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場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

2025-06-23 23:11上一頁(yè)面

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【正文】加正偏壓； P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。 ⑤ 低頻跨導(dǎo) gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管可看作一只普通晶體三極管，柵極 G對(duì)應(yīng)基極 b，漏極 D對(duì)應(yīng)集電極 C，源極 S對(duì)應(yīng)發(fā)射極 E。1 常用電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管 2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管 .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ,也稱為單極型晶體管 .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 . 特點(diǎn) : 具有輸入電阻高（ 100000000～ 1000000000Ω ）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn) ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者 . 3 4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種 : 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 (JFET)因有兩個(gè) PN結(jié)而得名；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 (JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。 ? N溝道對(duì)應(yīng) NPN型晶體管， P溝道對(duì)應(yīng) PNP晶體管。 (相當(dāng)于普通晶體管的 hEF )，單位是 mS(毫西門(mén)子 )。 2 ．場(chǎng)效應(yīng)管的運(yùn)輸與儲(chǔ)存 ? 由于輸入阻抗極高，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝

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畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦

模擬電子技術(shù)場(chǎng)效應(yīng)管放大器與功率電子電路-資料下載頁(yè)

【摘要】第三章場(chǎng)效應(yīng)管放大器第三章場(chǎng)效應(yīng)管放大器?絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管?結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管放大電路?效應(yīng)管放大器的靜態(tài)偏置?效應(yīng)管放大器的交流小信號(hào)模型?效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管概述乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路*集成功率放大器

2025-01-19 08:20

常用半導(dǎo)體器件場(chǎng)效應(yīng)管及應(yīng)用-資料下載頁(yè)

【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)北京航空航天大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院主講：趙建輝第一章常用半導(dǎo)體器件()半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體二極管雙極型晶體管場(chǎng)效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管集成電路中的元件第1章常用半導(dǎo)體器件本節(jié)課內(nèi)容?自學(xué),不要求場(chǎng)效應(yīng)管(FET)重點(diǎn)

2025-05-15 03:11

場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型54單管放大電路的頻率響應(yīng)-資料下載頁(yè)

【摘要】第五章放大電路的頻率響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型場(chǎng)效應(yīng)管各極之間存在極間電容，其高頻等效模型如下：一般情況下，rgs和rds比外接電阻大得多，可認(rèn)為是開(kāi)路。Cgd可進(jìn)行等效變化，使電路單向化。第五章放大電路的頻率響應(yīng)Cgd等效變化：g-s之間的等效電容為d-s之間的等效電容為)(1Lmgdds

2025-05-15 00:20

[工程科技]模電課件ch05場(chǎng)效應(yīng)管放大電路-資料下載頁(yè)

【摘要】金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路與BJT相比：?利用電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流?單極型晶體管：主要是多數(shù)載流子導(dǎo)電?輸入阻抗高?噪聲低?易于制造，便于集成P溝

2025-02-18 00:05

隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性分析及仿真開(kāi)題報(bào)告-資料下載頁(yè)

【摘要】蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性分析及仿真開(kāi)題報(bào)告1.選題的背景與意義隨著MOSFET尺寸的不斷縮小，器件的功耗問(wèn)題和可靠性問(wèn)題成為制約集成電路發(fā)展的重要因素。為了降低集成電路的功耗，隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）和InGaAs?MOSFET成為了國(guó)際上的研究重點(diǎn)。與傳統(tǒng)Si?MOSFET比較，TFET的室溫亞閾值擺幅可以突破60mV/de

2025-01-19 00:36

第422場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路-資料下載頁(yè)

【摘要】場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來(lái)的另一類(lèi)具有放大作用的半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單，在集成電路中占有重要地位。本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí)。第四章場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路學(xué)習(xí)方法：學(xué)習(xí)本章內(nèi)容時(shí)，應(yīng)特別注意

2025-04-22 22:04

第1章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管-資料下載頁(yè)

【摘要】第1章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第1章目錄半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),本征半導(dǎo)體不導(dǎo)電。把純凈的沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶稱為本征半導(dǎo)體。

2025-07-20 08:29

集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)與工具ch05mos場(chǎng)效應(yīng)管的特性-資料下載頁(yè)

【摘要】MOSFET補(bǔ)充內(nèi)容?2022/2/141第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOSFET補(bǔ)充

2025-01-18 20:09

第4章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管-資料下載頁(yè)

【摘要】第4章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)半導(dǎo)體二極管雙極型晶體管一半導(dǎo)體（一）半導(dǎo)體基本知識(shí)、絕緣體、半導(dǎo)體：物質(zhì)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱——可用電阻率（ρ）表示①導(dǎo)體：導(dǎo)電能力強(qiáng)的物質(zhì)（ρ10-3Ω*cm）利用自由電子導(dǎo)電②絕緣體：導(dǎo)電能力弱的物質(zhì)

2025-07-20 10:49

模電實(shí)驗(yàn)三場(chǎng)效應(yīng)管放大電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告-資料下載頁(yè)

【摘要】實(shí)驗(yàn)三場(chǎng)效應(yīng)管放大電路班級(jí)：姓名：學(xué)號(hào)：一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.了解結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的性能和特點(diǎn)。2．學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法。二、實(shí)驗(yàn)儀器及器件儀器及器件名稱型號(hào)數(shù)量+12V直流穩(wěn)壓電源DP8321函數(shù)信號(hào)發(fā)生器DG41021示波器MSO2000

2025-07-21 07:11

第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路-資料下載頁(yè)

【摘要】模擬電子技術(shù)第三章場(chǎng)效應(yīng)管引言結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管電路小信號(hào)等效電路分析法場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的組態(tài)模擬電子技術(shù)引言場(chǎng)效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)

2024-10-04 19:08

場(chǎng)效應(yīng)晶體管-資料下載頁(yè)

【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，用FET來(lái)表示（FieldEffectTransistor）。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—

2025-07-18 18:48

模擬電子技術(shù)第2章3場(chǎng)效應(yīng)管放大器與單管放大總結(jié)-資料下載頁(yè)

【摘要】第二章3場(chǎng)效應(yīng)管放大電路單管放大器總結(jié)單管放大器總結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)（P49）?按工藝結(jié)構(gòu)分兩類(lèi)：結(jié)型和絕緣柵型（MOS）?按溝道材料分兩類(lèi)：N溝道和P溝道?按導(dǎo)電方式分兩類(lèi)：耗盡型與增強(qiáng)型。?共有6類(lèi)：–結(jié)型管只有耗盡型：N溝道P溝道–絕緣柵型（MOS

2025-03-10 12:29

場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-資料下載頁(yè)

【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）金屬－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面，MOS集成電路幾

2025-05-07 00:11

場(chǎng)效應(yīng)三極管ppt課件-資料下載頁(yè)

【摘要】1第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)三極管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)三極管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)下頁(yè)總目錄2第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)三極管場(chǎng)效應(yīng)三極管中參與導(dǎo)電的只有一種極性的載流子（多數(shù)載流子），故稱為單極型三極管。分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