【正文】 Write_Byte(0xcc)。j)。while(i0) i。m++) { a=dat1[m]。經(jīng)過這一次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我學(xué)了不少的知識(shí)，學(xué)會(huì)了怎樣查閱資料和利用工具書，以及熟練地使用PROTEUS仿真軟件和KEIL開發(fā)工具。路漫漫其修遠(yuǎn)兮，吾將上下而求索。系統(tǒng)采用單總線技術(shù)，按照DS18B20的通信協(xié)議，由主機(jī)向DS18B20發(fā)送命令，讀取DS18B20轉(zhuǎn)換的溫度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)環(huán)境的溫度的測(cè)量。 } FormatTemp(buf1,dat1)。i++。 P1=0x02。 Write_Byte(0xcc)。0x01。 DQ=0x00。////函數(shù)聲明，變量定義//DS18B20程序 條件： //include include define uchar unsigned chardefine uint unsigned intdefine NOP_1uS _nop_()。j8。DS18B20_WriteByte(0xbe)。i16。unsigned char i。//8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平讀時(shí)間隙：讀時(shí)間隙時(shí)控制時(shí)的采樣時(shí)間應(yīng)該更加的精確才行，讀時(shí)間隙時(shí)也是必須先由主機(jī)產(chǎn)生至少1uS的低電平，表示讀時(shí)間的起始。此后由于芯片忙于EEPROM儲(chǔ)存處理，當(dāng)控制器發(fā)一個(gè)讀時(shí)間隙時(shí)，總線上輸出“0”，當(dāng)儲(chǔ)存工作完成時(shí)，總線將輸出“1”。如要采用寄生工作方式，只要將VDD電源引腳與單總線并聯(lián)即可。：在復(fù)位電平結(jié)束之后，控制器應(yīng)該將數(shù)據(jù)單總線拉高，以便于在15~60uS后接收存在脈沖，存在脈沖為一個(gè)60~240uS的低電平信號(hào)。* 多樣封裝形式，適應(yīng)不同硬件系統(tǒng)?GND 電壓地 ?DQ 單數(shù)據(jù)總線 ?VDD 電源電壓 ?NC 空引腳?DQ一線制總線（輸入/輸出）　　DS18B20的溫度檢測(cè)與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出全集成于一個(gè)芯片之上，從而抗干擾力更強(qiáng)。此外，專用化也是單片機(jī)的一個(gè)發(fā)展方向，針對(duì)單一用途的專用單片機(jī)將會(huì)越來越多。分析指令階段的任務(wù)是：將指令寄存器中的指令操作碼取出后進(jìn)行譯碼，分析其指令性質(zhì)。5. 并行I/O口MCS51單片機(jī)共有4個(gè)8位的I/O口（P0、PPP3）以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸入輸出。單片機(jī)以其卓越的性能，得到了廣泛的應(yīng)用，單片機(jī)以小巧靈活、成本低、易于產(chǎn)品化、可靠性好、應(yīng)用溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。 3. 本課題的研究可以使學(xué)生更好地掌握基于單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的分析與設(shè)計(jì)方法，培養(yǎng)創(chuàng)新意識(shí)、協(xié)作精神和理論聯(lián)系實(shí)際的學(xué)風(fēng)，提高電子產(chǎn)品研發(fā)素質(zhì)、增強(qiáng)針對(duì)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作的能力。本文介紹基于AT89C51單片機(jī)、C語言和DS18B20傳感器的多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)及其在Proteus平臺(tái)下的仿真。利用51單片機(jī)的并行口，同步快速讀取8支DS18B20溫度，實(shí)現(xiàn)了在多點(diǎn)溫度測(cè)量系統(tǒng)中對(duì)多個(gè)傳感器的快速精確識(shí)別和處理，并給出了具體的編程實(shí)例和仿真結(jié)果。至單片機(jī)AT89C51的8個(gè)通用I/O端口。