若要讀出當(dāng)前的溫度數(shù)據(jù)我們需要執(zhí)行兩次工作周期，第一個(gè)周期為：復(fù)位、跳過(guò)ROM指令[CCH]、執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器操作指令[44H]、等待500uS溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間。我們?cè)诿恳淮巫x溫度之前都必須進(jìn)行復(fù)雜的且精準(zhǔn)時(shí)序的處理，因?yàn)镈S18B20的硬件簡(jiǎn)單結(jié)果就會(huì)導(dǎo)致軟件的巨大開(kāi)消，也是盡力減少有形資產(chǎn)轉(zhuǎn)化為無(wú)形資產(chǎn)的投入，是一種較好的節(jié)約之道。F ~+257176。所以從工業(yè)自動(dòng)化、智能儀器儀表、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、通信方面、家用電器方面等，直到國(guó)防尖端技術(shù)領(lǐng)域，單片機(jī)都發(fā)揮著十分重要的作用。計(jì)算機(jī)每執(zhí)行一條指令都可分為三個(gè)階段進(jìn)行。片外最多可外擴(kuò)64KB。而且隨著以MCS51單片機(jī)基本內(nèi)核為核心的各種擴(kuò)展型、增強(qiáng)型的新型單片機(jī)不斷推出，MCS51系列仍是我國(guó)單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的主流機(jī)型。21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展日新月異，科技的進(jìn)步帶動(dòng)了測(cè)量技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代控制設(shè)備的性能和結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大的變化，我們已經(jīng)進(jìn)入了高速發(fā)展的信息時(shí)代，測(cè)量技術(shù)也成為當(dāng)今科技的主流之一，被廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)的各個(gè)領(lǐng)域。 畢業(yè)設(shè)計(jì)作者簽名：龐子博 2012年5月1日 電子信息科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)摘 要通過(guò)運(yùn)用DS18B20數(shù)字溫度傳感器的測(cè)溫原理和特性，利用它獨(dú)特的單線(xiàn)總線(xiàn)接口方式，與AT89C51單片機(jī)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫。在工業(yè)生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)研究中，在電力、化工、石油、冶金、機(jī)械制造、大型倉(cāng)儲(chǔ)室、實(shí)驗(yàn)室、農(nóng)場(chǎng)塑料大棚甚至人們的居室里經(jīng)常需要對(duì)環(huán)境溫度進(jìn)行檢測(cè)，并根據(jù)實(shí)際的要求對(duì)環(huán)境溫度進(jìn)行控制。并在Keil環(huán)境下編輯應(yīng)用軟件程序，通過(guò)Proteus和Keil的聯(lián)合實(shí)現(xiàn)該多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、調(diào)試和仿真。例如：位處理、查表、狀態(tài)檢測(cè)、中斷處理等。7. 中斷控制系統(tǒng)MCS51單片機(jī)的中斷功能較強(qiáng)，以滿(mǎn)足不同控制應(yīng)用的需要。，適應(yīng)溫度范圍寬。了解其工作原理和應(yīng)用可以拓寬您對(duì)單片機(jī)開(kāi)發(fā)的思路。數(shù)據(jù)在出產(chǎn)時(shí)設(shè)置不由用戶(hù)更改。ROM指令為8位長(zhǎng)度，功能是對(duì)片內(nèi)的64位光刻ROM進(jìn)行操作。Match ROM（指定匹配芯片）[55H]這個(gè)指令后面緊跟著由控制器發(fā)出了64位序列號(hào)，當(dāng)總線(xiàn)上有多只DS18B20時(shí)，只有與控制發(fā)出的序列號(hào)相同的芯片才可以做出反應(yīng)，其它芯片將等待下一次復(fù)位。在寄生工作方式時(shí)必須在發(fā)出此指令后立刻超用強(qiáng)上拉并至少保持500MS，來(lái)維持芯片工作。在通信時(shí)是以8位“0”或“1”為一個(gè)字節(jié)，字節(jié)的讀或?qū)懯菑母呶婚_(kāi)始的。從理論上分析，本設(shè)計(jì)方案的采用，查詢(xún)多個(gè)DS18B20器件操作所消耗的時(shí)間與查詢(xún)一個(gè)DS18B20器件操作所消耗的時(shí)間是等量的。//8個(gè)DQ線(xiàn)全部輸出高電平Delay_1us(40)。//端口恢復(fù)高電平DQ_S = P1。//恢復(fù)端口電平//返回讀取的值} 在讀取一個(gè)總線(xiàn)狀態(tài)數(shù)據(jù)位的函數(shù)中，將會(huì)返回一個(gè)byte的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)的8個(gè)位正好與連接在P2端口上的8個(gè)I/O口對(duì)應(yīng)，如下圖52所示：//保持總線(xiàn)低電平500usError_Counter++)i++)Com = Com1。Read_buf_8ch[i] = DS18B20_ReadDQ()。//Skip ROM//送入讀取數(shù)據(jù)命令uiData[j] = uiData[j]1。_nop_()。 i=4。i++。