AT89C51是美國(guó)ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS 8位單片機(jī)，片內(nèi)含4K bytes的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器（PEROM）和128 bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM），器件采用ATMEL高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器（CPU）和 Flash 存儲(chǔ)單元。6. 串行口MCS51單片機(jī)有一個(gè)全雙工的串行口，具有4種工作方式，以實(shí)現(xiàn)單片機(jī)和其它設(shè)備之間的串行數(shù)據(jù)傳送。如指令要求操作數(shù)，則尋找操作數(shù)地址。第三章 數(shù)字溫度傳感器DS18B20原理溫度傳感器的種類眾多，在應(yīng)用與高精度、高可靠性的場(chǎng)合時(shí)DALLAS（達(dá)拉斯）公司生產(chǎn)的DS18B20溫度傳感器[2]當(dāng)仁不讓。其一個(gè)工作周期可分為兩個(gè)部分，即溫度檢測(cè)和數(shù)據(jù)處理。至此，通信雙方已經(jīng)達(dá)成了基本的協(xié)議，接下來將會(huì)是控制器與18B20間的數(shù)據(jù)通信。但在程序設(shè)計(jì)中，寄生工作方式將會(huì)對(duì)總線的狀態(tài)有一些特殊的要求。在寄生工作方式時(shí)必須在發(fā)出此指令后立刻超用強(qiáng)上拉并至少保持10MS，來維持芯片工作。隨后在總線被釋放后的15uS中DS18B20會(huì)發(fā)送內(nèi)部數(shù)據(jù)位，這時(shí)控制如果發(fā)現(xiàn)總線為高電平表示讀出“1”，如果總線為低電平則表示讀出數(shù)據(jù)“0”。Delay_1us(10)。DS18B20_Write_0()。i++)DS18B20_WriteByte(0xcc)。j++)_nop_()。 i=103。 dat=dat1。 Write_Byte(0x44)。 P2=led_tab[b]。i++。 FormatTemp(buf2,dat2)。本文介紹了用單片機(jī)AT89C51控制DS18B20，著重分析各單元電路的設(shè)計(jì)，以及各電路與單片機(jī)的接口技術(shù)。我愿在未來的學(xué)習(xí)和研究過程中，以更加豐厚的成果來答謝曾經(jīng)關(guān)心、幫助和支持過我的所有領(lǐng)導(dǎo)、老師、同學(xué)、同事和朋友，一并表示感謝！最后，再次向他們表示我最誠摯的謝意，我將以最大的熱情投入到工作中，以報(bào)答所以幫助我過的老師和同學(xué)。本文是采用模塊化的方式進(jìn)行敘述，對(duì)各模塊的設(shè)計(jì)進(jìn)行了比較詳細(xì)地闡述。m=7。 i=8。j0。 Delay1ms(1)。 //寫1 i++。 //大約900us DQ=0xff。_nop_()。i8。Error_Counter200。//延時(shí)待總線準(zhǔn)備好數(shù)據(jù)P1 = 0xff。//8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平 注意：必須在讀間隙開始的15uS內(nèi)讀取數(shù)據(jù)位才可以保證通信的正確。此后由于芯片忙于溫度轉(zhuǎn)換處理，當(dāng)控制器發(fā)一個(gè)讀時(shí)間隙時(shí)，總線上輸出“0”，當(dāng)儲(chǔ)存工作完成時(shí)，總線將輸出“1”。只有當(dāng)總線上只存在一個(gè)DS18B20的時(shí)候才可以使用此指令，如果掛接不止一個(gè)，當(dāng)通信時(shí)將會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。：雙方打完了招呼之后最要將進(jìn)行交流了，ROM指令共有條，每一個(gè)工作周期只能發(fā)一條，ROM指令分別是讀ROM數(shù)據(jù)、指定匹配芯片、跳躍ROM、芯片搜索、報(bào)警芯片搜索。18B20共有三種形態(tài)的存儲(chǔ)器資源，它們分別是：ROM 只讀存儲(chǔ)器，用于存放DS18B20ID編碼，其前8位是單線系列編碼（DS18B20的編碼是19H），后面48位是芯片唯一的序列號(hào)，最后8位是以上56的位的CRC碼（冗余校驗(yàn)）。對(duì)于我們普通的電子愛好者來說，DS18B20的優(yōu)勢(shì)更是我們學(xué)習(xí)單片機(jī)技術(shù)和開發(fā)溫度相關(guān)的小產(chǎn)品的不二選擇。單片機(jī)應(yīng)用在檢測(cè)控制領(lǐng)域中，具有如下特點(diǎn)：、成本低、易于產(chǎn)品化。RXD（ ）腳為接收端口，TXD（）腳為發(fā)送端口。AT89C51方框圖21:圖21 AT89C51方框圖1. 微處理器（CPU）MCS51單片機(jī)中有1個(gè)8位的CPU，包括運(yùn)算器和控制器兩大部分，不僅可處理字節(jié)數(shù)據(jù)，還可以進(jìn)行位變量的處理。每個(gè)端口只連接一個(gè)溫度傳感器件，也即一條一線制總線上僅有一個(gè)DS18B20。人民的生活與環(huán)境溫度息息相關(guān)，物理、化學(xué)、生物等學(xué)科都離不開溫度。并給出了測(cè)溫系統(tǒng)中對(duì)DS18B20操作的C51編程實(shí)例。對(duì)于本次設(shè)計(jì)，其目的在于：1. 掌握數(shù)字溫度傳感器DS18B20的原理、性能、使用特點(diǎn)和方法，利用C51對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行編程。目前在工業(yè)控制、智能儀器儀表、辦公室自動(dòng)化、家用電器等諸多領(lǐng)域，到處都可看見單片機(jī)的蹤影，單片機(jī)技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用高水平已成為一個(gè)國(guó)家工業(yè)化水平的標(biāo)志之一。4. 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器單片機(jī)共有2個(gè)16位的定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，具有4種工作方式，以實(shí)現(xiàn)定時(shí)或計(jì)數(shù)功能，并以其定時(shí)或計(jì)數(shù)結(jié)果對(duì)計(jì)算機(jī)進(jìn)行控制。即取指令分析指令執(zhí)行指令。綜觀單片機(jī)幾十年的發(fā)展歷程，單片機(jī)今后將向多功能、高性能、高速度、低電壓、低功耗、低價(jià)格、外圍電路內(nèi)裝化以及片內(nèi)存儲(chǔ)器容量增加和Flash存儲(chǔ)器化方向發(fā)展。F)l * 內(nèi)置EEPROM，限溫報(bào)警功能。[3]：首先我們必須對(duì)DS18B20芯片進(jìn)行復(fù)位，復(fù)位就是由控制器（單片機(jī)）給DS18B20單總線至少480uS的低電平信號(hào)。緊接著執(zhí)行第二個(gè)周期為：復(fù)位、跳過ROM指令[CCH]、執(zhí)行讀RAM的存儲(chǔ)器操作指令[BEH]、讀數(shù)據(jù)（最多為9個(gè)字節(jié)，中途可停止，只讀簡(jiǎn)單溫度值則讀前2個(gè)字節(jié)即可）。芯片允許在讀過程中用復(fù)位信號(hào)中止讀取，即可以不讀后面不需要的字節(jié)以減少讀取時(shí)間。每一位的發(fā)送都應(yīng)該有一個(gè)至少15uS的低電平起始位，隨后的數(shù)據(jù)“0”或“1”應(yīng)該在45uS內(nèi)完成。 本文所述的解決方案正是以端口的消耗為代價(jià)，換取對(duì)多點(diǎn)DS18B20溫度查詢的速度，并在程序結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上采用一些巧妙的處理方法，使得系統(tǒng)對(duì)DS18B20的操作上花更少的時(shí)間。底層時(shí)序驅(qū)動(dòng)[8]程序與DS18B20的一線制總線的協(xié)議保持一致，根據(jù)一線制總線時(shí)序的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了四個(gè)基本的函數(shù)：總線寫1時(shí)序控制函數(shù)：void DS18B20_Write_1(void){//8個(gè)DQ 線全部設(shè)置為低電平}而在本文的范例程序當(dāng)中，僅僅為了提取DS18B20器件的轉(zhuǎn)換完后的溫度值，所以在讀取DS18B20的數(shù)據(jù)時(shí)，僅讀取存放在數(shù)據(jù)地址前兩個(gè)字節(jié)的溫度數(shù)據(jù)，而不讀取其它字節(jié)的數(shù)據(jù)，包括CRC校驗(yàn)值也沒有進(jìn)行讀取。else啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換控制函數(shù)[11]：void DS18B20_Conver(void){i125。j=8。 } }}////函數(shù)名稱：Start_conver